KR987000668A - 힘 감지 잉크, 이를 제조하는 방법 및 개선된 힘 감지기(force sensing ink, method of making same and inproved force sensor) - Google Patents

힘 감지 잉크, 이를 제조하는 방법 및 개선된 힘 감지기(force sensing ink, method of making same and inproved force sensor) Download PDF

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Abstract

탄소 비함유 힘 감지기(10) 및 이를 제조하는 방법은 350℉의 온도 및 10,000 psi 이하의 압력에서 작동할 수 있다. 바람직한 잉크(26,46)는 열가소성 폴리이미드 결합제, 전도성 입자, 고유 반도체성 입자 및 유전 입자를 포함하며, 이들의 평균 입자 크기는 모두 1. 0이하이다. 바람직한 반도체성 입자는 이황화몰리브덴, 산화제이철 및 산화제일철 입자이다. 바람직한 전도성 입자는 산소가 2를 기본으로 하는 화학량론으로부터 벗어나는 전도성 금속 산화물 화합물(예: 전도성 산화주석, Fe3O4산화철, 및 이들의 혼합물)이다. 바람직한 유전 입자는 실리카이다. 결합제는 20 내지 80체적%의 양으로 존재한다. 잉크(26, 46)는 전극 (22, 42), 전도체 관(24, 44) 및 접속부(28, 48)를 포함하는 가요성 샌드위치 필름 (20, 40)상에 위치한다.

Description

힘 감지 잉크, 이를 제조하는 방법 및 개선된 힘 감지기(FORCE SENSING INK, METHOD OF MAKING SAME AND INPROVED FOREC SENSOR)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 감지기를 제공하기 위한 조립가능한 한 쌍의 감지기 소자의 평면도이다.

Claims (23)

  1. 한 쌍의 전도체 사이에 있는 박층에 침착되고; 상기 각각의 전도체는 지지 표면상에 배치되고; 상기 박층은 여기에 적용된 힘의 함수로서 변화하는 저항을 가지고 150 내지 350℉의 온도에서 힘 감지 분야에서 사용할 수 있고; 고온 결합제, 고유 반도체성 입자 및 전도성 입자를 포함하고; 상기 전도성 입자는 산소가 2를 기본으로 하는 화학량론으로부터 벗어난 전도성 금속 산화물 화합물을 포함하는, 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 입자가 전도성 산화주석 입자, Fe3O4산화철 입자 또는 이들의 혼합물을 포함하는 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  3. 제 1 항에 있어서, 유전 입자를 추가로 포함하는 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 유전 입자가 10이하의 평균 입자 크기를 갖는 실리카인 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체성 입자가 이황화몰리브덴 입자인 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 입자의 평균 입자 크기가 10 이하인 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 고온 결합제가 열가소성 폴리이미드 수지인 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  8. 제 1 항에 있어서, 박층 중에 침착되었을 때, 상기 전도성 입자 및 반도체성 입자가 건식 잉크의 20체적% 이상의 혼합된 농도로 존재하는 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  9. 제 8 항에 있어서, 박층에 침착되었을 때, 결합제가 20 내지 80체적%의 혼합된 양으로 존재하고 상기 전도성 입자 및 반도체성 입자가 80 내지 20체적%의 혼합된 양으로 존재하는 탄소 비함유 힘 감지 잉크.
  10. 15 내지 65체적부의 반도체성 입자 대 55부 내지 5체적부의 전도성 입자의 비율로 고유 반도체성 입자와 전도성 입자의 제 1 혼합물을 제공하는 단계(여기서, 잔류물은 내열성 결합제이다); 15 내지 65체적부의 반도체성 입자 대 55 내지 5체적부의 유전 입자의 비율로 고유 반도체성 입자와 유전 입자의 제 2 혼합물을 제공하는 단계(여기서, 잔류물은 내열성 결합제이다); 및 동일한 체적량의 반도체 입자를 갖는 상기 제 1 혼합물과 제 2 혼합물의 양을 혼합하여 힘 감지 미립자를 제 1 혼합물 4 내지 96%와 제 2 혼합물 96 내지 4%의 비율로 생성하여 힘 감지기증에 침착되어 사용되는 잉크를 제공하는 단계를 포함하는, 탄소 비함유 감압성 힘 감지 잉크 층의 온도 및 압력 반응성을 조절하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 반도체성 입자가 이황화몰리브덴 입자인 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 반도체성 입자 및 전도성 입자의 평균 입자 크기가 1.0 이하인 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 결합제가 열가소성 폴리이미드 결합제인 방법.
  14. 제 10 항에 있어서, 박층 중에 침착되었을 때, 상기 전도성 입자 및 반도체성 입자가 상기 건식 잉크의 20체적% 이상 80체적% 미만의 양으로 존재하는 방법.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 결합제가 20 내지 80체적%의 혼합된 양으로 존재하고 상기 전도성 입자 및 반도체성 입자가 80 내지 20체적%의 혼합된 양으로 존재하는 방법.
  16. 얇은 가요성 필름, 상기 필름상에 제 1 전극, 상기 전극상에 침착된 탄소 비함유 감압성 저항 물질을 포함하고; 상기 물질은 고온 저항성 결합제, 고유 반도체성 입자 및 전도성 입자를 포함하고; 상기 전도성 입자는 산소가 2를 기본으로 하는 화학량론으로부터 벗어난 전도성 금속 산화물 화합물을 포함하고; 상기 반도체성 입자는 상기 물질의 20 내지 80체적%의 양으로 존재하고; 상기 감압성 저항 물질이 전극들 사이에서 압착탈수되어 이를 통하는 전류가 적용된 힘의 함수로서 변화될 수 있도록 제 2 전극이 상기 물질에 의해 제 1 전극으로부터 이격되어 있는 감압성 힘 감지기.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 전도성 입자가 전도성 산화주석, Fe3O4산화철 및 이들의 혼합물중 1종을 포함하는 힘 감지기.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 물질이 유전 입자를 추가로 포함하는 힘 감지기.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 반도체성 입자가 이황화몰리브덴 입자인 힘 감지기.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 반도체성 입자 및 전도성 입자의 평균 크기가 1.0이하인 힘 감지기.
  21. 제 16 항에 있어서, 상기 결합제가 열가소성 폴리이미드 결합제인 힘 감지기.
  22. 제 16 항에 있어서, 박층에 침착되었을 때, 상기 전도성 입자 및 반도체성 입자가 잉크의 20체적% 이상 80체적% 미만의 양으로 존재하는 힘 감지기.
  23. 제 16 항에 있어서, 박층에 침착되었을 때, 결합제가 20 내지 80체적%의 혼합된 양으로 존재하고 전도성 입자 및 반도체성 입자가 80 내지 20체적%의 혼합된 양으로 존재하는 힘 감지기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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