KR100520238B1 - wafer rinsing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 오버플로우(overflow) 방식의 기존 세정조의 하측면에 별도의 배수관을 연통하여 설치하고 그 배수관에 유량 절수 조절용 에어밸브를 추가로 설치한 세정장치를 개시한다.The present invention discloses a washing apparatus in which a separate drain pipe is connected to a lower side of an existing washing tank of an overflow method, and an air valve for adjusting the flow rate water saving is further installed on the drain pipe.
따라서, 본 발명은 웨이퍼가 세정조 내의 순수에 의해 세정시간을 초과하여 정체되는 경우, 세정조의 하측 저면으로부터 상향 공급되는 순수를 차단하고 세정조의 하측면에 추가로 설치된 유량 절수 조절용 에어밸브를 절수상태에서 개방상태로 전환하여 세정조 내에서 순수가 자유 낙하하여 저속으로 배수한다. 그 결과, 웨이퍼에 형성된 금속층이 세정된 후 그 위에 다른 금속층이 적층되더라도 금속층에 보이드 발생과 같은 불량현상을 억제하여 반도체장치의 제품 신뢰성을 향상 가능하다.Therefore, in the present invention, when the wafer is stagnated by the pure water in the cleaning tank for more than the cleaning time, the water flow-saving water control air valve installed on the lower side of the cleaning tank is cut off while the pure water supplied from the lower bottom of the cleaning tank is blocked. After switching to the open state, the pure water falls freely in the washing tank and drains at low speed. As a result, even if the metal layer formed on the wafer is cleaned and then another metal layer is stacked thereon, defects such as void generation in the metal layer can be suppressed to improve product reliability of the semiconductor device.
Description
본 발명은 오버플로우방식의 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 세정조에 세정시간을 초과하여 정체한 웨이퍼에 잔존한 순수를 최소화하여 웨이퍼의 금속층의 손상을 억제하도록 한 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to an overflow type wafer cleaning apparatus, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus which minimizes the pure water remaining in the stagnant wafer in excess of the cleaning time in the cleaning tank so as to suppress damage to the metal layer of the wafer. .
일반적으로 알려진 바와 같이, 웨이퍼에 하층 금속층을 증착하고 나서 하층 금속층의 배선 패턴을 형성하기 위해 사진공정과 건식식각공정 및 애싱(ashing)공정을 실시한다. 이후, 감광막 찌꺼기가 잔존하는 웨이퍼를 감광막 제거용 화학용액이 담겨진 처리조에서 일차적으로 처리하고 나서 순수(deionized water)가 담겨진 세정조에서 웨이퍼를 세정한다.As is generally known, a lower layer metal layer is deposited on a wafer, and then a photo process, a dry etching process, and an ashing process are performed to form a wiring pattern of the lower layer metal layer. Subsequently, the wafer in which the photoresist film residue remains is first treated in a treatment tank containing a photoresist removal chemical solution, and then the wafer is cleaned in a cleaning tank containing deionized water.
웨이퍼의 세정방식으로는 크게 세정용 순수를 세정조의 하측으로부터 공급하여 세정조를 흘러 넘치게하는 오버플로우방식과, 순수를 세정조의 상측으로부터 공급하여 세정조의 하측으로 배수하는 방식 및 웨이퍼에 직접 순수를 분사하는 분사방식 등이 있다.The wafer cleaning method includes an overflow method in which the pure water for cleaning is supplied from the lower side of the cleaning tank to overflow the cleaning tank, the pure water is supplied from the upper side of the cleaning tank for draining to the lower side of the cleaning tank, and the pure water is injected directly to the wafer. Injection method and the like.
종래의 오버플로우방식의 웨이퍼 세정장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 퀄츠 재질로 이루어진 세정조(11)의 상단부 양측으로부터 일정 높이로 이격하여 순수 분사용 분사노즐(13)이 각각 설치되고, 분사노즐(13)에 공통 연결된 순수 공급관(21)에 순수 공급량 측정용 유량계(17), 유량 절수 조절용 에어밸브(AV1), 순수 공급차단용 에어밸브(AV2)가 설치되고, 세정조(11)의 외측 저면 일부에 연통된 순수 공급관(22)에 순수 공급량 측정용 유량계(17), 순수 공급차단용 에어밸브(AV3), 유량 절수조절용 에어밸브(AV4), 순수 공급차단용 에어밸브(AV5)가 설치된다. 또한, 세정조(11)의 외측 저면 다른 일부에 연통된 배수관(23)에 배수용 에어밸브(AV6)가 설치된다. 세정조(11)의 내측 저면에 질소 버블(bubble)을 발생하기 위한 버블발생기(15)가 설치된다. 물론, 세정조(11) 내의 순수에 잔존하는 불소이온(F)을 검출하기 센서(도시 안됨)가 설치되고, 세정조(11) 내에 웨이퍼(1)가 존재하는 지를 검출하기 위한 센서(도시 안됨)가 설치되어 있음은 당연하다.In the conventional overflow type wafer cleaning apparatus, as shown in FIG. 1, pure nozzle jetting nozzles 13 are installed to be spaced apart from both sides of an upper end of a cleaning tub 11 made of quality material at a predetermined height. The pure water supply pipe 21 which is connected to the nozzle 13 in common is provided with a flow meter 17 for measuring the pure water supply amount, an air valve AV1 for adjusting the water flow rate saving, and an air valve AV2 for shutting off the pure water supply. The flow rate meter 17 for measuring the pure water supply amount, the air valve for pure water supply cutoff (AV3), the air flow rate controlling air valve AV4, and the pure water supply cutoff air valve AV5 are connected to the pure water supply pipe 22 connected to a part of the outer bottom. Is installed. In addition, an air drain valve AV6 for drainage is provided in the drain pipe 23 communicated with another part of the outer bottom face of the cleaning tank 11. A bubble generator 15 for generating nitrogen bubbles is installed on the inner bottom of the cleaning tank 11. Of course, a sensor (not shown) for detecting fluorine ions F remaining in the pure water in the cleaning tank 11 is provided, and a sensor (not shown) for detecting whether the wafer 1 is present in the cleaning tank 11. Of course it is installed.
또한, 종래의 오버플로우방식의 최종 웨이퍼 세정용 세정장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 퀄츠 재질로 이루어진 세정조(11)의 외측 저면 일부에 연통된 순수 공급관(24)에 순수 공급량 측정용 유량계(17), 유량 절수조절용 에어밸브(AV7), 순수 공급차단용 에어밸브(AV8)가 설치되고, 세정조(11)의 외측 저면 다른 일부에 연통된 배수관(25)에 배수용 에어밸브(AV9)가 설치된다. 세정조(11) 내의 순수의 비저항을 측정하도록 비저항계(19)가 설치된다.In addition, in the conventional overflow type cleaning apparatus for final wafer cleaning, as shown in FIG. 2, a flow meter for measuring a pure water supply amount to a pure water supply pipe 24 connected to a part of an outer bottom surface of a cleaning tank 11 made of quality material (17), an air valve AV7 for flow rate saving water control and an air valve AV8 for pure water supply cutoff are provided, and the drainage air valve AV9 is connected to the drain pipe 25 connected to another part of the outer bottom face of the cleaning tank 11. ) Is installed. A resistivity meter 19 is provided to measure the resistivity of pure water in the cleaning tank 11.
물론, 세정조(11) 내에 불소이온(F)을 검출하기 센서(도시 안됨)가 설치되고, 세정조(11) 내에 웨이퍼(1)가 존재하는 지를 검출하기 위한 센서(도시 안됨)가 설치되어 있음은 당연하다.Of course, a sensor (not shown) for detecting fluorine ion F is provided in the cleaning tank 11, and a sensor (not shown) for detecting whether the wafer 1 is present in the cleaning tank 11 is provided. Of course it is.
한편, 도 1과 도 2의 유량 절수조절용 에어밸브는 정상상태에서 절수상태로 유지되는데 이는 세정조 내에서 순수가 흐르지 않고 정체하는 경우, 순수에 박테리아가 생성될 가능성이 있으므로 이를 방지하기 위해 미량의 순수가 계속하여 공급된다.On the other hand, the flow rate water saving control air valve of Figures 1 and 2 is maintained in a water saving state from the normal state, which is a small amount of water to prevent this because if there is a possibility that the water generated in the washing tank stagnated without the flow of water Pure water is continuously supplied.
이와 같이 구성된 종래의 오버플로우방식의 세정장치에서는 웨이퍼(1)가 1롯트씩 세정조(11) 내의 순수에 이송암(도시 안됨)에 의해 침수되고 나면, 웨이퍼(1)가 세정조(11) 내에 존재하는지 여부를 감지하는 센서(도시 안됨)가 이를 감지하고 도 1의 순수 공급차단용 에어밸브(AV2),(AV3),(AV5)가 각각 개방된다. 이에 따라, 공급관(21)을 거쳐 분사노즐(13)로 공급된 순수가 세정조(11) 내에 하향 분사하고 아울러 공급관(22)을 거쳐 공급된 순수가 세정조(11)의 내측 저면에서부터 상향 공급되면서 웨이퍼(1)의 세정이 이루어진다.In the conventional overflow cleaning apparatus configured as described above, after the wafers 1 are immersed by the transfer arm (not shown) into the pure water in the cleaning tank 11 one by one, the wafer 1 is cleaned by the cleaning tank 11. A sensor (not shown) that detects whether or not therein is detected therein and the pure water supply shutoff air valves AV2, AV3, and AV5 of FIG. 1 are opened. Accordingly, the pure water supplied to the injection nozzle 13 through the supply pipe 21 is injected downward into the cleaning tank 11 and the pure water supplied through the supply pipe 22 is upwardly supplied from the inner bottom of the cleaning tank 11. The cleaning of the wafer 1 is performed.
이후, 정해진 세정시간이 경과하면, 이송암이 웨이퍼(1)를 세정조(11) 내의 순수로부터 꺼집어낸다.Thereafter, when the predetermined cleaning time has elapsed, the transfer arm takes the wafer 1 out of the pure water in the cleaning tank 11.
그리고 나서, 웨이퍼(1)는 이송장치(도시 안된)에 의해 도 2의 최종 세정장치로 이송되어서 상기 방식과 유사하게 처리된다. 이에 대한 상세한 설명은 설명의 중복을 피하기 위해 생략하기로 한다. Then, the wafer 1 is transferred to the final cleaning apparatus of FIG. 2 by a transfer device (not shown) and processed similarly to the above manner. Detailed description thereof will be omitted in order to avoid duplication of description.
그런데, 웨이퍼가 세정조에서 세정시간을 초과하여 정체하는 경우가 발생하면, 웨이퍼의 표면에 순수가 잔존하고 이는 금속 이온화현상을 일으켜 금속층의 부식을 유발한다. 이로 말미암아, 후속공정에서 상기 부식된 금속층 상에 비아홀을 거쳐 금속층을 적층할 때 보이드(void)가 발생하여 콘택특성이 불량하게 된다.However, if the wafer is stagnated in the cleaning tank for longer than the cleaning time, pure water remains on the surface of the wafer, which causes metal ionization and causes corrosion of the metal layer. As a result, voids are generated when laminating a metal layer via the via hole on the corroded metal layer in a subsequent process, resulting in poor contact characteristics.
그래서, 이러한 문제점을 해결하기 위해 지금까지 세정조에 순수를 계속 공급하는 방식, 순수를 절수하는 방식 또는 급속배수방식을 이용하여 왔다. 그러나, 종래에는 배수용 에어밸브(AV6),(AV9)를 개방하여 급속 배수하므로 웨이퍼의 표면에 순수가 정체하거나 급속 배수 후에 웨이퍼의 표면에 순수가 여전히 잔존한다.Thus, in order to solve this problem, a method of continuously supplying pure water to a washing tank, a method of saving pure water, or a rapid drainage method has been used. However, conventionally, since the drainage air valves AV6 and AV9 are opened and rapidly drained, pure water stagnates on the surface of the wafer or pure water still remains on the surface of the wafer after rapid draining.
따라서, 본 발명의 목적은 세정조 내의 순수에 세정시간 이상으로 정체한 웨이퍼의 표면에 잔존하는 순수를 최소화하여 웨이퍼 상에 적층된 금속층이 순수에 의해 손상되는 것을 억제하도록 한 웨이퍼 세정장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus which minimizes the pure water remaining on the surface of the wafer stagnant in the pure water in the cleaning tank for longer than the cleaning time, thereby preventing the metal layer deposited on the wafer from being damaged by the pure water. have.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치는Wafer cleaning apparatus according to the present invention for achieving the above object
웨이퍼를 세정하기 위한 오버플로우방식의 세정조;An overflow cleaning tank for cleaning the wafer;
상기 세정조의 저면에 연통하여 설치된 순수 공급관;Pure water supply pipe installed in communication with the bottom of the cleaning tank;
상기 세정조의 저면 일부에 연통된 제 1 배수관에 설치된 급속 배수용 배수밸브; 그리고A rapid drain valve installed in a first drain pipe communicating with a portion of a bottom surface of the cleaning tank; And
상기 웨이퍼가 상기 세정조 내에서 세정시간을 초과하여 세정될 때 상기 웨이퍼에 상기 순수가 잔존하는 것을 억제하기 위해 상기 세정조의 저면 다른 일부에 설치된 저속 배수용 배수밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a low speed drain drain valve provided at another part of the bottom surface of the cleaning tank to suppress the pure water remaining on the wafer when the wafer is cleaned in the cleaning tank for longer than the cleaning time.
바람직하게는 상기 저속 배수용 배수밸브는 상기 급속 배수용 배수밸브보다 작은 직경을 갖는다. 또한, 상기 저속 배수용 배수밸브로는 유량 절수 조절용 에어밸브가 사용될 수 있다.Preferably, the low speed drain valve for drainage has a smaller diameter than the quick drain valve. In addition, the low-speed drainage drain valve may be used for the flow rate saving water control air valve.
이하, 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여한다.Hereinafter, a wafer cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same code | symbol is attached | subjected to the part same as a conventional part.
도 3은 본 발명에 의한 오버플로우방식의 웨이퍼 세정장치를 나타낸 구성도이고, 도 4는 본 발명에 의한 다른 오버플로우방식의 웨이퍼 세정장치를 나타낸 구성도이다. 3 is a block diagram showing an overflow wafer cleaning apparatus according to the present invention, Figure 4 is a block diagram showing another overflow wafer cleaning apparatus according to the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 오버플로우방식의 웨이퍼 세정장치는 퀄츠 재질로 이루어진 세정조(11)의 상단부 양측으로부터 일정 높이로 이격하여 순수 분사용 분사노즐(13)이 각각 설치되고, 분사노즐(13)에 공통 연결된 순수 공급관(21)에 순수 공급량 측정용 유량계(17), 유량 절수 조절용 에어밸브(AV1), 순수 공급차단용 에어밸브(AV2)가 설치되고, 세정조(11)의 외측 저면 일부에 연통된 순수 공급관(22)에 순수 공급량 측정용 유량계(17), 순수 공급차단용 에어밸브(AV3), 유량 절수조절용 에어밸브(AV4), 순수 공급차단용 에어밸브(AV5)가 설치된다. 또한, 세정조(11)의 외측 저면 다른 일부에 연통된 배수관(23)에 배수용 에어밸브(AV6)가 설치되고 아울러 세정조(11)의 외측 저면 일부에 연통된 배수관(26)에 유량 절수조절용 에어밸브(AV10)가 설치된다. 세정조(11)의 내측 저면에 질소 버블(bubble)을 발생하기 위한 버블발생기(15)가 설치된다. 물론, 세정조(11) 내의 순수에 잔존하는 불소이온(F)을 검출하기 센서(도시 안됨)가 설치되고, 세정조(11) 내에 웨이퍼(1)가 존재하는 지를 검출하기 위한 센서(도시 안됨)가 설치되어 있음은 당연하다.As illustrated in FIG. 3, the overflow type wafer cleaning apparatus of the present invention is spaced apart from both sides of the upper end of the cleaning tank 11 made of a material by a predetermined height, and the pure nozzle jet nozzles 13 are respectively provided. In the pure water supply pipe 21 connected to the injection nozzle 13, the flow rate measuring unit 17 for measuring the pure water supply amount, the air valve AV1 for adjusting the water flow rate saving, and the air valve AV2 for blocking the pure water supply are provided, and the cleaning tank 11 is provided. The flow rate meter for measuring the pure water supply amount 17, the pure water supply shutoff air valve AV3, the flow rate water saving air valve AV4, and the pure water supply shutoff air valve AV5 connected to the pure water supply pipe 22 connected to a portion of the outer bottom of the Is installed. In addition, a drainage air valve AV6 is provided in the drain pipe 23 communicated with another part of the outer bottom face of the cleaning tank 11, and the flow rate water saving is carried out by the drain pipe 26 communicated with a part of the outer bottom face of the cleaning tank 11. An adjustment air valve AV10 is installed. A bubble generator 15 for generating nitrogen bubbles is installed on the inner bottom of the cleaning tank 11. Of course, a sensor (not shown) for detecting fluorine ions F remaining in the pure water in the cleaning tank 11 is provided, and a sensor (not shown) for detecting whether the wafer 1 is present in the cleaning tank 11. Of course it is installed.
또한, 오버플로우방식의 최종 웨이퍼 세정용 세정장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 퀄츠 재질로 이루어진 세정조(11)의 외측 저면 일부에 연통된 순수 공급관(24)에 순수 공급량 측정용 유량계(17), 유량 절수조절용 에어밸브(AV7), 순수 공급차단용 에어밸브(AV8)가 설치되고, 세정조(11)의 외측 저면 다른 일부에 연통된 배수관(25)에 배수용 에어밸브(AV9)가 설치되고 세정조(11)의 외측 저면 일부에 연통된 배수관(27)에 유량 절수조절용 에어밸브(AV11)가 설치된다. 세정조(11) 내의 순수의 비저항을 측정하도록 비저항계(19)가 설치된다. 물론, 세정조(11) 내에 불소이온(F)을 검출하기 센서(도시 안됨)가 설치되고, 세정조(11) 내에 웨이퍼(1)가 존재하는 지를 검출하기 위한 센서(도시 안됨)가 설치되어 있음은 당연하다. 유량 절수 조절용 에어밸브(AV10),(AV11)의 직경은 배수용 밸브(AV6),(AV9)의 직경보다 작게 유지되는 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 4, the overflow type final wafer cleaning apparatus includes a pure water supply flow meter 17 for measuring a pure water supply pipe 24 connected to a part of an outer bottom surface of a cleaning tank 11 made of a material of quality. ), A flow rate water saving control air valve AV7, and a pure water supply shutoff air valve AV8 are installed, and a drainage air valve AV9 is connected to a drain pipe 25 connected to another part of the outer bottom of the cleaning tank 11. An air valve AV11 for adjusting the flow rate water saving water is provided in the drainage pipe 27 provided and connected to a part of the outer bottom surface of the cleaning tank 11. A resistivity meter 19 is provided to measure the resistivity of pure water in the cleaning tank 11. Of course, a sensor (not shown) for detecting fluorine ion F is provided in the cleaning tank 11, and a sensor (not shown) for detecting whether the wafer 1 is present in the cleaning tank 11 is provided. Of course it is. It is preferable that the diameters of the flow rate water saving control air valves AV10 and AV11 be kept smaller than the diameters of the drain valves AV6 and AV9.
한편, 도 3과 도 4의 유량 절수조절용 에어밸브는 정상상태에서 절수상태로 유지되는데 이는 세정조에 순수가 정체하는 경우, 순수에 박테리아가 생성될 가능성이 있으므로 이를 방지하기 위해 미량의 순수가 계속하여 공급/배출된다.On the other hand, the flow rate water saving control air valve of Figures 3 and 4 is maintained in a water saving state from the normal state, because if the pure water stagnated in the cleaning tank, there is a possibility that bacteria are generated in the pure water, so that a small amount of pure water continues to prevent this Supplied / discharged.
이와 같이 구성된 본 발명의 세정장치에서는 웨이퍼(1)가 1롯트씩 세정조(11) 내의 순수에 세정시간 이상으로 정체되는 경우, 도 3의 순수 공급차단용 에어밸브(AV3),(AV4)를 차단하고, 유량 절수 조절용 에어밸브(AV10)를 절수상태에서 개방상태로 전환한다. 또한, 도 4의 공급차단용 에어밸브(AV8)를 차단하고 유량 절수 조절용 에어밸브(AV11)를 절수상태에서 개방상태로 전환한다.In the cleaning apparatus of the present invention configured as described above, when the wafer 1 is stagnated by the lot of pure water in the cleaning tank 11 for more than the cleaning time, the pure water supply shutoff air valves AV3 and AV4 of FIG. It cuts off, and switches the air valve AV10 for flow rate water saving control from a water saving state to an open state. In addition, the supply shutoff air valve AV8 of FIG. 4 is cut off, and the flow rate water saving control air valve AV11 is switched from the water saving state to the open state.
이에 따라, 세정조(11) 내의 순수는 자체의 중력에 의해 자유 낙하하기 때문에 유량 절수 조절용 에어밸브(AV10),(AV11)와 배수관(26),(27)을 거쳐 저속 배수된다. 이때, 배수 속도는 유량 조절용 볼륨으로 조정된다.As a result, the pure water in the cleaning tank 11 falls freely due to its own gravity and is drained at low speed through the flow rate water saving control air valves AV10 and AV11 and the drain pipes 26 and 27. At this time, the drainage speed is adjusted to the volume for adjusting the flow rate.
따라서, 본 발명은 세정시간을 초과하여 웨이퍼를 세정하더라도 웨이퍼에 잔존하는 순수를 최소화하여 웨이퍼 상의 금속층 패턴에 대한 부식현상을 억제함으로써 후속의 금속적층공정에서 금속층에 보이드가 발생하는 불량현상을 방지할 수 있다.Therefore, the present invention minimizes the pure water remaining on the wafer even if the wafer is cleaned for longer than the cleaning time, thereby suppressing corrosion of the metal layer pattern on the wafer, thereby preventing defects occurring in the metal layer in the subsequent metal lamination process. Can be.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치는 오버플로우방식의 기존 세정조의 하측면에 별도의 배수관을 연통하여 설치하고 그 배수관에 유량 절수 조절용 에어밸브를 추가로 설치하도록 구성된다.As described above, the wafer cleaning apparatus according to the present invention is configured to communicate with a separate drain pipe on the lower side of the existing cleaning tank of the overflow method, and to install an air valve for adjusting the flow rate water savings in the drain pipe.
따라서, 본 발명은 웨이퍼가 세정조 내의 순수에 의해 세정시간을 초과하여 정체되는 경우, 세정조의 하측 저면으로부터 상향 공급되는 순수를 차단하고 세정조의 하측면에 추가로 설치된 유량 절수 조절용 에어밸브를 절수상태에서 개방상태로 전환하여 세정조 내에서 순수가 자유 낙하하여 저속으로 배수한다. 그 결과, 웨이퍼에 형성된 금속층이 세정된 후 그 위에 금속층이 적층되더라도 금속층에 보이드 발생과 같은 불량현상을 억제하여 반도체장치의 제품 신뢰성을 향상 가능하다.한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다. Therefore, in the present invention, when the wafer is stagnated by the pure water in the cleaning tank for more than the cleaning time, the water flow-saving water control air valve installed on the lower side of the cleaning tank is cut off while the pure water supplied from the lower bottom of the cleaning tank is blocked. After switching to the open state, the pure water falls freely in the washing tank and drains at low speed. As a result, even if the metal layer formed on the wafer is cleaned and then the metal layer is laminated thereon, defects such as void generation in the metal layer can be suppressed, thereby improving the product reliability of the semiconductor device. It is apparent to those skilled in the art that various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 세정장치를 나타낸 구성도.1 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 의한 다른 웨이퍼 세정장치를 나타낸 구성도.2 is a block diagram showing another wafer cleaning apparatus according to the prior art.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치를 나타낸 구성도.3 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
도 4는 본 발명에 의한 다른 웨이퍼 세정장치를 나타낸 구성도.4 is a block diagram showing another wafer cleaning apparatus according to the present invention.
**** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ******** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ****
1: 웨이퍼 11: 세정조 13: 분사노즐(shower nozzle) 15: 버블(bubble) 발생기 17: 유량계 AV1,AV4,AV7: 유량 절수 조절용 에어밸브 AV2,AV3,AV5,AV8: 공급차단용 에어밸브 AV6,AV9: 배수용 에어밸브DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Wafer 11: Cleaning tank 13: Shower nozzle 15: Bubble generator 17: Flowmeter AV1, AV4, AV7: Flow rate adjustment air valve AV2, AV3, AV5, AV8: Supply shutoff air valve AV6 , AV9: drainage air valve
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH08195374A (en) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning device and its method |
| KR970072215A (en) * | 1996-04-24 | 1997-11-07 | 김광호 | Pure cleaning bath of semiconductor device |
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