KR970072446A - 소자분리 특성을 개선시키기 위한 불휘발성 기억장치의 제조방법 - Google Patents

소자분리 특성을 개선시키기 위한 불휘발성 기억장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

불휘발성 기억장치의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 접지선택 트랜지스터를 디플리션 트랜지스터로 사용하는 불휘발성 기억장치의 제조방법에 있어서, 상기 디플리션 트랜지스터의 디플리션 채널영역을 형성하기 위한 디플리션 이온주입 마스크에 비트라인 콘택 사이의 좁은 필드산화막을 동시에 노출시키는 패턴을 추가로 형성시키어, 디플리션 이온주입 마스크를 사용하는 사진공정을 통하여 비트라인 콘택 사이의 좁은 필드산화막 및 상기 디플리션 트랜지스터가 형성될 활성영역을 동시에 노출시킨 다음에, 반도체기판과 도전성이 반대형인 불순물을 제1에너지로 이온주입하여 상기 노출된 활성영역의 표면에 디플리션 채널영역을 형성하고, 반도체 기판과 도전성이 동일한 불순물을 제1에너지보다 높은 제2에너지로 이온주입하여 상기 노출된 필드산화막 아래에 채널스톱 불순물 영역을 형성함과 동시에 상기 디플리션 채널영역 아래에 펀치스로우 방지 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 동작속도가 저하되는 것을 방지하면서 소자분리 특성이 개선된 고집적 불휘발성 기억장치를 구현할 수 있다.

Description

소자분리 특성을 개선시키기 위한 불휘발성 기억장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 의한 불휘발성 기억장치의 레이아웃도이다. 제2B도 및 제2C도는 제2A도의 AA'에 따른 본 발명의 불휘발성 기억장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

Claims (2)

  1. 제1도전형의 반도체기판의 소정영역에 소자분리를 위하여 형성된 필드산화막 사이의 활성영역 상에 하나의 비트라인 콘택, 하나의 스트링 선택 트랜지스터, 복수의 셀 트랜지스터, 제1접지 선택 트랜지스터, 및 제2접지 선택 트랜지스터가 차례로 이웃하도록 형성된 스트링이 2차원적으로 배열된 셀 어레이 영역을 포함하는 불휘발성 기억장치의 제조방법에 있어서, 상기 필드산화막이 형성된 반도체기판의 활성영역 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 복수의 스트링 중에 하나의 스트링의제1접지 선택 트랜지스터가 형성될 활성영역, 이와 이웃한 다른 하나의 스트링의 제2접지 선택 트랜지스터가 형성될 활성영역, 및 상기 비트라인 콘택 사이의 필드산화막을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 이온주입 마스크로하여 상기 노출된 활성영역에 제2도전형의 불순물을 제1에너지로 이온주입하여 디플리션 채널영역을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로하여 제1도전형의 불순물을 상기 제1에너지보다 높은 제2에너지로 이온주입하여 상기 노출된 필드산화막 아래의 반도체기판 표면 및 상기 디플리션 채널 영역 아래에 각각 채널스톱 불순물 영역 및 펀치스로우 방지 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2에너지는 100KeV 내지 150KeV인 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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