KR980005692A - 플라즈마를 사용한 건식 에칭 시스템과 건식 에칭 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼와 같은 에칭 대상물의 에지 형상에 대한 에칭 처리 동안 반응 용기 내에서 발생된 반응 생성물의 영향을 억제할 수 있는 건식 에칭 시스템. 상기 시스템은 에칭 작용이 실행되는 반응 용기와 , 반응 용기 내에서 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 발생기와, 반응 용기 내의 에칭 대상물을 유지하는 홀더와, 플라즈마내에 함유된 반응 생성물의 양을 검출하는 검출기와, 하나 이상의 특정값으로 플라즈마 내에 함유된 반응 생성물의 양을 제어하는 제어기를 포함한다. 에칭 대사물은 플라즈마 내에 함유된 종을 에칭하는 작용에 의해서 에칭된다. 검출기는 에르 ㄹ들어 특정한 파장의 플라즈마로부터 방광 강도를 검출한다. 상기 제어기는 바람직하게는 유전체 플레이트와 유도코일 사이의 간격을 조정하기 위한 간격 조정기를 포함하여서, 플라즈마 내에 함유된 반응 생성물의 양을 제어한다.

Description

플라즈마를 사용한 건식 에칭 시스템과 건식 에칭 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 건식 에칭 시스템의 개략적인 단면도이다.

Claims (12)

  1. 에칭 작용이 실행되는 반응 용기와, 상기 반응 용기 내에서 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 발생기와, 상기 반응 용기 내의 에칭 대상물을 유지하는 홀더와, 플라즈마 내에 함유된 반응 생성물의 양을 검출하는 검출기와, 상기 플라즈마 내에 함유된 상기 반응 생성물의 양을 하나 이상의 특정값으로 제어하는 제어기르 ㄹ포함하며, 상기 에칭 대상물이 상기 플라즈마 내에 함유된 종을 에칭하는 작용에 의해서 에칭되는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 검출기는 특정 파장에서 상기 플라즈마로부터의 광방출의 강도를 검출하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생기는 상기 반응 용기 상에 고정된 유전체 플레이트로서, 상기 반응 용기 외부의 상기 유전체 플레이트의 근처에 이동성 유도 코일이 설치되어 있는 유전체 플레이트와, 상기 용기에 고정되어 상기 에칭 대상물을 위한 홀더로서 작용하는 전극을 구비하며, 상기 제어기는 상기 유전체 플레이트와 상기 유도 코일 사이의 간격을 조정하기 위한 간격 조정기와, 상기 조정기와검출기의 작동을 연결하는 연결기를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 시스템.
  4. 반응 가스가 유입되는 반응 용기를 제조하는 단계와, 상기 용기 안에 플라즈마를 발생하는 단계와, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 용기 내의 에칭 대상물이 소정의 형상을 갖도록 건식 에칭하는 단계를 구비하며, 상기 건식 에칭 단계에서, 상기 플라즈마 내에 함유된 상기 반응 생성물의 양을 하나 이상의 특정 값으로 제어하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 사이 플라즈마 내의 상기 반응 생성물의 양의 제어가 특정 파장에서 검출된 방출 강도를 기초로 하여 실행되는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 플라즈마 내에서 상기 반응 생성물의 양의 제어가 상기 반응 용기에 고정된 유전체 플레이트와 상기 용기의 외부의 상기 플레이트 근처에 설치된 이동성 유도 코일을 사용하여, 상기 유도체판과 상기 유도 코일 사이의 간격을 하나 이상의 특정값으로 조정하는 방법으로 실행되는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 반응 용기, 상기 유전체 플레이트, 및 상기 에칭 대상물이 온도 변화도를 갖는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 위의 건식 에칭 단계의 종단점이 검출된 후, 상기 플라즈마 내에서 상기 반응 생성물의 양을 증가하는 단계와 상기 대상물을 오버에칭하는 단계를 부가적으로 실행하는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  9. 반응 가스가 유입되는 반응 용기를 제조하는 단계와, 상기 용기 안에 플라즈마를 발생하는 단계와, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 용기 내의 제 1 에칭 대항물이 소정의 형상을 갖도록 건식 에칭하는 단계와, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 용기 내의 제 2 에칭 대상물이 소정의 형상을 갖도록 건식 에칭하는 단계를 구비하며, 상기 제 1 에칭 대상물의 상기 건식 에칭 단계에서, 상기 플라즈마 내에 함유된 상기 반응 생성물이 양이 기준값으로서 저장되도록 검출되며, 상기 제 2의 에칭 대상물의 상기 건식 에칭 단게에서, 상기 플라즈마 내에 함유된 상기 반응 생성물의 양이 기준값과 동일하게 제어되는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 플라즈마 내에서 상기 반응 생성물의 양의 제어가 특정 파장에서 상기 검출된 방출 강도를 기초로하여 실행되는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 플라즈마 내에서 상기 반응 생성물의 양의 제어가 상기 반응 용기에 고정된 유전체 플레이트와 상기 용기의 외부의 상기 판의 상기 근처에 설치된 이동성 유도 코일을 사용하여 상기 유전체 플레이트와 상기 유도 코일 사이의 간격이 하나 이상의 특정값으로 조정되는 방법으로 실행되는 것을 특징으로 하는 건식 에칭 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 반응 용기, 상기 유전체 플레이트, 상기 에칭 대상물이 온도 변화도를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970024728A 1996-06-14 1997-06-14 플라즈마를 사용한 건식 에칭 시스템과 건식 에칭 방법 KR100245105B1 (ko)

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6267121B1 (en) * 1999-02-11 2001-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Process to season and determine condition of a high density plasma etcher
US6281135B1 (en) 1999-08-05 2001-08-28 Axcelis Technologies, Inc. Oxygen free plasma stripping process
US6492186B1 (en) * 1999-08-05 2002-12-10 Eaton Corporation Method for detecting an endpoint for an oxygen free plasma process
US6320320B1 (en) * 1999-11-15 2001-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing uniform process rates
DE10310524A1 (de) * 2003-03-11 2004-09-23 Micronas Gmbh Verfahren zum Ätzen einer Probe sowie Ätzanlage
EP1480250A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-24 HELYSSEN S.à.r.l. A high density plasma reactor and RF-antenna therefor
JP3839038B2 (ja) * 2003-06-02 2006-11-01 株式会社シンクロン 薄膜形成装置
US7713432B2 (en) * 2004-10-04 2010-05-11 David Johnson Method and apparatus to improve plasma etch uniformity
US8223470B2 (en) * 2006-10-10 2012-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method to improve uniformity and reduce local effect of process chamber
US8257503B2 (en) 2008-05-02 2012-09-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for detecting plasma unconfinement
CN102428545B (zh) * 2009-08-25 2014-05-07 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置以及器件的制造方法
CN111415854B (zh) * 2019-01-04 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺的控制方法及控制装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474650A (en) * 1991-04-04 1995-12-12 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for dry etching
US5277751A (en) * 1992-06-18 1994-01-11 Ogle John S Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window
US5308414A (en) * 1992-12-23 1994-05-03 International Business Machines Corporation Method and apparatus for optical emission end point detection in plasma etching processes
JP3193815B2 (ja) * 1993-10-20 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびその制御方法
JPH0855835A (ja) * 1994-08-15 1996-02-27 Sony Corp プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
JP2770753B2 (ja) * 1994-09-16 1998-07-02 日本電気株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2666768B2 (ja) * 1995-04-27 1997-10-22 日本電気株式会社 ドライエッチング方法及び装置

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