Claims (8)
반도체 장치의 소자 분리막 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 패드산화막, 제1질화막을 차레로 형성한 후, 소자분리 마스크를 사용하여 상기 패드산화막이 노출될 때까지 부분 식각하는 제1단계, 상기 소자 분리 마스크를 장벽으로 사용하여 상기 반도체 기판 내부의 소정 부위에 산소를 이온주입하는 제2단계, 열사화 및 어닐링하여 소자분리막을 형성하는 제3단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.A method of forming a device isolation film of a semiconductor device, the method comprising: forming a pad oxide film and a first nitride film on a semiconductor substrate in turn, and using a device isolation mask to partially etch the pad oxide film until the pad oxide film is exposed; And a third step of ion implanting oxygen into a predetermined portion of the semiconductor substrate using a separation mask as a barrier, and a third step of thermally annealing and annealing to form an element isolation film.
제1항에 있어서, 상기 제1 단계후 형성된 전체구조 상부에 제2 질화막을 증착하는 단게, 상기 제2 질화막을 블랭킷 식각하여 질화막 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.The semiconductor device of claim 1, further comprising depositing a second nitride film on the entire structure formed after the first step, and forming a nitride spacer by blanket etching the second nitride film. Device separator formation method.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 패드 산화막 형성후, 상기 제1 질화막의 응력을 완화하기 위한 완층 폴리실리콘막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.The method of claim 1 or 2, further comprising forming a full-layer polysilicon film for relieving stress of the first nitride film after the pad oxide film is formed.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3 단계 전에 소자 분리막이 형성될 영역의 상기 실리콘 기판상에 100내지 500Å깊이의 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.3. The device of claim 1, further comprising forming a trench having a depth of 100 to 500 μs on the silicon substrate in the region where the device isolation film is to be formed before the third step. 4. Separator Formation Method.
제2항에 있어서, 상기 제1 질화막은 100내지 2500Å, 상기 제2 질화막은 1000 내지 2000Å두께인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.The method of claim 2, wherein the first nitride film is 100 to 2500 kPa, and the second nitride film is 1000 to 2000 kPa.
제3항에 있어서, 상기 패드 산화막은 50 내지 150Å, 상기 완충 폴리실리콘막은 200 내지 500Å 두께인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.4. The method of claim 3, wherein the pad oxide film is 50 to 150 GPa, and the buffer polysilicon film is 200 to 500 GPa thick.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3 단계는 900 내지 1100℃범위에서 1000 내지 3000Å 두께의 열산화막을 형성하고, 질소 분위기에서 0.5 내지 3시간 동안 어닐링(Annealing) 하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.The method according to claim 1 or 2, wherein the third step is a step of forming a thermal oxide film having a thickness of 1000 to 3000 kPa in the range of 900 to 1100 ° C, and annealing for 0.5 to 3 hours in a nitrogen atmosphere. A device isolation film forming method of a semiconductor device.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산소 이온주입에 의해 형성된 영역의 두께는 2000 내지 4000Å, 상기 영역의 평균 깊이는 2000 내지 4000Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법.The method of claim 1 or 2, wherein the thickness of the region formed by the oxygen ion implantation is 2000 to 4000 microns, and the average depth of the region is 2000 to 4000 microns.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.