KR100190279B1 - Chemical supplying apparatus for preventing overflow and method therefor - Google Patents
Chemical supplying apparatus for preventing overflow and method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- KR100190279B1 KR100190279B1 KR1019960017853A KR19960017853A KR100190279B1 KR 100190279 B1 KR100190279 B1 KR 100190279B1 KR 1019960017853 A KR1019960017853 A KR 1019960017853A KR 19960017853 A KR19960017853 A KR 19960017853A KR 100190279 B1 KR100190279 B1 KR 100190279B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical
- intermediate tank
- tank
- level
- overdrain
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Abstract
본 발명은 중간 탱크의 상측부에 연결된 오버 플로우 라인에 감지부를 설치하여 중간 탱크에 기 설치된 레벨 감지 센서의 오동작으로 인하여 중간 탱크의 케미컬이 오버 플로우하여 오버 드레인 라인으로 흐르는 것을 감지함으로써 저장 탱크로부터 중간 탱크로 케미컬이 계속 공급되는 것을 차단한다.The present invention provides a sensing unit in an overflow line connected to an upper portion of an intermediate tank, and detects that the chemical in the intermediate tank overflows and flows to the overdrain line due to a malfunction of a level sensor installed in the intermediate tank. Shut off chemical supply to the tank.
따라서, 중간 탱크의 신선한 케미컬이 오버 드레인 라인으로 흘러 버려 지는 것이 방지되어 케미컬의 낭비가 줄어 원가 절감이 된다. 또한, 강산과 같은 케미컬이 오버 드레인 라인으로 흐르지 않게 되어 설비 부식과 환경 오염이 예방된다.Therefore, the fresh chemical of the intermediate tank is prevented from flowing to the overdrain line, reducing the waste of the chemical and reducing the cost. In addition, chemicals such as strong acids do not flow into the overdrain line, preventing plant corrosion and environmental pollution.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 케미컬 공급 장치를 나타낸 구성도.1 is a block diagram showing a chemical supply apparatus according to the prior art.
제2도는 본 발명에 의한 오버 플로우를 방지하기 위한 케미컬 공급 장치를 나타낸 구성도.2 is a block diagram showing a chemical supply apparatus for preventing an overflow according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 에어 밸브 3 : 중간 탱크1: air valve 3: intermediate tank
5 : 레벨 감지 센서 7 : 오버 드레인 라인(over drain line)5 level detection sensor 7 over drain line
9 : 밸브 15 : 감지부9 valve 15 detection unit
본 발명은 케미컬 공급 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 케미컬 배스(bath)에 공급될 케미컬이 중간 탱크에 일시적으로 저장되는 동안 상기 중간 탱크를 오버 플로우하여 오버 드레인 라인으로 배출되지 않도록한 오버 플로우를 방지하기 위한 케미컬 공급 장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical supply device, and more particularly to an overflow that prevents the intermediate tank from overflowing the overdrain line while the chemical to be supplied to the chemical bath is temporarily stored in the intermediate tank. A chemical supply device for preventing and a method thereof.
일반적으로 반도체 장치의 제조 공정중 하나인 에칭 공정은 패턴닝과 관련하여 반도체 영역을 형성하기 위해 이온 주입 또는 확산이 실시된 보호막에 개구부들을 형성하는데 사용된다. 그리고, 에칭과 패턴닝 공정들은 하나 이상의 금속 배선들을 형성하는데 사용된다.In general, an etching process, which is one of the manufacturing processes of a semiconductor device, is used to form openings in a protective film subjected to ion implantation or diffusion to form a semiconductor region in connection with patterning. And etching and patterning processes are used to form one or more metal wires.
상기 에칭 공정은 습식 케미컬을 이용하는 습식 방식과 가스를 이용하는 건식 방식으로 크게 구분되고, 건식 방식에는 플라즈마 에칭과 이온 빔 에칭 및 반응성 이온 에칭 등이 있으며 습식 방식에는 이멀션(immersion) 에칭과 분사(spray) 에칭이 있다.The etching process is roughly divided into a wet method using a wet chemical and a dry method using a gas, and the dry method includes plasma etching, ion beam etching, and reactive ion etching, and the wet method includes immersion etching and spraying. ) There is etching.
상기 이멀션 에칭에서는 소정의 층이 증착된 웨이퍼들이 케미컬 배스의 습식 케미컬에 일정한 시간 동안 담겨져 있는 동안 상기 소정의 층들이 일정한 두께로 에칭된다.In the emulsion etching, the predetermined layers are etched to a constant thickness while the wafers on which the predetermined layers are deposited are immersed in the wet chemical of the chemical bath for a predetermined time.
상기 케미컬은 중칸 탱크에 일시적으로 저장된 후 상기 케미컬 배스로 공급되는데, 상기 중간 탱크내의 케미컬 레벨을 일정한 레벨로 유지하기 위해 상기 케미컬이 레벨 감지 센서에 의해 중간 탱크내로 공급되거나 차단된다.The chemical is temporarily stored in the tank tank and then supplied to the chemical bath, whereby the chemical is fed into the intermediate tank or blocked by a level sensor to maintain the chemical level in the intermediate tank at a constant level.
제1도는 종래 기술에 의한 케미컬 공급 장치를 나타낸 구성도이다.1 is a configuration diagram showing a chemical supply apparatus according to the prior art.
종래의 케미컬 공급 장치는 저장 탱크(도시 안됨)의 케미컬이 관에 설치된 에어 밸브(1)를 거쳐 중간 탱크(3)에 일시적으로 저장된 후 중간 탱크(3)의 하측부에 연결된 관을 통하여 케미컬 배스(도시 안됨)에 공급되고, 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 레벨 감지 센서(5)에 의해 감지되고, 중간 탱크(3)내에 일정한 레벨 이상으로 공급된 케미컬이 중간 탱크(3)의 상측부에 연결된 오버 드레인 라인(7)을 통하여 흐르는 구조로 이루어져 있다.The conventional chemical supply device is a chemical bath through a tube connected to the lower part of the intermediate tank 3 after the chemical of the storage tank (not shown) is temporarily stored in the intermediate tank 3 via an air valve 1 installed in the tube. (Not shown), the chemical level in the intermediate tank 3 is sensed by the level sensor 5, and the chemical supplied in the intermediate tank 3 above a certain level is supplied to the upper side of the intermediate tank 3 It consists of a structure flowing through the over-drain line (7) connected to.
여기서, 레벨 감지 센서(5)는 질소 압력을 이용하는 압력 센서로서, 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨을 하이(high), 정상(normal), 로우(low)의 3레벨로 각각 감지하는 센서들(5a), (5b), (5c)로 구성된다.Here, the level sensor 5 is a pressure sensor using nitrogen pressure, and the sensors for sensing the chemical level in the intermediate tank 3 at three levels of high, normal and low, respectively ( It consists of 5a), (5b), and (5c).
이와 같이 구성되는 종래의 케미컬 공급 장치의 작용을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation of the conventional chemical supply device is configured as follows.
먼저, 제어부(도시 안됨)에 의해 에어 밸브(1)에 해당하는 솔레노이드 밸브가 온되면, 저장 탱크(도시 안됨)의 케미컬이 에어 밸브(1)가 개방되어 상기 케미컬이 저장 탱크로부터 중간 탱크(3)로 공급되기 시작한다.First, when the solenoid valve corresponding to the air valve 1 is turned on by the control unit (not shown), the chemical of the storage tank (not shown) is opened by the air valve 1 so that the chemical is removed from the storage tank. Will be supplied.
상기 케미컬의 레벨이 상승하여 정상 레벨에 도달한 후 하이 레벨에 도달하면, 레벨 감지 센서(5)의 센서(5c)가 이를 감지하고 상기 에어 밸브(1)를 오프시키기 위한 신호를 상기 제어부에 출력하게 된다. 이에 따라, 에어 밸브(1)가 폐쇄되어 중간 탱크(3)로 상기 케미컬을 공급하는 것이 차단된다.When the level of the chemical rises to reach a normal level and reaches a high level, the sensor 5c of the level sensor 5 detects this and outputs a signal to the controller to turn off the air valve 1. Done. As a result, the air valve 1 is closed to block the supply of the chemical to the intermediate tank 3.
이후, 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼들을 처리하는 케미컬 배스(도시 안됨)에 케미컬을 공급하기 위해 밸브(9)가 개방되면, 중간 탱크(3)내의 케미컬이 상기 케미컬 배스로 공급되어 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 낮아진다.Then, when the valve 9 is opened to supply chemical to a chemical bath (not shown) for processing wafers for manufacturing a semiconductor device, the chemical in the intermediate tank 3 is supplied to the chemical bath to supply the intermediate tank 3. The chemical level in the lowers.
한편, 상기 케미컬 배스에서의 처리 작업이 반복적으로 진행됨에 따라 케미컬 배스내의 케미컬이 오염되므로 케미컬 배스내의 케미컬이 배출되고 중간 탱크(3)내의 케미컬이 새로운 케미컬로서 케미컬 배스에 공급된다.On the other hand, as the treatment in the chemical bath is repeatedly performed, the chemical in the chemical bath is contaminated, so that the chemical in the chemical bath is discharged, and the chemical in the intermediate tank 3 is supplied to the chemical bath as a new chemical.
이와 같은 과정이 반복됨에 따라 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 미리 정해진 로우 레벨 이하로 낮아지면, 레벨 감지 센서(5)의 센서(5a)가 이를 감지하고 상기 에어 밸브(1)를 개방시키기 위한 신호를 상기 제어부에 출력하게 된다. 이에 따라, 에어 밸브(1)가 개방되어 상기 저장 탱크의 케미컬이 중간 탱크(3)로 또 다시 공급되면, 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 일정한 범위내에서 유지된다.As this process is repeated, if the chemical level in the intermediate tank 3 is lowered below a predetermined low level, the sensor 5a of the level sensing sensor 5 detects this and opens the air valve 1. The signal is output to the controller. Thus, when the air valve 1 is opened and the chemical of the storage tank is supplied to the intermediate tank 3 again, the chemical level in the intermediate tank 3 is maintained within a certain range.
그러나, 종래의 케미컬 공급 장치가 장시간 사용되는 동안 레벨 감지 센서(3)가 케미컬의 흄(hume)에 의해 부식되어 오동작하게 되는 경우가 자주 발생한다. 즉, 질소가 레벨 감지 센서(5)의 센서들(5a), (5b), (5c)에 공급되지 않으면, 상기 흄이 각각의 관들 (5d), (5e), (5f)을 통하여 센서들 (5a), (5b), (5c)의 본체에 직접 접촉하여 부식시킨다.However, while the conventional chemical supply apparatus is used for a long time, the level sensor 3 often becomes corroded by chemical hume and malfunctions. In other words, if nitrogen is not supplied to the sensors 5a, 5b, 5c of the level sensor 5, the fume is passed through the respective tubes 5d, 5e, 5f. Corrosion is brought into direct contact with the bodies of (5a), (5b) and (5c).
상기 레벨 감지 센서(5)가 정상적으로 동작하지 않게 되면, 중간 탱크(3)에 공급되는 케미컬이 미리 정해진 하이 레벨 이상으로 상승하여도 레벨 감지 센서(5)가 이를 감지하지 못하여 상기 케미컬이 계속하여 중간 탱크(3)로 공급된다. 이에 따라, 중간 탱크(3)내의 케미컬이 오버 드레인 라인(7)을 통하여 계속 흐르게 된다.When the level sensor 5 does not operate normally, even if the chemical supplied to the intermediate tank 3 rises above a predetermined high level, the level sensor 5 does not detect this, and thus the chemical continues in the middle. It is supplied to the tank (3). As a result, the chemical in the intermediate tank 3 continues to flow through the over drain line 7.
이렇게 다량의 신선한 케미컬이 아무런 처리 과정을 거치지 않고 오버 드레인 라인으로 흐르게 되는 경우, 케미컬의 낭비가 심하게 되고, 케미컬의 낭비에 따른 환경 오염 방지를 위해 폐수 처리 용량이 증가하게 되어 원가 상승의 문제점이 있었다.When a large amount of fresh chemical flows to the overdrain line without any treatment, the waste of chemical is severe and the waste water treatment capacity is increased to prevent the environmental pollution caused by the waste of the chemical. .
그리고, 상기 케미컬이 황산 또는 염산과 같은 강산이면, 주변의 설비가 부식되어 수명 단축되는 문제점이 있었다.In addition, if the chemical is a strong acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, there is a problem in that the surrounding equipment is corroded to shorten the life.
따라서, 본 발명의 목적은 레벨 감지 센서의 오동작으로 인하여 케미컬이 중간 탱크를 넘쳐 오버 드레인 라인으로 흐르는 것을 감지하여 이를 방지하도록 한 케미컬 공급 장치 및 그 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a chemical supply device and a method for detecting and preventing the chemical flowing over the intermediate tank to the over drain line due to the malfunction of the level sensor.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 중간 탱크에 연결된 오버 드레인 라인에 정전 용량 센서를 설치하여 중간 탱크내의 케미컬의 레벨을 감지하는 레벨 감지 센서가 오동작하더라도 케미컬이 중간 탱크로부터 오버 드레인 라인으로 흐를 때 상기 중간 탱크에 케미컬이 계속 공급되는 것을 차단하며 경보 장치를 구동시켜 이를 작업자에게 알려주는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a capacitive sensor installed in an overdrain line connected to an intermediate tank, when the chemical flows from the intermediate tank to the overdrain line even if a level detection sensor malfunctioning. It is characterized by blocking the chemical supply to the intermediate tank and driving the alarm device to inform the worker.
이하, 본 발명에 의한 오버 플로우 방지를 위한 케미컬 공급 장치 및 그 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일한 부분에는 동일한 부호가 부여되도록 한다.Hereinafter, a chemical supply apparatus and a method for overflow prevention according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are given to the same parts as the conventional parts.
제2도는 본 발명에 의한 케미컬 공급 장치를 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram showing a chemical supply apparatus according to the present invention.
본 발명의 케미컬 공급 장치는 중간 탱크(3)의 케미컬이 오버 드레인 라인(7)으로 흐르는 것을 감지하기 위해 감지부(15)가 오버 드레인 라인(7)에 설치되는 것을 제외하면 제 1 도의 구조와 동일한 구조로 이루어져 있다.The chemical supply apparatus of the present invention has the structure of FIG. 1 except that the sensing unit 15 is installed in the overdrain line 7 so as to sense that the chemical of the intermediate tank 3 flows to the overdrain line 7. It consists of the same structure.
여기서, 감지부(15)는 정전 용량 센서 또는 광 센서 등이다.Here, the sensing unit 15 is a capacitive sensor or an optical sensor.
이와 같이 구성되는 본 발명의 오버 플로우 방지를 위한 케미컬 공급 장치의 케미컬 공급 방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the chemical supply method of the chemical supply device for preventing the overflow of the present invention configured as described above are as follows.
먼저, 제어부(도시 안됨)에 의해 에어 밸브(1)에 해당하는 솔레노이드 밸브가 온되면, 저장 탱크(도시안됨)의 케미컬이 에어 밸브(1)가 개방되어 상기 케미컬이 상기 저장 탱크로부터 중간 탱크(3)로 공급되기 시작한다.First, when the solenoid valve corresponding to the air valve 1 is turned on by the controller (not shown), the chemical of the storage tank (not shown) is opened by the air valve 1 so that the chemical is removed from the storage tank. 3) begin to supply.
중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 상승하여 정상 레벨에 도달한 후 하이레벨에 도달하면, 레벨 감지 센서(5)의 센서(5c)가 이를 감지하고 상기 에어 밸브(1)를 오프시키기 위한 신호를 상기 제어부에 출력하게 된다. 이에 따라, 에어 밸브(1)가 폐쇄되어 중간 탱크(3)로 상기 케미컬을 공급하는 것이 차단된다.When the chemical level in the intermediate tank 3 rises to reach the normal level and reaches the high level, the sensor 5c of the level sensor 5 detects this and signals a signal for turning off the air valve 1. Output to the controller. As a result, the air valve 1 is closed to block the supply of the chemical to the intermediate tank 3.
이후, 반도체 소자클 제조하기 한 웨이퍼들을 처리하는 케미컬 배스 (도시 안됨)에 케미컬을 공급하기 위해 밸브(9)가 개방되면, 중간 탱크(3)내의 케미컬이 상기 케미컬 배스로 공급되어 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 낮아진다.Subsequently, when the valve 9 is opened to supply chemical to a chemical bath (not shown) for processing wafers for manufacturing a semiconductor element, the chemical in the intermediate tank 3 is supplied to the chemical bath to supply the intermediate tank 3. The chemical level in the lowers.
한편, 상기 케미컬 배스에서의 처리 작업이 반복적으로 진행됨에 따라 케미컬 배스내의 케미컬이 오염됨으로 케미컬 배스내의 케미컬이 배출되고 중간 탱크(3)내의 케미컬이 새로운 케미컬로서 케미컬 배스에 공급된다.On the other hand, as the treatment operation in the chemical bath is repeatedly performed, the chemical in the chemical bath is contaminated, so that the chemical in the chemical bath is discharged, and the chemical in the intermediate tank 3 is supplied to the chemical bath as a new chemical.
이와 같은 과정이 반복됨에 따라 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 미리 정해진 로우 레벨 이하로 낮아지면, 레벨 감지 센서(5)의 센서(5a)가 이를 감지하고 상기 에어 밸브(1)를 개방시키기 위한 신호를 제어부에 출력하게 된다. 이에 따라, 에어 밸브(1)가 개방되어 상기 저장 탱크의 케미컬이 중간 탱크(3)로 또 다시 공급되면, 중간 탱크(3)내의 케미컬 레벨이 일정한 범위내에서 유지된다.As this process is repeated, if the chemical level in the intermediate tank 3 is lowered below a predetermined low level, the sensor 5a of the level sensing sensor 5 detects this and opens the air valve 1. The signal is output to the controller. Thus, when the air valve 1 is opened and the chemical of the storage tank is supplied to the intermediate tank 3 again, the chemical level in the intermediate tank 3 is maintained within a certain range.
하지만, 본 발명의 케미컬 공급 장치가 장시간 사용되는 동안 레벨 감지 센서(3)가 케미컬의 흄(hume)에 의해 부식되어 오동작하게 되는 경우가 자주 발생한다. 즉, 질소가 레벨 감지 센서(5)의 센서들(5a), (5b), (5c)에 공급되지 않으면, 상기 흄이 각각의 관들 (5d), (5e), (5f)을 통하여 센서들 (5a), (5b), (5c)의 본체에 직접 접촉하여 부식시킨다.However, while the chemical supply device of the present invention is used for a long time, the level sensor 3 often becomes corroded by the hume of the chemical and malfunctions. In other words, if nitrogen is not supplied to the sensors 5a, 5b, 5c of the level sensor 5, the fume is passed through the respective tubes 5d, 5e, 5f. Corrosion is brought into direct contact with the bodies of (5a), (5b) and (5c).
상기 레벨 감지 센서(5)가 정상적으로 동작하지 않게 되면, 중간 탱크(3)에 공급되는 케미컬이 미리 정해진 하이 레벨 이상으로 상승하여도 레벨 감지 센서(5)가 이를 감지하지 못하여 상기 케미컬이 계속하여 중간 탱크(3)로 공급된다. 이에 따라, 중간 탱크(3)내의 케미컬이 오버 드레인 라인 (7)을 통하여 계속 흐르게 된다.When the level sensor 5 does not operate normally, even if the chemical supplied to the intermediate tank 3 rises above a predetermined high level, the level sensor 5 does not detect this, and thus the chemical continues in the middle. It is supplied to the tank (3). As a result, the chemical in the intermediate tank 3 continues to flow through the over drain line 7.
이때, 감지부(15)의 센서는 광센서 또는 정전 용량 센서 등을 이용하는 것으로서, 정전 용량 센서를 이용하는 경우, 오버 드레인 라인(7)을 통하여 흐르는 케미컬로 인한 정전 용량의 변화를 감지하고 이에 해당하는 신호를 제어부에 전송한다.In this case, the sensor of the sensing unit 15 uses an optical sensor or a capacitive sensor. When the capacitive sensor is used, the sensor 15 detects a change in capacitance due to the chemical flowing through the overdrain line 7 and corresponds to the sensor. Send a signal to the controller.
이를 좀 더 상세히 언급하면, 감지부(15)의 정전 용량 센서는 오버 드레인 라인(7)을 통하여 흐르는 케미컬이 없을 때 오버 드레인 라인(7)내의 공기에 해당하는 정전 용량만을 감지하게 되고, 오버 드레인 라인(7)을 흐르는 케미컬이 있을 때 오버 드레인 라인(7)내의 공기와 케미컬에 해당하는 각각의 정전 용량의 합을 감지하게 된다. 따라서, 정전 용량의 변화에 의해 오버 드레인 라인(7)을 통하여 흐르는 케미컬의 유무가 용이하게 감지된다.In more detail, the capacitive sensor of the sensing unit 15 detects only the capacitance corresponding to the air in the overdrain line 7 when there is no chemical flowing through the overdrain line 7, and the overdrain When there is a chemical flowing through the line 7, the sum of the air in the overdrain line 7 and the respective capacitance corresponding to the chemical is sensed. Therefore, the presence or absence of the chemical flowing through the over-drain line 7 is easily detected by the change of the capacitance.
이에 따라, 에어 밸브(1)가 폐쇄되어 저장 탱크의 케미컬이 중간 탱크(3)로 더 이상 공급되지 않는다. 이와 동시에, 경보 장치(도시 안됨)가 작동 되어 경보 램프가 온되거나 경보음이 발생한다.As a result, the air valve 1 is closed so that the chemical of the storage tank is no longer supplied to the intermediate tank 3. At the same time, an alarm device (not shown) is activated to turn on the alarm lamp or generate an alarm sound.
그러면, 작업자는 레벨 감지 센서의 오동작에 의한 케미컬이 오버 드레인 라인으로 흐르는 것을 인식하고 레벨 감지 센서의 정비를 신속히 착수 할 수 있다.Then, the operator can recognize that the chemical caused by the malfunction of the level sensor flows to the overdrain line and can quickly start the maintenance of the level sensor.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 중간 탱크의 상측부에 연결된 오버 플로우 라인에 감지부를 설치하여 중간 탱크에 기 설치된 레벨 감지 센서의 오동작으로 인하여 중간 탱크의 케미컬이 오버 플로우하여 오버 드레인 라인으로 흐르는 것을 감지함으로써 저장 탱크로부터 중간 탱크로 케미컬이 계속 공급되는 것을 차단한다.As described above, the present invention is installed in the overflow line connected to the upper portion of the intermediate tank by the malfunction of the level sensor installed in the intermediate tank due to the chemicals of the intermediate tank overflows to flow to the over drain line Sensing prevents the continuous supply of chemicals from the storage tank to the intermediate tank.
따라서, 중간 탱크의 신선한 케미컬이 오버 드레인 라인으로 흘러 버려 지는 것이 방치되어 케미컬의 낭비가 줄어 원가 절감이 된다. 또한, 강산과 같은 케미컬이 오버 드레인 라인으로 흐르지 않게 되어 설비 부식과 환경 오염이 예방된다.Therefore, the fresh chemical in the intermediate tank is left to flow over the over-drain line, thereby reducing the waste of the chemical and reducing the cost. In addition, chemicals such as strong acids do not flow into the overdrain line, preventing plant corrosion and environmental pollution.
한편, 본 발명은 에칭용 중간 탱크 또는 세정용 중간 탱크에 모두 적용 될 수 있고, 또한 상기 감지부가 정전 용량 센서 대신에 오버 드레인 라인을 통하여 흐르는 케미컬의 유무를 감지할 수 있는 여러 가지의 센서들도 가능함은 당 분야에 통상의 지식을 가진자에게는 당연하다 할 것이다.Meanwhile, the present invention may be applied to both an intermediate tank for etching or a cleaning intermediate tank, and also various sensors capable of detecting the presence or absence of chemical flowing through the overdrain line instead of the capacitive sensor. The possibilities will be obvious to those of ordinary skill in the art.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960017853A KR100190279B1 (en) | 1996-05-25 | 1996-05-25 | Chemical supplying apparatus for preventing overflow and method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960017853A KR100190279B1 (en) | 1996-05-25 | 1996-05-25 | Chemical supplying apparatus for preventing overflow and method therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970074601A KR970074601A (en) | 1997-12-10 |
| KR100190279B1 true KR100190279B1 (en) | 1999-06-01 |
Family
ID=19459744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960017853A KR100190279B1 (en) | 1996-05-25 | 1996-05-25 | Chemical supplying apparatus for preventing overflow and method therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100190279B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103057871A (en) * | 2012-12-19 | 2013-04-24 | 朱利辉 | Liquid storage tank capable of stabilizing liquid output flow |
-
1996
- 1996-05-25 KR KR1019960017853A patent/KR100190279B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103057871A (en) * | 2012-12-19 | 2013-04-24 | 朱利辉 | Liquid storage tank capable of stabilizing liquid output flow |
| CN103057871B (en) * | 2012-12-19 | 2018-04-20 | 上海滢致节能电器有限公司 | A kind of liquid reserve tank of stable liquid output flow |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970074601A (en) | 1997-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20070057029A (en) | Apparatus for detecting liquid level and liquid processing apparatus including the same | |
| US5792237A (en) | Method and apparatus for eliminating trapped air from a liquid flow | |
| US20050263184A1 (en) | System and method for supplying chemicals | |
| KR100190279B1 (en) | Chemical supplying apparatus for preventing overflow and method therefor | |
| JPH0338827A (en) | Cleaning apparatus for semiconductor wafer | |
| KR100598914B1 (en) | System and method for recycling chemical, and apparatus for treating a substrate using the system | |
| KR100203398B1 (en) | A cleaning apparatus of a semiconductor device | |
| KR200204391Y1 (en) | Apparatus for processing overfilled chemical in a chemical supply system | |
| KR20000051205A (en) | Wet cleaning apparatus | |
| KR100558487B1 (en) | Valve | |
| KR100248152B1 (en) | Wet station | |
| JP4245200B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR0129924Y1 (en) | Etching apparatus of semiconductor process | |
| JP2002253950A (en) | Apparatus for treating substrate | |
| KR200177326Y1 (en) | Apparatus for recovering di water of semiconductor rinse bath | |
| JP2005243814A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2000100684A (en) | Method and device treating substrate | |
| JP2002280350A (en) | Liquid processor | |
| KR100861834B1 (en) | Apparatus for auto cleaning a di-water control system and method thereof | |
| KR100669867B1 (en) | Filtering Device of Photoresist Composition | |
| KR100632044B1 (en) | Apparatus for cleaning a semiconductor wafer and method using the same | |
| KR100653706B1 (en) | Chemical supply apparatus of semiconductor manufacturing equipment | |
| KR20060075857A (en) | Piston drive monitoring device and thereof method in the diw rinse bath | |
| JP2006140183A (en) | Substrate processing apparatus and method of confirming failure of opening and closing control valve | |
| KR100813202B1 (en) | Apparatus for manufacturing flat panel display device and controlling method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20061221 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |