KR980006080A - 소자분리 절연막 형성방법 - Google Patents
소자분리 절연막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은, 반도체 소자간의 분리막 형성방법에 있어서 소정의 식각을 통한 트렌치구조를 구비한 반도체 기판상에 상기 기판 전체구조에 산화막을 형성하고 상기 산화막을 비등방성 건식식각에 따라 제거하여 평탄화한 후 활성영역간의 트렌치 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 상기 기판상의 트렌치 구조를 이용하여 소자간 활성영역의 격리목적인 소자분리막을 형성하여 다층으로 인한 단차유발을 방지하며 소자의 집적도 향상과 희생산화막에 따른 공정의 복잡화를 제거하여 제조수율을 향상시킬수가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 일실시예에 따른 소자간 분리막 형성공정 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자간의 분리막 형성방법에 있어서, 소정의 식각을 통한 트렌치구조를 구비한 반도체 기판상에 상기 기판 전체구조에 산화막을 형성하고, 상기 산화막을 비등방성 건식식각에 따라 제거하며 평탄화한 후, 상기 형성된 상부층에 소정두께 산화막을 형성하여 활성영역간의 트렌치 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판상의 산화막 평탄화 방법은 화학적기계연마(CMP)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 ; 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025404A KR980006080A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 소자분리 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960025404A KR980006080A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 소자분리 절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006080A true KR980006080A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025404A KR980006080A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 소자분리 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006080A (ko) |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960025404A patent/KR980006080A/ko not_active Application Discontinuation
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