Claims (26)
반도체기판상에 제1절연막을 형성하여 기판 표면을 평탄화시키는 단계와, 상기 절연막상에 제1도전층과 제2절연막을 형성하는 단계, 소정의 스토리지전극 영역에 해당하는 상기 제2절연막부분을 선택적으로 소정두께만큼 식각하는 단계, 상기 제2절연막과 제1도전층 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 기판 소정부분을 노출시키는 스토리지전극 콘택을 형성하는 단계, 기판 전면에 제2도전층을 형성하는 단계, 상기 제2도전층 상부의 소정영역에 마스크패턴을 형성하는 단계, 및 상기 마스크패턴을 이용하여 상기 제2도전층과 제2절연막 및 제1도전층을 차례로 식각하여 상기 제1도전층 및 제2도전층으로 이루어진 스토리지전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a first insulating film on a semiconductor substrate to planarize a surface of the substrate; forming a first conductive layer and a second insulating film on the insulating film; Etching the second insulating layer, the first conductive layer, and the first insulating layer to form a storage electrode contact exposing a predetermined portion of the substrate, forming a second conductive layer on the entire surface of the substrate, Forming a mask pattern on a predetermined region of the second conductive layer; and etching the second conductive layer, the second insulating layer, and the first conductive layer in order by using the mask pattern, And forming a storage electrode made of a second conductive layer.
제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.2. The method of claim 1, wherein the first insulating film is formed of an oxide film.
제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, wherein the second insulating film is formed of an oxide film or a nitride film.
제1항에 있어서, 상기 마스크패턴을 이용하여 상기 제2도전층과 제2절연막 및 제1도전층을 차례로 식각하는 단계는 상기 제2도전층을 이방성식각하고, 상기 제2절연막을 등방성식각한 후, 상기 제1도전층을 이방성식각하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, wherein etching the second conductive layer, the second insulating layer, and the first conductive layer using the mask pattern comprises: anisotropically etching the second conductive layer; And anisotropically etching the first conductive layer after the step of forming the first conductive layer.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층은 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.2. The method of claim 1, wherein the first and second conductive layers are formed of polysilicon.
제1항에 있어서, 상기 마스크패턴은 감광막, 고분자 화합물, SOG 및 산화막중에서 선택한 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, wherein the mask pattern is formed of any one selected from the group consisting of a photoresist, a polymer, SOG, and an oxide.
제1항에 있어서, 상기 마스크패턴을 형성하는 단계는 기판 전면에 소정의 마스크물질층을 형성하고 에치백하여 소정의 스토리지전극 영역이외의 부분에 형성된 상기 마스크물질층을 식각하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method according to claim 1, wherein the forming of the mask pattern comprises forming a predetermined mask material layer on the entire surface of the substrate and etching back the mask material layer formed on a portion other than the predetermined storage electrode region Wherein the step of forming the capacitor comprises the steps of:
제7항에 있어서, 상기 에치백공정시 상기 마스크물질층과 그 하부의 제2도전층의 식각선택비는 1:1이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.8. The method of claim 7, wherein the etching selectivity of the mask material layer and the underlying second conductive layer in the etch back process is 1: 1.
제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device according to claim 1, wherein the second insulating film is formed in multiple layers.
제1항에 있어서, 상기 스토리지전극을 형성하는 단계후에 그 표면에 반구형 폴리실리콘층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, further comprising forming a hemispherical polysilicon layer on a surface of the storage electrode after forming the storage electrode.
제1항에 있어서, 상기 스토리지전극을 형성하는 단계후에 상기 스토리지전극 전면에 유전체막을 형성하고, 그 전면에 커패시터 플레이트전극을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, further comprising forming a dielectric film on the entire surface of the storage electrode after forming the storage electrode, and forming a capacitor plate electrode on the entire surface of the storage electrode.
반도체기판상에 제1절연막을 형성하여 기판 표면을 평탄화시키는 단계와, 상기 절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계, 소정의 스토리지전극 형성에 해당하는 상기 제2절연막 부분을 선택적으로 식각하는 단계, 상기 제2절연막과 제1절연막을 선택적으로 식각하여 기판 소정부분을 노출시키는 스토리지전극 콘택을 형성하는 단계, 기판 전면에 도전층을 형성하는 단계, 상기 도전층 상부의 소정영역에 마스크패턴을 형성하는 단계, 및 상기 마스크패턴을 이용하여 상기 도전층과 제2절연막을 차례로 식각하여 상기 제1도전층으로 이루어진 스토리지전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.Forming a first insulating film on the semiconductor substrate to planarize the surface of the substrate; forming a second insulating film on the insulating film; selectively etching the second insulating film portion corresponding to the predetermined storage electrode formation; Forming a storage electrode contact to expose a predetermined portion of the substrate by selectively etching the second insulating layer and the first insulating layer, forming a conductive layer on the entire surface of the substrate, forming a mask pattern on a predetermined region of the conductive layer And forming a storage electrode made of the first conductive layer by sequentially etching the conductive layer and the second insulating layer using the mask pattern.
제12항에 있어서, 상기 제1절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The method of claim 12, wherein the first insulating film is formed of an oxide film.
제12항에 있어서, 상기 제2절연막은 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The method of claim 12, wherein the second insulating film is formed of an oxide film or a nitride film.
제12항에 있어서, 상기 도전층은 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The method of claim 12, wherein the conductive layer is formed of polysilicon.
제12항에 있어서, 상기 마스크패턴은 감광막, 고분자 화합물, SOG 및 산화막중에서 선택한 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The method of claim 12, wherein the mask pattern is formed of any one selected from the group consisting of a photoresist, a polymer, a SOG, and an oxide.
제12항에 있어서, 상기 마스크패턴을 형성하는 단계는 기판 전면에 소정의 마스크물질층을 형성하고 에치백하여 소정의 스토리지전극 영역 이외의 부분에 형성된 상기 마스크물질층을 식각하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The method according to claim 12, wherein the forming of the mask pattern comprises a step of forming a predetermined mask material layer on the entire surface of the substrate and etching back the mask material layer formed in a portion other than the predetermined storage electrode region Wherein the step of forming the capacitor comprises the steps of:
제17항에 있어서, 상기 에치백공정시 상기 마스크물질층과 그 하부의 도전층의 식각선택비는 1:1이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.18. The method of claim 17, wherein the etching selectivity of the mask material layer and the underlying conductive layer in the etch back process is 1: 1.
제12항에 있어서, 상기 제2절연막을 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.A method of manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device according to claim 12, wherein the second insulating film is formed in multiple layers.
제12항에 있어서, 상기 스토리지전극을 형성하는 단계후에 그 표면에 반구형 폴리실리콘층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The method of claim 12, further comprising forming a hemispherical polysilicon layer on a surface of the storage electrode after forming the storage electrode.
제12항에 있어서, 상기 제1절연막을 형성한 후, 상기 제2절연막을 형성하는 단계전에 상기 제1절연막상에 소정의 물질층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The semiconductor memory device according to claim 12, further comprising a step of forming a predetermined material layer on the first insulating film after forming the first insulating film and before forming the second insulating film. A method of manufacturing a capacitor.
제21항에 있어서, 상기 물질층은 폴리실리콘층 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.22. The method of claim 21, wherein the material layer is formed of a polysilicon layer or a nitride film.
제12항 및 제22항에 있어서, 상기 물질층을 폴리실리콘층으로 형성하는 경우, 상기 마스크패턴을 이용하여 상기 도전층과 제2절연막을 차례로 식각하는 단계에서 상기 폴리실리콘층이 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The method of claim 12 or claim 22, wherein, when the material layer is formed of a polysilicon layer, the polysilicon layer is etched in successively etching the conductive layer and the second insulating layer using the mask pattern Wherein the step of forming the capacitor comprises the steps of:
제12항 및 제22항에 있어서, 상기 물질층을 질화막으로 형성하는 경우, 상기 마스크패턴을 이용하여 상기 도전층과 제2절연막을 차례로 식각하는 단계에서 상기 질화막을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The semiconductor device according to claim 12 or claim 22, wherein when the material layer is formed of a nitride film, the nitride film is completely removed in the step of successively etching the conductive layer and the second insulating film by using the mask pattern. A method of manufacturing a capacitor of a memory device.
제12항 및 제22항에 있어서, 상기 물질층을 질화막으로 형성하는 경우, 상기 마스크패턴을 이용하여 상기 도전층과 제2절연막을 차례로 식각하는 단계에서 상기 질화막을 식각하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.The semiconductor device according to claim 12 or claim 22, wherein, in the case of forming the material layer as a nitride film, the nitride film is not etched in successively etching the conductive layer and the second insulating film by using the mask pattern. A method of manufacturing a capacitor of a memory device.
제12항에 있어서, 상기 스토리전극을 형성하는 단계후에 상기 스토리지전극 전면에 유전체막을 형성하고, 그 전면에 커패시터 플레이트전극을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.13. The method of claim 12, further comprising forming a dielectric film on the entire surface of the storage electrode after forming the story electrode, and forming a capacitor plate electrode on the entire surface of the storage electrode.