KR980011987A - Semiconductor cleaning device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 약품처리된 웨이퍼의 세정공정에 사용된 세정액을 회수하여 재사용하는 반도체 세정 장치에 관한 것으로, 약품처리된 웨이퍼의 세정공정이 수행되는 세정조와, 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 배수하는 세정액폐수라인과, 상기 세정액폐수라인상에 설치되어 상기 세정액폐수라인을 개폐시키는 제1조절밸브와, 상기 세정액폐수라인으로부터 분기되어 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 회수하는 세정액회수라인과, 상기 세정액 회수라인상에 설치되어 상기 세정액회수라인을 개폐시키는 제2조절밸브와, 상기 세정조내에 설치되어 세정공정에 사용된 세정액의 성분을 측정하는 센서와 상기 제1 및 제2조절 밸브와 상기 센서의 사이에 연결되어 상기 센서로부터 세정액 성분 측정치를 전송받고, 이 성분 측정치와 이미 설정된 설정치를 비교하여 상기 제1 및 제2 조절밸브의 개폐를 제어하는 콘트롤러를 포함하여 상기 웨이퍼의 세정에 사용된 세정액을 회수하는 것을 포함한다. 이와같은 장치에 의해서, 종래의 반도체 세정 장치에서는 1차 세정액을 재사용하지 못하고 폐수 처리하였던 것을, 자동 검출장치와 분류 기준값에의한 제어장치 및 세정액의 자동분류장치를 사용하여 1차 세정액을 회수하여 사용할 수 있게 되었다. 따라서 화학물질을 포함한 폐수의 감수, 세정액의 재 사용 등으로 비용감소의 효과를 거둘 수 있다.The present invention relates to a semiconductor cleaning apparatus for recovering and reusing a cleaning liquid used in a cleaning process of a chemical-treated wafer, comprising: a cleaning tank for performing a cleaning process of a chemical-treated wafer; a cleaning liquid A cleaning liquid collection line that is branched from the cleaning liquid waste water line and collects the cleaning liquid drained from the cleaning tank; and a cleaning liquid collection line that is provided on the cleaning liquid collection line, A second control valve installed on the line for opening / closing the cleaning liquid collection line, a sensor provided in the cleaning tank for measuring the components of the cleaning liquid used in the cleaning process, and a sensor To receive a rinse solution component measurement from the sensor and to compare the component measurement with a preset value T to include the recovery of the cleaning liquid used for the cleaning of the wafer, including a controller which controls the opening and closing of the first and second control valves. With such an apparatus, in the conventional semiconductor cleaning apparatus, the primary cleaning liquid is recovered by using the automatic detecting apparatus, the control apparatus based on the classification reference value, and the automatic liquid cleaning apparatus for the cleaning liquid, which can not reuse the primary cleaning liquid It is now available. Therefore, it is possible to reduce the cost by reducing the wastewater containing chemicals and reusing the cleaning liquid.
Description
본 발명은 반도체 소자의 세정 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 약품처리된 웨이퍼의 세정공정에 사용된 세정액을 회수하여 재사용하는 반도체 세정 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a cleaning apparatus for a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor cleaning apparatus for recovering and reusing a cleaning liquid used in a cleaning process of a chemically treated wafer.
반도체 소자가 점점 고집적화되어 감에 따라 화학 약품처리된 웨이퍼를 세정하는 세정 공정은 반도체 장치의 수율을 결정하는데 있어서, 매우 중요한 공정으로 대두되고 있다. 특히, 유기물과 무기물 그리고 금속 등과 같은 파티클(particles)에 의한 웨이퍼의 미세 오염에 대한, 세정 관리 기준은 더욱 엄격해지고 있다.As semiconductor devices become increasingly highly integrated, a cleaning process for cleaning a chemical-treated wafer is becoming a very important process in determining the yield of a semiconductor device. In particular, cleaning control standards for fine contamination of wafers by particles such as organic and inorganic materials and metals are becoming more stringent.
도 1에는 종래 반도체 세정 장치의 구성이 개략적으로 도시되어 있다.Fig. 1 schematically shows the structure of a conventional semiconductor cleaning apparatus.
도 1에서, 참조번호 10은 약품조를 나타내고, 참조번호 12은 1차 세정조를 나타내고, 참조번호 14은 1차 세정조의 세정액공급라인을 나타내고, 참조번호 16은 세정액배수라인을 나타내며, 참조번호 18은 2차 세정조를 나타내고, 참조번호 20은 2차 세정조의 세정액공급라인을 나타내고, 참조번호 22은 2차 세정조의 세정액회수라인이고, 참조번호 24은 수조를 나타내고 있다. 여기에서 상기 2차 세정조의 세정액은 전량 회수되어 다시 사용되지만, 상기 1차 세정조의 세정액은 전량 폐수된다.1, reference numeral 10 denotes a chemical tank, reference numeral 12 denotes a primary cleaning tank, reference numeral 14 denotes a cleaning liquid supply line of the primary cleaning tank, reference numeral 16 denotes a cleaning liquid drainage line, Reference numeral 18 denotes a secondary cleaning tank, reference numeral 20 denotes a cleaning liquid supply line of the secondary cleaning tank, reference numeral 22 denotes a cleaning liquid recovery line of the secondary cleaning tank, and reference numeral 24 denotes a water tank. Here, the entire amount of the cleaning liquid in the secondary cleaning tank is recovered and used again, but the cleaning liquid in the primary cleaning tank is entirely wastewater.
상술한 바와 같은 구성을 갖는 반도체 세정장치의 동작은 다음과 같다.The operation of the semiconductor cleaning apparatus having the above-described structure is as follows.
먼저, 상기 약품조(10)에서 웨이퍼는 화학약품으로 처리되고, 화학약품 처기된 웨이퍼가 상기 1차 세정조(12)로 이송된다. 이어서, 상기 세정액공급라인(14)으로부터 세정액이 상기 1차 세정조로부터 로딩된 웨이퍼에 묻어 있는 화학약품 및 파티클을 씻어내고, 세정조(12)를 넘쳐 흐른 세정액은 수조(24)를 거쳐, 세정액배수라인(16)을 통하여 외부로 방류된다.First, in the chemical tank 10, the wafer is treated with a chemical agent, and the chemical-treated wafer is transferred to the primary cleaning bath 12. Then, the cleaning liquid from the cleaning liquid supply line 14 rinses the chemicals and particles on the wafer loaded from the primary cleaning tank, and the cleaning liquid overflowed from the cleaning tank 12 flows through the water tank 24, And is discharged to the outside through the drainage line (16).
다음, 상기 1차 세정조(12)의 작업을 끝낸 웨이퍼가 2차 세정조(18)로 옮겨지면, 상기 2차 세정액공급라인(20)으로부터 세정액이 공급되어, 상기 1차 세정공정과 마찬가지의 웨이퍼 세정공정이 수행된다. 이때, 상기 2차 세정공정에서 사용된 세정액은 1차 세정공정에서 사용되어 전량 배수된, 세정액에 비해 불순물 함유량이 상대적으로 적기 때문에 상기 세정액회수라인(22)을 통해 전량 회수되어 재사용된다.Next, when the wafer finished with the operation of the primary cleaning tank 12 is transferred to the secondary cleaning tank 18, the cleaning liquid is supplied from the secondary cleaning liquid supply line 20, A wafer cleaning process is performed. At this time, since the cleaning liquid used in the secondary cleaning process is used in the primary cleaning process and the total amount of impurities is relatively smaller than that of the cleaning liquid, the entire amount is recovered through the cleaning liquid recovery line 22 and reused.
그러나, 상술한 바와 같은 반도체 세제 장치에 의하면, 상기 1차 세정공정에서세정액에는 묻어있던 불순물들이 다량 함유되어 있기 때문에 전량 폐수로서 배수되고, 이에따라 새로운 세정액이 지속적으로 공급되어야 한다.However, according to the semiconductor detergent system described above, since the cleaning liquid contains a large amount of impurities in the first cleaning step, the entire amount of the cleaning liquid is drained as wastewater, and a new cleaning liquid must be continuously supplied.
따라서, 세정액의 낭비가 초래되고, 배수되는 세정액의 증가에따른 폐수 정화비용 등의 상승하는 문제점이 발생된다. 뿐만아니라, 근래에는 폐수총량규제 등의 환경법규가 강화되고 있어, 이와 같은 세정액의 배수량 절감 등이 시급한 해결과제로 대두되고 있다.Therefore, waste of the cleaning liquid is caused, and the cost of cleaning the waste water due to an increase in the amount of the cleaning liquid to be drained is raised. In addition, in recent years, environmental regulations such as the regulation of the total amount of wastewater have been strengthened, and such a reduction in the amount of the cleaning liquid is urgently required.
따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 화학약품 처리된 웨이퍼의 세정공정에 사용될 세정액을 회수하여 재사용할 수 있는 반도체 세정장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor cleaning apparatus capable of recovering and reusing a cleaning liquid to be used in a cleaning process of a chemical-treated wafer.
제1도는 종래 반도체 세정 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;FIG. 1 schematically shows the structure of a conventional semiconductor cleaning apparatus; FIG.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;FIG. 2 is a schematic view of the structure of a semiconductor cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
제3도는 제2도 반도체 세정 장치에서 세정액의 전도도 측정치를 보여주는 도면FIG. 3 is a drawing showing conductivity measurement values of a cleaning liquid in a semiconductor cleaning apparatus according to a second embodiment
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
10 : 약품조 12, 18 : 세정조10: Chemical tank 12, 18: Cleaning tank
14, 20 : 세정액공급라인 16 : 세정액배수라인14, 20: cleaning liquid supply line 16: cleaning liquid drainage line
22, 40 : 세정액회수라인 24 : 수조22, 40: Cleaning liquid recovery line 24:
30, 32 : 센서 34 : 콘트롤러30, 32: sensor 34: controller
36 : 세정액폐수라인 38 : 제1 조절밸브36: rinse solution wastewater line 38: first control valve
42 : 제2 조절밸브42: Second control valve
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일특징에 의하면, 약품처리된 웨이퍼의 세정공정이 수행되는 세정조와, 상기 세정조에 세정액을 공급하는 세정액공급라인과, 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 배수하는 세정액 배수라인을 구비한 반도체 세정장치에 있어서, 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 배수하는 세정액폐수라인과, 상기 세정액폐수라인상에 설치되어 상기 세정액폐수라인을 개폐시키는 제1 조절밸브와, 상기 세정액폐수라인으로부터 분기되어 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 회수하는 세정액회수라인과, 상기 세정액회수라인상에 설치되어 상기 세정액회수라인을 개폐시키는 제2 조절밸브와, 상기 제1 및 제2 조절밸브와 연결되어 상기 제1 및 제2 조절밸브의 개폐를 제어하는 콘트롤러를 포함하여 상기 웨이퍼의 세정이 시작된 후, 소정의 시간이 경과되면 상기 제1 조절밸브를 오프시키고, 상기 제2 조절밸브를 온시켜 상기 웨이퍼의 세정에 사용된 세정액을 회수한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a cleaning apparatus including: a cleaning tank that performs a cleaning process of a chemical-treated wafer; a cleaning liquid supply line that supplies a cleaning liquid to the cleaning tank; A cleaning liquid wastewater line for discharging the cleaning liquid drained from the cleaning tank; a first control valve provided on the cleaning liquid wastewater line for opening and closing the cleaning liquid wastewater line; A second control valve provided on the cleaning liquid recovery line for opening and closing the cleaning liquid recovery line, and a second control valve provided on the first and second control valves, And a controller for controlling opening and closing of the first and second control valves when the wafer is cleaned Then, when a predetermined time has passed and turning off the first control valve, by turning on the second control valve and recovering the cleaning liquid used for the cleaning of the wafer.
이 장치에 있어서, 상기 소정의 시간은 약 1분 30초 범위내이다.In this apparatus, the predetermined time is within a range of about 1 minute and 30 seconds.
이 장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 조절밸브는 공압밸브이다.In this apparatus, the first and second control valves are pneumatic valves.
이 장치에 있어서, 상기 세정조는 1차 세정조이다.In this apparatus, the cleaning tank is a primary cleaning tank.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 약품처리된 웨이퍼의 세정공정이 수행되는 세정조와, 상기 세정조에 세정액을 공급하는 세정액공급라인과, 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 배수하는 세정액배수라인을 구비한 반도체 세정장치에 있어서, 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 배수하는 세정액폐수라인과, 상기 세정액폐수라인상에 설치되어 상기 세정액폐수라인을 개폐시키는 제1 조절밸브와, 상기 세정액폐수라인으로부터 분기되어 상기 세정조로부터 배수된 세정액을 회수하는 세정액회수라인과, 상기 세정액회수라인상에 설치되어 상기 세정액회수라인을 개폐시키는 제2 조절밸브와, 상기 세정조내에 설치되어 세정공정에 사용된 세정액의 성분을 측정하는 센서와, 상기 제1 및 제2 조절밸므와 상기 센서의 사이에 연결되어 상기 센서로부터 세정액 성분 측정치를 전송받고, 이 성분 측정치와 이미 설정된 설정치를 비교하여 상기 제1 및 제2 조절밸브의 개폐를 제어하는 콘트롤러를 포함하여 상기 웨이퍼의 세정에 사용된 세정액을 회수한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a cleaning tank in which a cleaning process for a chemical-treated wafer is performed; a cleaning liquid supply line for supplying a cleaning liquid to the cleaning tank; and a cleaning liquid discharge line for draining the cleaning liquid drained from the cleaning tank A cleaning apparatus comprising: a cleaning liquid waste water line for draining a cleaning liquid drained from the cleaning tank; a first control valve provided on the cleaning liquid waste water line for opening and closing the cleaning liquid waste water line; A second control valve provided on the cleaning liquid collection line for opening and closing the cleaning liquid collection line, and a second control valve provided in the cleaning tank to measure a component of the cleaning liquid used in the cleaning process, And a second control valve connected between the first and second control valve and the sensor, Receiving a transmission fluid component measurement, and compares the already established set value with the measured value components, including a controller which controls the opening and closing of the first and second control valve to recover the cleaning liquid used for the cleaning of the wafer.
이 장치에 있어서, 상기 센서는 전도도측정센서, TOC레벨측정센서, 그리고 순도측정센서 중, 어느 하나를 사용한다.In this apparatus, the sensor uses any one of a conductivity measurement sensor, a TOC level measurement sensor, and a purity measurement sensor.
이 장치에 있어서, 상기 세정조는 1차 세정조이다.In this apparatus, the cleaning tank is a primary cleaning tank.
이 장치에 있어서, 상기 제1 및 제2 조절밸브는 공압밸브이다.In this apparatus, the first and second control valves are pneumatic valves.
본 발명에 의하면, 세정조에서 사용된 세정액을 분류하기 위한 측정치를 센서로 얻을 수 있다. 그리고 세정액을 분리하기 위한 기준이 순도 또는 전도도 그리고 TOC레벨 등 다양하므로 정확한 분리가 가능하다.According to the present invention, a measurement value for sorting the cleaning liquid used in the cleaning tank can be obtained by a sensor. And since the standard for separating the cleaning liquid is purity, conductivity and TOC level, it can be separated accurately.
또한, 본 발명에 의하면, 자동조절밸브가 회수라인 및 폐수라인에 부착되어 자유로운 콘트롤이 가능하다.Further, according to the present invention, the automatic regulating valve is attached to the recovery line and the waste water line, and the control can be freely performed.
[실시예][Example]
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면 도 2 및 3에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.
도 2를 참고하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 세정장치는, 세정액의 전도도를 측정하는 센서(30, 32)와 콘트롤러(34) 그리고 세정액을 배수 처리하는 폐수라인(36)과 제1 조절밸브(38) 및 세정액을 회수하는 회수라인(40)과 제2 조절밸브(42)를 포함하고 있다.2, the semiconductor cleaning apparatus according to the preferred embodiment of the present invention includes sensors 30 and 32 for measuring the conductivity of a cleaning liquid, a controller 34, a wastewater line 36 for draining a cleaning liquid, A regulating valve 38 and a recovery line 40 for recovering the cleaning liquid and a second regulating valve 42.
이러한 장치에 의해서, 화학약품 처리된 웨이퍼의 세정공정에 사용된 세정액을 회수하여 재사용할 수 있다.With this apparatus, the cleaning liquid used in the cleaning process of the chemical-treated wafer can be recovered and reused.
도 2에 있어서, 도 1에 도시된 반도체 세정장치의 구성 요소와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.In Fig. 2, the same reference numerals are used for components that perform the same functions as those of the semiconductor cleaning apparatus shown in Fig.
도 2는 본 발명의 실시에에 따른 반도체 세정 장치의 구성을 보여주고 있다.2 shows a structure of a semiconductor cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정장치는, 약품처리된 웨이퍼의 세정공정이 수행되는 세정조(12)와, 상기 세정조(12)에 세정액을 공급하는 세정액공급라인(20)과,상기 세정조(12)로부터 배수된 세정액을 배수하는 세정액폐수라인(36)과, 상기 세정액폐수라인(36)상에 설치되어 상기 세정액폐수라인(36)을 개폐시키는 제1 조절밸브(38)와, 상기 세정액폐수라인(36)으로부터 분기되어 상기 세정조(12)로부터 배수된 세정액을 회수하는 세정회수라인(40)과, 상기 세정액회수라인(40)상에 설치되어 상기 세정액회수라인(40)을 개폐시키는 제2 조절밸브(42)와, 상기 세정조(12)내에 설치되어 세정공정에 사용된 세정액의 성분을 측정하는 센서(30, 32)와 상기 제1 및 제2 조절밸브(38, 42)와 상기 센서(30, 32)의 사이에 연결되어 상기 센서(30, 32)로부터 세정액 성분 측정치를 전송받고, 이 성분 측정치와 이미 설정된 설정치를 비교하여 상기 제1 및 제2 조절밸브(38, 42)의 개폐를 제어하는 콘트롤러(34)를 포함하여 상기 웨이퍼의 세정에 사용된 세정액을 회수하는 것을 갖는다.Referring to FIG. 2, the semiconductor cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention includes a cleaning tank 12 for cleaning a chemical-treated wafer, a cleaning liquid supply line (not shown) for supplying a cleaning liquid to the cleaning tank 12 And a second control valve provided on the cleaning liquid waste water line to open and close the cleaning liquid waste water line, wherein the cleaning liquid waste water line is provided in the cleaning liquid tank, (40) for collecting the cleaning liquid branched from the cleaning liquid waste line (36) and drained from the cleaning tank (12), a cleaning liquid supply line (40) provided on the cleaning liquid recovery line (40) A second control valve (42) for opening and closing the line (40), sensors (30, 32) provided in the cleaning tank (12) for measuring the components of the cleaning liquid used in the cleaning process, (38, 42) and the sensor (30, 32), and the sensor (30, 32) And a controller (34) for controlling the opening and closing of the first and second control valves (38, 42) by comparing the measured value of the component with a predetermined set value, so that the cleaning liquid used for cleaning the wafer Recovery.
상술한 바와 같은 구성을 갖는, 반도체 세정장치의 동작은 다음과 같다.The operation of the semiconductor cleaning apparatus having the above-described configuration is as follows.
반도체 웨이퍼가 상기 약품조(10)에서 화학처리를 끝내고, 상기 1차 세정조(12)로 이동되었을 때, 세정액공급라인(20)에서 세정액이 상기 1차 세정조(12)의 밑으로부터 위 방향으로 분사되어 웨이퍼를 세정하게 된다.When the semiconductor wafer finishes the chemical treatment in the chemical tank 10 and moves to the primary cleaning tank 12, the cleaning liquid in the cleaning liquid supply line 20 flows upward from the bottom of the primary cleaning tank 12 So that the wafer is cleaned.
그리고 상기 전도도센서(30, 32)는 웨이퍼를 세정하고 흐르는 세정액의 전도도를 측정한다. 상기 측정된 전도도는 상기 콘트롤러(34)에 상기 전도도센서(30, 32)로부터 전달되고, 상기 콘트롤러(34)는 상기 전도도센서(30, 32)로부터 받은 전도도값을 세정액 분리기준과 비교하고, 상기 전도도의 값이 회수 대상이면, 상기 콘트롤러(34)는 상기 제2 조절밸브(42)를 열도록 제어하여, 세정액을 상기 세정액회수라인(40)을 통하여 회수되도록 하고, 상기 전도도의 값이 폐수 대상이면,상기 콘트롤러(34)는 상기 제1 조절밸브(38)를 열도록 제어하여, 세정액을 상기 세정액폐수라인(36)을 통하여 폐수되도록 한다.The conductivity sensors 30 and 32 clean the wafer and measure the conductivity of the flowing cleaning liquid. The measured conductivity is transmitted to the controller 34 from the conductivity sensors 30 and 32. The controller 34 compares the conductivity values received from the conductivity sensors 30 and 32 with a cleaning liquid separation criterion, The controller 34 controls the second control valve 42 to open to allow the cleaning liquid to be recovered through the cleaning liquid recovery line 40. When the value of the conductivity is greater than the value of the conductivity of the waste water, , The controller 34 controls the first control valve 38 to open so that the cleaning liquid is discharged through the cleaning liquid waste line 36. [
상기에서 분류기준으로 사용한 세정액의 전도도는, 세정액을 재사용할 수 있는 600㎲이하이다. 상기와 같은 기준치를 세우기 위하여, 도 3와 같이, 1차 세정조에 대하여 세로변에 전도도를 가로변에는 시간을 나타내어, 시간에 따른 전도도의 변화를 그래프로 나타내었다. 3종류의 각각 다른 세정액을 예로하여 측정한 그래프인 도 3에서 세정액은 참조번호 50a, 50b, 50c로 도시된 바와 같이 각각 다른 세정액의 전도도 관리 기준인 600㎲이하로 됨을 알 수 있다.The conductivity of the cleaning liquid used as a classification standard in the above is 600 占 퐏 or less which allows the cleaning liquid to be reused. In order to establish the above-mentioned reference value, as shown in FIG. 3, the conductivity is plotted on the longitudinal side with respect to the primary cleaning bath, and the change in the conductivity with time is shown in a graph. As shown in FIG. 3, which is a graph obtained by measuring three kinds of different cleaning liquids, the cleaning liquids are shown as reference numbers 50a, 50b, and 50c.
세정시 세정액의 전도도 관리 기준은 600㎲이하이어야 한다. 그러므로 제3 도의 그래프에서와 같이 시간 및 전도도를 검출하여, 세정액을 분류할 수 있다. 이때 전도도 외에도 세정액의 순도, TOC(total organic carbon level) 레벨 등을 분리기준으로 사용한다.The conductivity control standard for the cleaning liquid during cleaning is to be not more than 600 μs. Therefore, the time and conductivity can be detected as in the graph of FIG. 3, and the cleaning liquid can be classified. In addition to the conductivity, the purity of the cleaning liquid and the total organic carbon level (TOC) level are used as separation criteria.
종래의 반도체 세정장치에 의하면, 1차 세정액을 재사용하지 못하고 폐수 처리하였던 것을, 본 발명은, 자동검출장치와 분류 기준값에의한 제어장치 및 세정액의 자동분류장치를 사용하여 1차 세정액을 회수하여 사용할 수 있게 한다.According to the conventional semiconductor cleaning apparatus, the primary cleaning liquid can not be reused and wastewater is treated. In the present invention, the primary cleaning liquid is recovered by using the automatic detecting apparatus, the control apparatus based on the classification reference value, Make it available.
따라서 화학물질을 포함한 폐수의 감소, 세정액의 재 사용 등으로 비용감소의 효과를 거둘 수 있다.Therefore, it is possible to reduce the cost by reducing the wastewater containing chemicals and reusing the cleaning liquid.
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| KR980011987A true KR980011987A (en) | 1998-04-30 |
| KR100203398B1 KR100203398B1 (en) | 1999-06-15 |
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|---|---|---|---|
| KR1019960028236A KR100203398B1 (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | A cleaning apparatus of a semiconductor device |
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100520238B1 (en) * | 1999-01-14 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | wafer rinsing apparatus |
| KR100623174B1 (en) * | 1998-07-10 | 2006-12-04 | 삼성전자주식회사 | Chemical Recirculation Device for Semiconductor Device Manufacturing |
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-
1996
- 1996-07-12 KR KR1019960028236A patent/KR100203398B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100623174B1 (en) * | 1998-07-10 | 2006-12-04 | 삼성전자주식회사 | Chemical Recirculation Device for Semiconductor Device Manufacturing |
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| Publication number | Publication date |
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| KR100203398B1 (en) | 1999-06-15 |
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