KR980011679A - 반도체 순수 배관라인 - Google Patents
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Abstract
배관중의 절곡된 부위에서 유체흐름의 사점(Dead point)이 형성되는 것을 예방하거나 최소화하는 반도체 순수 배관라인에 관한 것이다.
본 발명은, 절곡부를 갖는 반도체 순수 배관라인에 있어서, 상기 절곡부의 배관 내부에 배관 내부를 흐르는 순수의 일부를 절곡부의 외곽방향으로 분산시키는 분산판이 설치되어 있는 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 순수의 흐름이 분산됨으로 인해서 사점이 형성되지 않아 미생물의 이상번식을 예방하는 효과가 있고, 배관라인의 세정 작업주기를 크게 연장시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
본 발명은 반도체 순수 배관라인에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배관중의 절곡된 부위에서 유체흐름의 사점(Dead point)이 형성되는 것을 예방하거나 최소화하는 반도체 순수 배관라인에 관한 것이다. 반도체 장치의 제조에 있어서 수행되어지는 여러가지 공정중에는 세정공정과 같이 처리 중의 웨이퍼가 상당한 시간 동안을 물속에서 처리되어지는 경우가 많이 있다. 따라서, 이러한 반도체의 처리에 사용되어지는 물은 순수나 초순수가 아니면 그 내부에 수용성 광물, 불순물의 입자 및 박테리아 등의 오염물질이 상당히 용해 또는 분산되어져 있기 때문에 그 자체로서 하나의 오염원이 될 수 있다. 웨이퍼의 처리 중에 사용되어지는 물은 순수제조장치 등에 의하여 순수나 초순수 또는 탈이온수 등으로 고도로 정제되어져서 사용되어져야만 하며, 일단 정제되어진 순수는 배관을 통하여 다른 오염원 등에 노출됨이 없이 순수가 사용되어지는 장소에까지 공급되어져야한다. 따라서, 순수제조장치로부터 사용공정에 이르기까지 연결 배관내의 클리닝은 매우 중요하며, 배관자체는 체류부분이 적고 내부의 유량속도가 일정하게 유지되어질 수 있는 것이 바람직하다. 도1은 종래의 반도체 순수 배관라인의 개략적인 단면도이다. 도1을 참조하면, 순수공급원(도시되지 않음)에서 순수가 공급되는 절곡된 배관(10)라인이 형성되어 있다. 따라서, 절곡된 부위에서는 순수의 흐름이 부분적으로 정체되는 사점(P)즉, 와류(소용돌이 또는 맴돌이 등 물이 연속적으로 흐르지 않고 일정한 위치에 머무르게 되는 현상)의 형성이 일어나게 되며, 이러한 사점에서 순수 중에 포함되어질 수 있는 박테리아 등의 미생물의 이상번식이 일어나게 되어 배관 내부에서의 부착이나 또는 공정 중의 웨이퍼의 표면에로 전가되어 공정불량을 일으키는 문제점이 있었으며, 이를 제거하기 위하여는 주기적으로 배관의 내부를 세정하는 세정작업이 필요하게 되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 배관 중의 절곡부에서 사점이 형성되는 것을 방지하는 반도체 순수 배관라인을 제공하는데 있다.
제1도는 종래의 반도체 순수 배관라인의 개략적인 단면도이다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 순수 배관라인의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
제3도는 제2도의 AA' 선 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 배관 12:흐름분산판
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 순수 배관라인은, 절곡부를 갖는 반도체 순수 배관라인에 있어서, 상기 절곡부의 배관 내부에 배관 내부를 흐르는 순수의 일부를 절곡부의 외곽방향으로 분산시키는 분산판이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다. 이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 제2도는 본 발명에 따른 반도체 순수 배관라인의 일 실시예를 나타내는 단면도이고, 도3은 도2의 AA'선 단면도이다. 도2 및 도3을 참조하면, 순수공급원(도시되지 않음)에서 공급되는 순수가 공급되는 절곡된 배관(10)이 형성되어 있다. 배관(10) 내부에는 배관의 공간을 분활하는 평판형의 흐름분산판 (12)이 두개 형성되어 있다. 따라서, 순수공급원에서 공급되는 순수는 배관(10)의 절곡된 부위를 통과할시, 순수의 흐름이 분산되므로 사점이 형성되지 않는다.
따라서, 본 발명에 의하면, 배관라인의 절곡부에 형성된 흐름분산판에 의해서 순수의 흐름이 분산됨으로 인해서 사점이 형성되지 않아 미생물의 이상번식을 예방하는 효과가 있다. 또한, 상기한 바와 같이 미생물의 이상번식을 예방함으로써 순수의 적용을 받는 웨이퍼의 오염을 방지하고, 순수 배관라인의 세정작업주기를 크게 연장시킬 수 있는 효과가 있다. 이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (1)
- 절곡부를 갖는 반도체 순수 배관라인에 있어서, 상기 절곡부의 배관 내부에 배관내부를 흐르는 순수의 일부를 절곡부의 외곽방향으로 분산시키는 분산판이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 순수 배관라인.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019960031904A KR980011679A (ko) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 반도체 순수 배관라인 |
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1996
- 1996-07-31 KR KR1019960031904A patent/KR980011679A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19960731 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |