KR980011844A

KR980011844A - Semiconductor device manufacturing method

Info

Publication number: KR980011844A
Application number: KR1019960026725A
Authority: KR
Inventors: 이해정
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1996-07-02
Filing date: 1996-07-02
Publication date: 1998-04-30

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 금속 배선 연결을 위한 접촉창의 형성에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to the formation of a contact window for metal wiring connection.

종래에는 기판내의 로커스 영역에 산화막 및 절연막을 증착하고 그 위에 포토레지스트로 접촉창을 정의한 다음, 산화막 및 절연막을 식각하고 포토레지스트를 제거함으로써 접촉창을 형성하였는데, 이러한 종래의 기술은 공정 시간이 길고 제조단가가 상승하여 공정 수율이 저하되는 문제가 있었다. 이에 본 발명은, 음성 포토레지스트를 사용하여 먼저 접촉창을 정의한 다음 그 위에 산화막 및 절연막을 형성하고 음성 포토레지스트를 제거하여 금속 배선 형성을 위한 접촉창을 형성하고자 하였다. 이러한 본 발명은, 음성 포토레지스트를 사용하여 산화막 및 절연막을 식각하는 단계를 삭제함으로써, 공정시간을 줄이고 제조단가를 절감할 수 있게 되어 공정수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Conventionally, a contact window is formed by depositing an oxide film and an insulating film on a locus region in a substrate, defining a contact window with a photoresist thereon, etching the oxide film and the insulating film, and removing the photoresist. There has been a problem that the manufacturing cost is increased and the process yield is lowered. Accordingly, the present invention is to define a contact window using a negative photoresist, form an oxide film and an insulating film thereon, and remove a negative photoresist to form a contact window for metal wiring formation. The present invention eliminates the step of etching the oxide film and the insulating film by using the negative photo-resist, thereby reducing the processing time and manufacturing cost, thereby improving the process yield.

Description

Semiconductor device manufacturing method

제1도의 (가) 및 (라)는 종래 반도체 소자 제조방법을 도시한 공정수순도1 (a) and 1 (d) show a process flow chart showing a conventional semiconductor device manufacturing method

제2도의 (가) 및 (마)는 본 발명 반도체 소자 제조방법을 도시한 공정수순도.FIG. 2 (a) and FIG. 2 (e) are a process flow chart showing the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

11 : 기판 12 : 로커스 영역11: substrate 12: locus area

13 : 산화막 14 : 절연막13: oxide film 14: insulating film

15 : 포토레지스트 16 : 접촉창15: photoresist 16: contact window

17 : 제1금속막17: First metal film

본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 금속 배선 연결을 위한 접촉창의 형성에 음성 포토레지스트를 사용함으로써 공정 시간을 줄이고 제조단가를 절감하여 공정 수율을 향상시키는 데에 적당하도록 한 반도체 소자 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing method which is suitable for reducing process time and manufacturing cost by using a negative photoresist to form a contact window for metal wiring connection, .

종래 금속 배선 연결을 위한 접촉창의 형성기술에 관하여 제1도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A conventional technique of forming a contact window for metal wiring connection will be described with reference to FIG. 1.

먼저, 제1도의 (가)에 도시한 바와 같이, 기판(1)내에 로커스(LOCOS) 영역을 형성한 다음 이 위에 산화막(3)과 절연막(4) 및 포토레지스트(5)를 증착한다.First, as shown in (a) of FIG. 1, a LOCOS region is formed in the substrate 1, and then an oxide film 3, an insulating film 4 and a photoresist 5 are deposited thereon.

이후, 제1도의 (나) 및 (다)에 도시한 바와 같이, 포토레지스트(5)로 접촉창을 정의하고 질화막(4) 및 산화막(3)을 식각한 다음, 포토레지스트(5)를 제거하여 접촉창(6)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIGS. 1B and 1C, the contact window is defined by the photoresist 5, the nitride film 4 and the oxide film 3 are etched, and then the photoresist 5 is removed Thereby forming a contact window 6.

마지막으로, 제1도의 (라)에 도시한 바와 같이, 제1금속막(7)을 스퍼터링 기법으로 증착하여 전기적으로 로커스 영역(2)과 연결되는 제1금속막(7)을 형성하게 된다.Finally, as shown in FIG. 1 (d), the first metal film 7 is deposited by sputtering to form the first metal film 7 electrically connected to the locus region 2.

그러나, 이와같은 종래의 기술에서는 포토레지스트(5)를 먼저 증착하여 접촉창(6)을 정의한 후 절연막(4) 및 산화막(3)을 식각한 다음 포토레지스트(5)를 제거하는 과정을 거침으로써 접촉창(6)을 형성하게 되므로, 공정이 매우 복잡하게 된다.However, in this conventional technique, the photoresist 5 is first deposited to define the contact window 6, the insulating film 4 and the oxide film 3 are etched, and then the photoresist 5 is removed Since the contact window 6 is formed, the process becomes very complicated.

즉, 공정 시간이 길어지고 제조 단가가 상승하여 공정 수율이 저하되는 문제가 생긴다.That is, there is a problem that the process time becomes long, the manufacturing cost increases, and the process yield decreases.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위하여 창안된 것으로, 먼저 음성 포토레지스트로 접촉할 영역을 정의하고 산화막 및 절연막을 증착하여 산화막 및 절연막의 식각단계를 삭제함으로써, 공정시간을 줄이고 제조단가를 절감하여 공정 수율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised to overcome the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to first define a region to be contacted with a voice photoresist and to remove an oxide film and an insulating film by depositing an oxide film and an insulating film, And a method of fabricating the semiconductor device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 소자 제조방법은 제2도에 도시한 바와 같이, 기판내에 로커스 영역을 형성한 다음 그 위에 포토레지스트를 증착하는 공정과, 이후 포토레지스트로 접촉창을 정의하는 공정과, 이후 산화막 및 절연막을 증착하는 공정과, 이후 포토레지스트를 제거하여 접촉창을 형성하는 공정과, 이후 제1금속막을 증착하는 공정으로 이루어지는 것으로, 이와같은 본 발명에 대해 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.As shown in FIG. 2, the method for fabricating a semiconductor device of the present invention includes the steps of forming a locus region in a substrate and then depositing a photoresist thereon, A step of depositing an oxide film and an insulating film, a step of removing the photoresist to form a contact window, and a step of depositing a first metal film. The present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Then,

먼저, 제2도의 (가)에 도시한 바와 같이, 기판(11)내에 로커스 영역(2)을 형성한 다음 그 위에 포토레지스트(15)을 증착하는데, 이 때 사용되는 포토레지스터(5)는 음성(Negative)포토레지스트(5)이다.First, as shown in FIG. 2 (a), a locus region 2 is formed in a substrate 11, and then a photoresist 15 is deposited thereon. In this case, the photoresist 5 used at this time is a negative (Negative) photoresist 5.

다음 제2도의 (나)에 도시한 바와 같이 상기의 음성 포토레지스트(15)로 접촉창이 형성될 영역을 정의한다.As shown in FIG. 2 (b) of FIG. 2, a region in which the contact window is to be formed by the above-described voice photo resist 15 is defined.

이후, 제2도의 (다)에 도시한 바와 같이, 산화막(13) 및 절연막(14)을 증착한다.Thereafter, as shown in (c) of FIG. 2, the oxide film 13 and the insulating film 14 are deposited.

그리고, 제2도의 (라)에 도시한 바와 같이, 화학적 또는 물리적인 방법으로 포토레지스트(15)를 제거하여 비아홀(Via hole) 즉, 접촉창(16)을 형성한다. 마지막으로, 제2도의 (마)에 도시한 바와 같이, 제1금속막(17)을 스퍼터링 기법으로 증착함으로써 로커스 영역(12)과 전기적으로 연결되는 금속배선을 형성할 수 있게 된다.Then, as shown in FIG. 2 (d), the photoresist 15 is removed by a chemical or physical method to form a via hole or contact window 16. Finally, as shown in FIG. 2 (e), the first metal film 17 is deposited by sputtering to form a metal wiring electrically connected to the locus region 12.

이와 같은 본 발명은, 음성 포토레지스트(15)로 접촉창(16)을 정의하고 산화막(13) 및 절연막(14)을 증착하기 때문에, 산화막(13) 및 절연막(14)의 식각 단계가 삭제된다.In the present invention as described above, since the contact window 16 is defined by the negative photo resist 15 and the oxide film 13 and the insulating film 14 are deposited, the etching step of the oxide film 13 and the insulating film 14 is eliminated .

따라서, 공정시간이 줄어들고 제조단가가 절감되어 공정 수율이 향상되는 효과가 있다.Accordingly, the process time is reduced, the manufacturing cost is reduced, and the process yield is improved.

상술한 바와 같이, 본 발명은 금속 배선 형성을 위한 접촉창의 형성에 있어, 먼저 음성 포토레지스트로 접촉창 영역을 정의하고 산화막 및 절연막을 증착하여 산화막 및 절연막의 식각 단계를 삭제함으로써, 공정 시간을 줄이고 제조단가를 절감하여 공정 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, in forming a contact window for forming a metal wiring, first, a contact window region is defined by a negative photoresist, and an oxide film and an insulating film are deposited to remove the oxide film and the etching step of the insulating film, The manufacturing cost can be reduced and the process yield can be improved.

Claims

A step of forming a locus region in the substrate and then depositing a photoresist thereon; a step of defining a contact window with the photoresist; a step of depositing an oxide film and an insulating film; And a step of forming a metal wiring by depositing a first metal film on the first metal film.

2. The method of claim 1, wherein the photoresist defining the contact window uses a negative photoresist.

※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.