KR980005317A - 감광막 제거방법 - Google Patents
감광막 제거방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005317A KR980005317A KR1019960024386A KR19960024386A KR980005317A KR 980005317 A KR980005317 A KR 980005317A KR 1019960024386 A KR1019960024386 A KR 1019960024386A KR 19960024386 A KR19960024386 A KR 19960024386A KR 980005317 A KR980005317 A KR 980005317A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist film
- funnel
- plasma
- photoresist
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 감광막 제거시 발생하는 폴리머에 대한 영향을 방지할수 있는 감광막 제거방법을 제공한다. 본 발명에 따른 감광막 제거방법은 웨이퍼가 로딩된 웨이퍼 이송수단의 플레이트를 펀넬의 하단과 대응하도록 이송시키는 단계와, H2O의 기화된 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼에 도포된 감광막을 제거하는 단계와, 펀넬내부의 공간에 고온의 CF4가스를 공급하여 CF4플라즈마를 형성시켜 감광막 제거시 발생되어 웨이퍼 표면에 증착된 폴리머를 제거하는 단계로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도 a 부의 상세도.
Claims (2)
- 펀넬 및 펀넬 상부에 플라즈마 발생장치가 구비된 감광막 제거장치를 이용하여 웨이퍼 표면에 도포된 감광막을 제거하는 감광막 제거방법에 있어서, 웨이퍼가 로딩된 웨이퍼 이송수단의 플레이트를 펀넬의 하단과 대응하도록 이송시키는 단계와, 상기 단계에서 H2O의 기화된 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼에 도포된 감광막을 제거하는 단계와, 상기 단계에서 펀넬 내부의 공간에 고온의 CF4가스를 공급하여 CF4플라즈마를 발생시켜 감광막 제거시 발생되어 웨이퍼 표면에 증착된 폴리머를 제거하는 단계로, 이루어진 감광막 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 이송수단은 그 플레이트가 펀넬의 하단과 소정의 간격을 갖도록 이송되어 감광막 제거시 발생하는 폴리머가 상기 간격을 통하여 외부로 배출될 수 있는 감광막 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024386A KR980005317A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 감광막 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024386A KR980005317A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 감광막 제거방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005317A true KR980005317A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024386A KR980005317A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 감광막 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005317A (ko) |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024386A patent/KR980005317A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920022374A (ko) | 웨이퍼로부터 물질을 제거하기 위한 시스템 | |
| WO2005024325A3 (en) | Method and system for drying a substrate | |
| KR920007088A (ko) | 도포장치 및 도포방법 | |
| ID17230A (id) | Metode memproses lapisan bawah | |
| KR970008377A (ko) | 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| US6066578A (en) | Method and system for providing inorganic vapor surface treatment for photoresist adhesion promotion | |
| KR980005317A (ko) | 감광막 제거방법 | |
| KR20110018318A (ko) | 헬륨 디스커밍 | |
| KR970077209A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR100431293B1 (ko) | 반도체 소자의 제조장비 | |
| KR970077277A (ko) | 실리콘 기판의 후면 손상 방지방법 | |
| KR970063459A (ko) | 반도체장치의 박막 형성방법 | |
| KR980005735A (ko) | 반도체 소자의 파티클 제거 장치 | |
| KR970007495A (ko) | 반도체 소자의 제조에 사용되는 도포장치 | |
| KR950006999A (ko) | 웨이퍼 표면 산화막 제거방법 | |
| KR970072168A (ko) | 반도체장치의 폴리머 증착 억제방법 | |
| KR0135794Y1 (ko) | 웨이퍼 세정액 분사 장치 | |
| KR960002607A (ko) | 에스오지(SOG)막의 사이드 비드(Bead) 제거장치 | |
| KR970063540A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970067658A (ko) | 반도체 포토레지스트 애싱방법 | |
| JPS60254730A (ja) | レジスト剥離装置 | |
| KR970052759A (ko) | 반도체 소자의 폴리머 제거방법 | |
| KR970077308A (ko) | 플라즈마 식각공정에서의 파티클(particle)제거방법 | |
| KR970077202A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
| KR970063420A (ko) | 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |