KR980011683A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체기판산에 회로패턴을 형성하는 사진공정에서사용되는 감광액/현상액 등의 화학용액을 그 반도체기판상에 도포하는 감광액/현상액도포장치의개량에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 바울부의 저부를 관통하여서 그 저부와 일정한 턱을 갖는 유입구를 갖는 배기라인(18a,18b)과; 상기 배기라인과 주배기라인사이에서 연통하고, 그리고 유연성 재질로 된 배기호스(30) 및 상기 바울부의 저부에 형성되어 있고, 상기 저부보다 상대적으로 낮은 위치에서 형성된 유입구를 갖는 배출라인(18c)을 구비한다. 상술한 감광액/현상액도포방치에 의하면, 바울부의 저부를 관통하여 설치된 배기라인의 유입구에는 캡이 형성되어 있기 때문에 그의 수직 상방향에서 낙하되는 감광액/현상액을 차단할 수 있어서 배기호스와 주배기라인의 오염을 방지할 수 있고, 그로써 배기효율의 저하를 방지할 수 있다. 또한 상기 배기라인과 연통되어 있는 배기호스는 그 일부분이 유연성재질의 자바라구조 또는 복수의 만고부분을 갖고 있기 때문에 바울부의 상하이동에 따라 유연하게 이동할 수 있어서, 배기호스와 주배기라인과의 사이에 있는 연결부를 완전히 밀폐시킬 수 있다.The present invention relates to an improvement of a photosensitive solution / developer application device for applying a chemical solution such as a sensitizing solution / developing solution used in a photolithography process for forming a circuit pattern on a semiconductor substrate to a semiconductor substrate, (18a, 18b) having an inlet with a bottom and a constant jaw penetrating through the exhaust line (18a, 18b); And a discharge line (18c) communicating between the exhaust line and the main exhaust line and having an exhaust hose (30) made of a flexible material and an inlet formed at a lower position relative to the bottom portion and formed at a lower position than the exhaust portion Respectively. According to the above-described application of the photosensitive liquid / developer, since the cap is formed at the inlet port of the exhaust line provided through the bottom of the pawl portion, it is possible to block the photosensitive liquid / developing liquid dropped in the vertical direction, It is possible to prevent the exhaust efficiency from being lowered. Further, since the exhaust hose communicating with the exhaust line has a bellows structure of a flexible material or a plurality of marginal portions, the exhaust hose can move smoothly in accordance with the vertical movement of the pawl portion, It is possible to completely close the connecting portion.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.
본 발명은 반도체소자의 제조장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체기판상에 회로패턴을 형성하는 사진 공정에서 사용되는 감광액/현상액 등의 화학용액을 그 반도체기판상에 도포하는 감광액/현상액도포장치의 개량에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing apparatus for applying a chemical solution such as a sensitizing solution / developing solution used in a photolithography process for forming a circuit pattern on a semiconductor substrate onto a semiconductor substrate It is about improvement.
반도체소자의제조에 있어서 특히 패턴을 형성하기 위한 사진공정은 감광액의, 도포, 노광, 현상공정들로 크게 나누어지는 데, 그 중 감광액의 도포공정에서 사용되는 감광액도포장치는 그 공정에서 결함으로 작용하는 파티클(particles)이 발생될 소지가 큰 설비이기 때문에, 그 설비의 관리가 매우 중요하게 대두되고 있다. 이러한 설비에서 발생되는 파티클은 후속하는 현상공정 및 세정공정에서 제거되기가 어려운 것이다.In the manufacture of semiconductor devices, in particular, photolithography for forming patterns is largely divided into coating, exposure, and development processes of photosensitive liquids. Of the photosensitive liquids used in the coating process of the photosensitive liquid, Since the particles are likely to generate particles, management of the facility is becoming very important. Particles generated in such a facility are difficult to remove in subsequent developing and cleaning processes.
또한 반도체소자의제조에 있어서 회로요소들의 밀도가 증가되는 추세에 있다. 구체적으로 집적회로내에 구현된 기능들이 더욱 복잡해짐에 따라, 트랜지스터, 저항 등을 포함하는 많은 수의 소자들이 요구되고 그리고 이들 소자들은 물로 용이하게 제조할 수 있고 또한 신뢰성이 있어야 한다. 주어진 칩사이즈에 대해서, 능동회로부품의 수가 증가함에 따라 그들 부품들은 서로에 근접하면서 설치될 때 전기적인 격리구조에 의해서 점유할 수 있는 회로의 표면적을 감소시키는 것을 필요로 한다.In addition, the density of circuit elements is increasing in the manufacture of semiconductor devices. Specifically, as the functions implemented in the integrated circuit become more complex, a large number of devices including transistors, resistors, and the like are required, and these devices must be easily manufacturable and reliable. For a given chip size, as the number of active circuit components increases, they need to reduce the surface area of the circuit that can be occupied by the electrical isolation structure when installed close to each other.
이러한 고밀도의 반도체소자를 제조함에 있어서, 웨이퍼상에 구현해야 하는 실질적인 패턴의 크기로서 하프 마치크론(half micron)이하의 초미세 패턴이 구현되어야만 한다. 이러한 초미세패턴이 웨이퍼상에 구현될 때, 소자의 패턴마진 (pattern margin)의 부족으로 인하여 패턴의 사이즈가 불균일하게 된다.In fabricating such a high-density semiconductor device, an ultrafine pattern having a half-micron or less size must be realized as a size of a substantial pattern to be implemented on the wafer. When such an ultrafine pattern is realized on a wafer, the size of the pattern becomes uneven due to the lack of the pattern margin of the device.
또한 반도체제조공정에 있어서 반도체소자의 고집적화로 인하여 기존에 나타나지 않았던 여러종류의 결함(deffect)이 새로 발생되고 있다. 이러한 결함은 반도체소자에 물리적영향을 가하여 소자의 불량발생원인이 될 수도 있고, 또는 소자에 영향을 주지 않고 그 결함형태로 존재하기도 한다.In addition, due to the high integration of semiconductor devices in the semiconductor manufacturing process, various kinds of defects that have not appeared in the past are newly generated. These defects may cause a defect in a device by giving a physical effect to a semiconductor device, or may exist in the form of a defect without affecting the device.
이러한 결함은 반도체제조공정중 모든 단위공정에서 발생되나, 특히 패턴을 최초로 형성하는 사진공정에서는 여러 종류의 결함으로 발생되어 소자의 불량발생원인으로 작용한다. 이러한 결함중 막질도포시에 발생하는 결함은 육안검사로서 결함유무를 확인할 수 있었으나, 근래들어 소자의 고집적화에 따라 육안으로 검사할 수 없는 정도의 아주 작은 결함에서조차도 불량발생원인으로 작용한다.These defects are generated in all the unit processes during the semiconductor manufacturing process, but they are caused by various types of defects in the photolithography process for forming the pattern for the first time, which causes defective devices. Among these defects, defects occurring during application of the film can be confirmed by visual inspection as defects. However, even in the case of very small defects which can not be visually inspected due to high integration of devices, defects can be caused.
현재 사용되고 있는 감광액도포장치는 스핀 코팅방식으로감광액을 웨이퍼상에 도포하는 장비이다. 이러한 감광액도포장치는 크게 웨이퍼를 로딩(loading)하는 로더부(loader)와,로딩된 웨이퍼상에 감광액을 도포하고 그리고 그 웨이퍼를 고속 회전시키는 스핀부(spin part)와, 웨이퍼상에 도포된 감광액이 점도를 갖도록 그리고 휘발성용액 및 습기를 제거하도록 하는 소프트 베이크부(soft-bake part)와, 상기 스핀부내로 로딩된 웨이퍼를 끄집어내도록 언로딩(unloading)하는 언로더부 (unloader)를 구비하고 있다.The currently used sensitizing solution is a device for applying a sensitizing solution onto a wafer by a spin coating method. This photosensitive liquid also includes a loader for largely loading the wafer, a spin part for applying the photosensitive liquid on the loaded wafer and spinning the wafer at a high speed, a photosensitive member A soft-bake part for removing the volatile solution and moisture, and an unloader for unloading the wafer loaded in the spin part .
이러한 감광액도포장치의 스핀부는, 제1도에 도시되어 있는 바와 같이, 크게 상부 바울부(upper bowl part : 16)와 하부 바울부(lower bowl part : 17)로 구분되고, 그리고 로더부에 의해서 로딩된 웨이퍼를 스핀척(11)의 진공흡착에 의해 고정하고 그리고 그 스핀척(11)의 회전에 따라 고속 회전되는 웨이퍼(12)의 중앙부위에 감광액공급노즐(15)에서 감광액을 토출하여 소망하는 두께를 갖는 감광액(13)을 도포한다.As shown in FIG. 1, the spin portion of the photosensitive liquid application device is largely divided into an upper bowl portion 16 and a lower bowl portion 17, And the photosensitive liquid is discharged from the photosensitive liquid supply nozzle 15 to the central portion of the wafer 12 which is rotated at a high speed in accordance with the rotation of the spin chuck 11, A photosensitive liquid 13 having a thickness is applied.
이와같이 웨이퍼(12)의 고속회전에 따라 발생되는 원심력에 의해서 감광액을 도포하는 스핀방식이 적용되는 상기 스핀코터(10)는 웨이퍼(12)의 중앙에 토출된 감광액(13)을 상기 원심력에 의해 웨이퍼(12)의 주변표면으로 퍼지게 한다. 상기 감광액공급노즐(15)은 통상적으로 로봇아암(14)의 제어에 의해 웨이퍼(12)상으로 이동하여 감광액을 토출한 다음, 다시 원위치로 이동되도록 작동된다.The spin coater 10 to which the spin coating method for applying the photosensitive liquid by the centrifugal force generated in accordance with the high rotation of the wafer 12 is applied is provided with the photosensitive liquid 13 discharged to the center of the wafer 12 by the centrifugal force, (12). The photosensitive liquid supply nozzle 15 is normally operated to move onto the wafer 12 under the control of the robot arm 14 to eject the photosensitive liquid, and then move back to the original position.
다시 제1도에 도시된 바와 같이, 상술한 스핀코팅방식을 적용하고 있는 종래의 감광액도포장치에 있어서는, 상기 하부 바울부(17)는 그의 저부에 형성된 두 개의 배기라인(18a, 18b)과 한 개의 감광액배출라인(18c)을 통하여 폐액수납부(20)에 연결되어 있다. 이 폐액수납부(20)내에는 폐액처리통(22)이 구현되어 있어서, 상기 라인들을 통하여 유입된 폐액 등을 수납하여 처리할 수 있도록 되어 있다.As shown in FIG. 1 again, in the conventional coating apparatus for applying a photosensitive coating liquid according to the above-described spin coating method, the lower pawl portion 17 has two exhaust lines 18a and 18b formed at the bottom thereof, And is connected to the waste liquid storage portion 20 through the four photosensitive liquid discharge lines 18c. The waste liquid containing section (20) is embodied in a waste liquid processing tank (22), so that the waste liquid or the like flowing through the lines can be stored and processed.
상기 하부 바울부(17)의 저부에 형성된 라인중, 배기라인(18a, 18b)은 상기 바울부(16,17)내에 있는 다량의 솔벤트 연무(solvent fume)를 배기하기 위하여 제공되어 있고, 그리고 배출라인(18c)은 그 바울부(16,17)내에서 웨이퍼의 고속회전시 웨이퍼로부터 이탈되는 고점도의 감광액을 상기 폐액수납부(20)의 폐액처리통 (22)으로 배출되도록 제공되어 있다.Of the lines formed at the bottom of the lower pawl portion 17, the exhaust lines 18a and 18b are provided for exhausting a large amount of solvent fumes in the pawl portions 16 and 17, The line 18c is provided in the pawl portions 16 and 17 so as to discharge the photosensitive liquid of a high viscosity separated from the wafer when the wafer rotates at a high speed, into the waste solution processing container 22 of the waste liquid containing portion 20.
만일, 솔벤트 연무가 바울부냉 다량 함유하게 되면, 그 바울부내의 분위기가 불안정하게 되어 감광액도포의 균일성(uniformity)이 불량하게 된다. 그 결과, 솔벤트 연무가 원형으로 뭉쳐서 파티클의 형태로 존재하게 되어서 후속하는 식각공정에서 공정불량을 유발하게 된다. 따라서 바울부의 저부에 그 솔벤트 연무를 배기하는 배기라인(18a, 18b)이 설치되어 있다.If the solvent mist contains a large amount of Paul's cooldown, the atmosphere in the pawl portion becomes unstable and the uniformity of application of the photosensitive liquid becomes poor. As a result, the solvent mist accumulates in the form of particles in a circular shape, which causes a process failure in a subsequent etching process. Therefore, exhaust lines (18a, 18b) for exhausting the solvent mist are provided at the bottom of the pawl portion.
또한 고점도의 감광액은 높은 점도로 인하여 바울부의 저부에서는 거미줄형태로 존재하게 되는 데, 이것을 배출라인(18c)으로 배출시키지 않게 되면, 웨이퍼의 오염원으로 작용하게 된다. 따라서 바울부의 저부에 설치되어 있는 감광액배출라인(18c)을 통하여 그 저부에 있는 감광액을 폐액수납부(20)로 배출되도록 한ㄴ다.Further, the photosensitive liquid having a high viscosity is present in the form of a spider web at the bottom of the paw portion due to its high viscosity. If the photosensitive liquid is not discharged to the discharge line 18c, it acts as a contamination source of the wafer. Therefore, the photosensitive liquid at the bottom of the photosensitive drum is discharged to the waste liquid storage portion 20 through the photosensitive liquid discharge line 18c provided at the bottom of the pawl portion.
한편, 상기 폐액수납부(20)의 상부에는 제1도에 도시된 바와 같이 상기 라인 (18a, 18b, 18c)들이 내부에 끼워지도록 하는 호스들(19a, 19b, 19c)이 설치되어 있고, 그리고 그의 측부에는 주배기라인(24)이 설치되어서 폐액수납부(20)내로 흡입된 연무를 배기시킨다.On the other hand, hoses 19a, 19b, and 19c are installed on the upper portion of the waste liquid receiver 20 to allow the lines 18a, 18b, and 18c to be inserted therein, as shown in FIG. A main exhaust line (24) is provided at a side portion thereof to exhaust fumes sucked into the waste liquid containing portion (20).
이러한 구조를 갖는 종래의 감광액도포장치는 폐액수납부(20)에 연결된 호스(19a, 19b, 19c)가 상기 바울부와 함께 상하방향으로 움직여야 하기 때문에, 호스와 폐액수납부(20)의 연결부가 완전히 밀폐시키기가 어렵다. 이와같이 연결부에서 완전히 밀폐되지 않기 때문에, 바울부내의 솔벤트 연무가 폐액수납부(20)의 폐액처리통(22)을 통하여 주배기라인(24)으로 배기될 때, 그 배기압력이 상기 바울부내로 충분히 전달되지 않게 되는 문제점이 있었다. 따라서 바울부내의 솔벤트 연무가 충분히 배기되지 않게 되어 바울부의 분위기 불안정과 같은 문제점을 일으키게 도니다.Since the hoses 19a, 19b and 19c connected to the waste liquid storage portion 20 have to move in the vertical direction together with the pawl portion in the conventional photosensitive liquid having such a structure, the connection portion of the hose and the waste liquid storage portion 20 It is difficult to completely seal it. Therefore, when the solvent mist in the inside of the Paul section is exhausted to the main exhaust line 24 through the waste liquid collecting cylinder 22 of the waste liquid containing section 20, the exhaust pressure is sufficiently There is a problem that it is not transmitted. Therefore, the solvent mist in Paul's part is not sufficiently exhausted, which causes problems such as instability of Paul's atmosphere.
또한 종래의 감광액도포장칭 있어서는, 배기라인(18a,18b)이 하부 바울부 (17)의 저부를 관통하면서 설치되어 있기 때문에, 그 저부와 배기라인의 흡입구 사이에는 제2도에 도시된 바와같이 어느 정도의 턱을 갖는다. 이러한 턱은 감광액이 그 배기라인(18a,18b)을 통하여 배출되지 않도록 하기 위한 것이다. 그러나, 그 배기라인(18a,18b)의 유입구에 대해서 수직적인 상방향에서 낙하되는 감광액은 배기라인을 통하여 배출되어서, 주배기라인(24)을 오염시키는 문제점이 있었다.Also, in the conventional packaging of the photosensitive liquid, since the exhaust lines 18a and 18b are provided so as to pass through the bottom of the lower pawl portion 17, as shown in FIG. 2 between the bottom portion and the inlet of the exhaust line It has some degree of jaw. This jaw is intended to prevent the photosensitive liquid from being discharged through the exhaust lines 18a, 18b. However, there has been a problem that the photosensitive liquid dropping vertically upward from the inlet of the exhaust lines 18a, 18b is discharged through the exhaust line, thereby contaminating the main exhaust line 24.
낙하되는 감광액/현상액도 그 배기라인을 통하여 배기되지 않도록 하고 따라서 본 발명의 목적은 바울부의 저부를 관통하여 설치된 배기라인의 유입구에 캡을 형성하여 수직하게 감광액/현상액 배출라인을 통하여 배출되도록 하는 반도체제조장치를 제공하는 데 있다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a cap at an inlet of an exhaust line formed through a bottom of a pawl portion and vertically discharging through a photoresist / developer discharge line, And to provide a manufacturing apparatus.
본 발명의 다른 목적은 폐액수납부의 설치된 호스가 유연성 재질로 사용하여서 바울부의 상하이동에 유동성있게 움직이게 할 수 있는 반도체제조장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus which can use a hose provided in a waste liquid containing portion as a flexible material to move fluidly in vertical movement of the pawl portion.
본 발명의 또 다른 목적은 바울부내의 솔벤트 연무를 배기하는 배기라인의 폐액수납부에 연결되어 있는 주배기라인에 직접 연결하여서 배기효과를 향상시킬 수 있는 반도체제조장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving the exhaust effect by being directly connected to the main exhaust line connected to the waste liquid storage portion of the exhaust line for exhausting the solvent mist in the Paul portion.
제1도는 종래의 감광액/현상액도포장치의 구조를 보여주고 있는 개략도1 is a schematic view showing the structure of a conventional photoresist / developer application device;
제2도는 제1도의 도시된 감광액/현상액도포장치의 주요부를 확대한 도면.FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the photosensitive / developer applying device shown in FIG.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 방도체제조장치의 구조를 보여주고 있는 개략도.FIG. 3 is a schematic view showing a structure of a conductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
제4도는 제3도에 도시된 반도체제조장치의 주요부를 확대한 도면.FIG. 4 is an enlarged view of a main part of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 3; FIG.
제5도는 제4도의 점선부분을 확대한 도면.FIG. 5 is an enlarged view of a dotted line portion in FIG. 4;
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
10:스핀코터(spin coater) 11:스핀척(spin chuck)10: spin coater 11: spin chuck
12:웨이퍼 13:감광액/현상액12: wafer 13: sensitizing solution / developer
14:로봇아암 15:감광액/현상액분사노즐14: Robot arm 15: Sensitizing liquid / developer injection nozzle
16:상부 바울부 17:하부바울부16: upper pawl part 17: lower pawl part
18a, 18b:배기라인 18c:배출라인18a, 18b: exhaust line 18c: exhaust line
20:폐액수납부 22:폐액처리통20: waste liquid storage part 22: waste liquid processing container
24:주배기라인 30:배기호스24: Main exhaust line 30: Exhaust hose
40:배기라인의 캡부40: cap portion of the exhaust line
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 바울부내에 로딩되어 회전되는 반도체웨이퍼상에 감광액/현상액을 도포하는 반도체제조장치는, 상기 바울부의 저부를 관통하여서 그 저부와 일정한 턱을 갖는 유입구를 갖는 배기라인과; 상기 배기라인과 주배기라인사이에서 연통하고, 그리고 유연성 재질로 된 배기호스 및 상기 바울부의 저부에 형성되어 있고, 상기 저부보다 상대적으로 낮은 위치에서 형성된 유입구를 갖는 배출라인을 구비한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above objects, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus for applying a sensitizing solution / developer onto a semiconductor wafer loaded and rotated in a pawl portion, the apparatus comprising: An exhaust line; And an exhaust line communicating between the exhaust line and the main exhaust line and having an exhaust hose made of a flexible material and an inlet formed at a lower portion of the pawl portion and formed at a position relatively lower than the bottom portion.
이 장치에 있어서, 상기 배기라인의 유입구에 수직 상방향에서 낙하되는 감광액/현상액의 유입을 방지하기 위한 형성된 캡을 부가적으로 구비한다.In this apparatus, an inlet port of the exhaust line is additionally provided with a cap formed to prevent the inflow of the sensitizing solution / developer dropped in the vertical upward direction.
이 장치에 있어서, 상기 캡은 우산모양의 구조를 갖는다.In this apparatus, the cap has an umbrella-like structure.
이 장치에 있어서, 상기 배기호스는 적어도 일부분이 자바라 구조 또는 복수의 만곡부분으로 되어 있다.In this apparatus, the exhaust hose at least partially has a bellows structure or a plurality of curved portions.
실시예Example
이하 본 발명의 실시예를 첨부도면 제3도 내지 제5도에 의거하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
제3도를 참고하면, 본 발명의 신규한 반도체제조장치는 유연성을 갖는 배기용 호스(30)가 직접 주배기라인(24)에 연통되어 있고, 그리고 하부 바울부(17)의 저부를 관통하여서 그 저부와의 사이에 턱을 갖는 배기라인(18a, 18b)의 각 유입구에 캡(40)이 형성되어 있는 구조를 갖는다.3, the flexible semiconductor hose 30 communicates directly with the main exhaust line 24 and passes through the bottom of the lower pawl portion 17, And a cap 40 is formed at each inlet of the exhaust line 18a, 18b having a tuck between the bottom portion and the exhaust line 18a, 18b.
다시 제3도에 도시된 바와같이, 본 발명의 반도체제조장치는 배기용 호스(30)가 주배기라인(24)에 직접 연결되어 있고 그리고 배기라인(18a, 18b)의 유입구에 캡(40)이 형성되어 있는 것을 제외하고는 제1도의 감광액/현상액 도포장치의 구조와 실질적으로 유사하고, 그 동일한 기능을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.3, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is characterized in that the exhaust hose 30 is directly connected to the main exhaust line 24 and the cap 40 is connected to the inlet of the exhaust lines 18a, 18b. Is substantially the same as the structure of the photosensitive liquid / developer application device of Fig. 1, and the same reference numerals are used for components having the same functions.
제3도의 반도체제조장치는 제1도의 장치와 마찬가지로 스핀 코팅방식으로 감광액/현상액을 웨이퍼상에 도포하는 장비이다. 이러한 감광액도포장치는, 제2도에 도시되어 있는 바와같이, 스핀척(11)의 진공흡착에 의해 고정되고 그리고 그 스핀척(11)의 회전따라 고속회전4되는 웨이퍼(12)의 중앙부위에 감광액공급노즐(15)에서 감광액을 토출하여 소망하는 두께를 갖는 감광액(13)을 도포한다.The semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 3 is a device for applying a photosensitive liquid / developer on a wafer by spin coating as in the apparatus of FIG. 1. As shown in FIG. 2, the photosensitive liquid is also fixed to the wafer 12 at a central portion of the wafer 12 which is fixed by vacuum suction of the spin chuck 11 and rotated at a high speed by rotation of the spin chuck 11 The photosensitive liquid is discharged from the photosensitive liquid supply nozzle 15 to apply the photosensitive liquid 13 having a desired thickness.
이와같이 웨이퍼(12)의 고속회전에 따라 발생되는 원심력에 의해서 감광액을 도포하는 스핀방식에 적용되는 상기 스핀코터(10)는 웨이퍼(12)의 중앙에 토출된 감광액(13)을 상기 원심력에 의해 웨이퍼(12)의 주변표면으로 퍼지게 한다. 상기 감광액공급노즐(15)은 통상적으로 로봇아암(14)의 제어에 의해 웨이퍼(12)상을 이동하여 감광액을 토출한 다음, 다시 원위치로 이동된다.The spin coater 10, which is applied to the spinning method in which the photosensitive liquid is applied by the centrifugal force generated in accordance with the high rotation of the wafer 12 in this manner, is rotated by the centrifugal force by the centrifugal force on the wafer 12, (12). The photosensitive liquid supply nozzle 15 is usually moved on the wafer 12 under the control of the robot arm 14 to eject the photosensitive liquid, and then moved back to the original position.
다시 제3도에 의하면, 상술한 스핀코팅방식을 적용하고 있는 본 발명의 감광액도포장치에 있어서는, 상기 하부 바울부(17)에는 그의 저부에 관통되어서 소정 높이의 턱을 갖는 두 개의 배기라인(18a, 18b)과 이 저부보다 위치적으로 보다 낮은 유입구를 갖는 한 개의 감광액배출라인(18c)이 설치되어 있다. 상기 배기라인(18a, 18b)는 바울부(16, 17)내에 있는 다량의 솔벤트 연무를 배기하기 위해 제공되어 있고, 그리고 유연성 재질의 배기호스(30)를 통하여 직접 주배기라인 (24)에 연결되어 있다.Referring again to FIG. 3, in the apparatus for coating a photosensitive liquid according to the present invention applying the above-described spin coating method, the lower pawl portion 17 is provided with two exhaust lines 18a And 18b, and a single photosensitive liquid discharge line 18c having a position lower than the bottom portion. The exhaust lines 18a and 18b are provided for exhausting a large amount of solvent mist present in the pawl portions 16 and 17 and connected to the main exhaust line 24 through the exhaust hose 30 made of a flexible material .
또한 상기 배출라인(18c)를 통하여 배출되는 폐액(웨이퍼상에서 이탈된 고점도의 감광액을 포함함)은 폐액수납부(20)로 제공된다. 이 폐액수납부(20)내에서 폐액처리통(22)이 구현되어 있어서, 사기 배출라인(18c)을 통하여 유입된 폐액 등을 수납하여 처리할 수 있도록 되어 있다.The waste liquid discharged through the discharge line 18c (including the photosensitive liquid having a high viscosity separated on the wafer) is supplied to the waste liquid storage portion 20. The waste liquid treatment tank 22 is embodied in the waste liquid storage unit 20 so that the waste liquid etc. flowing through the scavenge discharge line 18c can be stored and treated.
한편, 상기 배기라인(18a, 18b)은 그의 유입구에 우산모양의 캡(40)이 제4도 및 제5도에 도시되어 있는 바와같이 형성되어 있다.On the other hand, the exhaust lines 18a and 18b have an umbrella-shaped cap 40 formed at the inlet thereof as shown in FIGS. 4 and 5.
한편, 상기 폐액수납부(20)의 상부에는 제3도에 도시도니 바와 같이 상기 배기라인(18a, 18b)들이 내부에 끼워지도록 하는 배기호스(30)가 설치되어 있는 데, 이 배기호스(30)는 유연성 재지리로 이루어진 자바라구조를 갖고 있기 때문에, 바울부가 상하방향으로 이동되더라도 배기호스(30)가 유연하게 이동될 수 있다. 따라서 이 배기호스(30)와 주배기라인(24)사이의 연결부는 완전히 밀폐시킬 수 있어서, 그 배기효과를 향상시킬 수 있다. 상기 배기호스(30)에 있어서, 일부분이 자바라구조가 아니더라도 복수의 만곡부분으로 형성되어 있어서 바울부의 이동에 따라 무리없이 이동될 수 있다.An exhaust hose 30 is provided on the upper portion of the waste liquid containing portion 20 so as to allow the exhaust lines 18a and 18b to be fitted therein as shown in FIG. Has a bellows structure made of flexible re-geogrid, the exhaust hose 30 can be smoothly moved even when the boll portion is moved in the vertical direction. Therefore, the connection between the exhaust hose 30 and the main exhaust line 24 can be completely sealed, and the exhaust effect can be improved. In the exhaust hose 30, a part of the exhaust hose 30 is formed as a plurality of curved portions even if it is not a bellows structure, so that the exhaust hose 30 can be moved smoothly according to the movement of the pawl portion.
이와같이 연결부에서 완전히 밀폐되어 있기 때문에, 바울부내의 솔벤트 연무가 폐액수납부(20)에 연결된 주배기라인(24)을 통하여 배기되기 때문에, 그 배기압력이 상기 바울부내로 충분히 전달되는 것이다. 따라서 바울부내의 솔벤트 연무가 충분히 배기되어 바울부의 분위기가 안정된다.Since the solvent mist in the pawl portion is exhausted through the main exhaust line 24 connected to the waste liquid containing portion 20, the exhaust pressure is sufficiently transferred to the inside of the pawl portion. Therefore, the atmosphere of the Paul part is stabilized because the solvent mist in the Paul part is exhausted sufficiently.
또한 상기 감광액도포장치에 있어서는, 배기라인(18a, 18b)이 제4도에 도시된 바와같이 하부 바울부(17)의 저부를 관통하며서 설치되어 있기 때문에, 그 저부와 배기 랑니의 흡입구사이에는 어느 정도의 턱을 갖는 다. 이러한 턱은 감광액이 그 배기라인(18a, 18b)을 통하여 배출되지 않도록 하기 위한 것이다. 그리고 그 배기라인(18a, 18b)의 유입구에 대해서 수직적인 상방향에서 낙하되는 감광액이 배기되는 것을 방지하기 위하여 제5도에 도시된 바와같이 캡(40)이 설치되어 있다. 그 결고, 배기라인(18a, 18b)을 통해서는 감광액이 배출되지 않기 때문에 배기호스 (30)는 물론 주배기라인(24)의 오염을 방지할 수 있다.Further, since the exhaust lines 18a and 18b are provided so as to pass through the bottom of the lower pawl portion 17 as shown in FIG. 4, . This jaw is intended to prevent the photosensitive liquid from being discharged through the exhaust lines 18a, 18b. A cap 40 is provided as shown in FIG. 5 in order to prevent the photosensitive liquid dropping in a vertical upward direction from the inlet of the exhaust lines 18a and 18b from being exhausted. Since the photosensitive liquid is not discharged through the exhaust lines 18a and 18b, contamination of the main exhaust line 24 as well as the exhaust hose 30 can be prevented.
이 실시예에서는 본 발명이 감광막도포장치에 적용되는 것을 예시하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 감광액도포장치와 동일한 구조를 갖는 현상액분사(도포)장치에도 적용되어도 동일한 효과를 기대할 수 있다.In this embodiment, the present invention is applied to a photoresist coating apparatus, but the present invention is not limited to this, and the same effect can be expected even if the present invention is applied to a developer spraying apparatus (coating apparatus) having the same structure as the photoresist coating apparatus.
상술한 바와같이, 본 발명의 감광액/현상액도포장치에 의하면, 바울부의 저부를 관통하여 설치된 배기라인의 유입구에는 캡이 형성되어 있기 때문에 그의 수직 상방향에서 낙하되는 감광액/현상액을 차단할 수 있어서 배기호스와 주배기라인의 오염을 방지할 수 있고, 그로써 배기효율의 저하를 방지할 수 있다.As described above, according to the photoresist / developer applying apparatus of the present invention, since the cap is formed at the inlet port of the exhaust line provided through the bottom of the pawl portion, the photoresist / developer dropped in the vertical direction can be blocked, And the main exhaust line can be prevented from being contaminated, thereby preventing the exhaust efficiency from being lowered.
또한 상기 배기라인과 연통되어 있는 배기호스는 그 일부분이 유연성재질의 자바라구조 또는 복수의 만고부분을 갖고 있기 때문에 바울부의 상하이동에 따라 유연하게 이동할 수 있어서, 배기호스와 주배기라인과의 사이에 있는 연결부를 완전히 밀폐시킬 수 있다.Further, since the exhaust hose communicating with the exhaust line has a bellows structure of a flexible material or a plurality of marginal portions, the exhaust hose can move smoothly in accordance with the vertical movement of the pawl portion, It is possible to completely close the connecting portion.
더욱이, 배기호스가 직접 주배기라인에 접속되어 있기 때문에 바울부의 배기효과를 향상 시킬 수 있다.Furthermore, since the exhaust hose is directly connected to the main exhaust line, the exhaust effect of the pawl portion can be improved.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960028239A KR980011683A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960028239A KR980011683A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980011683A true KR980011683A (en) | 1998-04-30 |
Family
ID=66242392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960028239A KR980011683A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980011683A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030046901A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | Exhaust apparatus for spinner equipment |
-
1996
- 1996-07-12 KR KR1019960028239A patent/KR980011683A/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030046901A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | Exhaust apparatus for spinner equipment |
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