MD1023Z - Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов - Google Patents
Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов Download PDFInfo
- Publication number
- MD1023Z MD1023Z MDS20150147A MDS20150147A MD1023Z MD 1023 Z MD1023 Z MD 1023Z MD S20150147 A MDS20150147 A MD S20150147A MD S20150147 A MDS20150147 A MD S20150147A MD 1023 Z MD1023 Z MD 1023Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- microcontroller
- measuring
- mcu
- analog
- micro
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 101100434411 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ADH1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150102866 adc1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в измерительных приборах, в которых используются наносенсоры на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов.Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов включает источник опорного напряжения (Uref), напряжение которого подается на вход одного из аналого-цифровых преобразователей (ADC) микроконтроллера (MCU) через операционный усилитель, и который соединен последовательно с исследуемой наноструктурой (Rx) и дополнительным резистором (R0), а падение напряжения на резисторе (R0) подается на вход второго аналого-цифрового преобразователя (АЦП) микроконтроллера (MCU) через второй операционный усилитель. Выход микроконтроллера (MCU) подключен к экрану для отображения полученного результата.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150147A MD1023Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150147A MD1023Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1023Y MD1023Y (ru) | 2016-04-30 |
| MD1023Z true MD1023Z (ru) | 2016-11-30 |
Family
ID=55911144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20150147A MD1023Z (ru) | 2015-11-09 | 2015-11-09 | Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1023Z (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1597802A1 (ru) * | 1987-04-17 | 1990-10-07 | Институт радиофизики и электроники АН АрмССР | Устройство дл измерени параметров источников питани |
| RU19420U1 (ru) * | 2001-05-18 | 2001-08-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Связьприбор" | Устройство для измерения электрических параметров и определения места повреждения кабельных линий |
| US8263002B1 (en) * | 2008-05-16 | 2012-09-11 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Fabrication of ZnO nanorod-based hydrogen gas nanosensor |
| RU2541723C1 (ru) * | 2013-09-17 | 2015-02-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Прецизионный аналого-цифровой интерфейс для работы с резистивными микро- и наносенсорами |
-
2015
- 2015-11-09 MD MDS20150147A patent/MD1023Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1597802A1 (ru) * | 1987-04-17 | 1990-10-07 | Институт радиофизики и электроники АН АрмССР | Устройство дл измерени параметров источников питани |
| RU19420U1 (ru) * | 2001-05-18 | 2001-08-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Связьприбор" | Устройство для измерения электрических параметров и определения места повреждения кабельных линий |
| US8263002B1 (en) * | 2008-05-16 | 2012-09-11 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Fabrication of ZnO nanorod-based hydrogen gas nanosensor |
| RU2541723C1 (ru) * | 2013-09-17 | 2015-02-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Прецизионный аналого-цифровой интерфейс для работы с резистивными микро- и наносенсорами |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| O. Lupan, V.V. Ursaki, G. Chai, L. Chow. Selective hydrogen gas nanosensor using individual ZnO nanowire with fast response at room temperature, Sensors and Actuators B: Chemical, Volume 144, Issue 1, 29 January 2010, Pages 56–66 * |
| Oleg Lupan, Guangyu Chai, Lee Chow. Novel hydrogen gas sensor based on single ZnO nanorod, Microelectronic Engineering, Volume 85, Issue 11, November 2008, Pages 2220-2225 * |
| Лозицкий Б.Н., Мельниченко И. И. Радиотехника, Электрорадиоизмерения, Энергия, Москва, 1976, с.193-194 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1023Y (ru) | 2016-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nenova et al. | Linearization circuit of the thermistor connection | |
| CN103968969B (zh) | 温度测量装置和可编程片上系统芯片 | |
| CN103674299B (zh) | 确定晶体管的温度的电路和方法 | |
| US20120205258A1 (en) | Digital potentiostat circuit and system | |
| CN106989847A (zh) | 铂电阻测温系统中的误差修正方法 | |
| CN111263889A (zh) | 用于运行电池传感器的方法和电池传感器 | |
| CN101943713B (zh) | 内部自检查电阻桥和方法 | |
| CN107229028B (zh) | 用于确定负载电流的方法和电池传感器 | |
| KR20140012865A (ko) | 서미스터를 이용한 온도 측정 장치 | |
| CN102288337B (zh) | 差动电阻式传感器的测量方法和装置 | |
| CN207585792U (zh) | 热电阻的信号调理电路以及具有其的温度检测装置 | |
| JPS61210965A (ja) | 低抵抗測定装置 | |
| MD1023Z (ru) | Устройство для измерения параметров сенсоров на основе микро- и наноструктурных полупроводниковых оксидов | |
| De Marcellis et al. | A novel current-based approach for very low variation detection of resistive sensors in wheatstone bridge configuration | |
| JP2010145373A (ja) | 抵抗測定装置 | |
| JP6270690B2 (ja) | 電磁流量計の変換器および電磁流量計の校正方法 | |
| RU2586084C1 (ru) | Многоканальный преобразователь приращения сопротивления резистивных датчиков в напряжение | |
| RU2549255C1 (ru) | Цифровой измеритель температуры | |
| Jain et al. | An efficient digitization scheme for resistive sensors interfaced through quarter bridge | |
| RU2405131C1 (ru) | Устройство измерения разности температуры c терморезистивными датчиками | |
| Arunachalam et al. | Embedded temperature monitoring and control unit | |
| CN110987223B (zh) | 一种改进的高精度铂电阻测温电路 | |
| JP3937364B2 (ja) | 電圧・抵抗発生測定装置 | |
| RU2451913C1 (ru) | Устройство для измерения температуры | |
| MD1065Z (ru) | Устройство и метод измерения сопротивления сенсоров на основе наноструктурных полупроводниковых оксидов |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |