KR970072189A - 질화탄소(CNx) 박막 형성장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 체임버(chamber)와, 배기부와, 탄소이온(C-)공급부와, 질소이온(N-) 공급부로 구성되고, 일정진공압으로 유지된 체임버의 내부에 장착된 흑연 타깃에 세슘이온 빔을 조사하여 탄소이온 빔을 방출시키는 제1과정과, 상기 제1과정에서 방출된 탄소이온 빔을 가속시키면서 상기 체임버 내부에 장착된 기판 측으로 유도하는 제2과정과, 상기 제2과정에서 유도된 탄소이온 빔과 반응하여 상기 기판에 질화탄소 반막을 형성시키는 질소이온 빔을 상기 기판 측으로 공급하는 제3과정을 거쳐 질화탄소(CNx) 박막을 형성시키는 질화탄소 박막 형성장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 높은 에너지를 가진 탄소이온 빔과 질소이온 빔을 반응시켜 질화탄소 박막을 형성시키기 때문에 경도(hardness), 모듈러스(modulus : 단위 격자의 변형에 드는 힘) 및 기판과의 결합력이 강한 질화탄소 박막을 단시간 내에 기판에 중착시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

질화탄소(CNx) 박막 형성장치 및 그 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 질화탄소 박막 형성장치의 구성도.

Claims (4)

  1. 질화탄소(CNx) 박막이 중착될 기판이 내부에 장착된 체임버(chamber)와, 상기 체임버 내부가 일정 진공압으로 유지되도록 상기 체임버 내부의 기체를 배출하는 배기부와, 상기 채임버의 내부에 장착되어 상기 질화탄소 박막의 형성에 필요한 탄소이온(C-) 빔을 발생시킨후 상기 기판 측으로 유도하는 탄소이온 공급부와, 상기 탄소이온 빔과 반응하여 상기 기판에 질화탄소 박막을 형성시키는 질소이온(N+) 빔을 상기 기판 측으로 공급하는 질소이온 공급부로 구성된 것을 특징으로 하는 질화탄소 박막 형성장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 탄소이온 공급부는 세슘이온(Cs+) 빔을 방출하는 세슘이온 건 소스(Cs+gunsource)와; 상기 세슘이온 건 소스에서 방출되는 세슘이온 빔과 충돌하여 탄소이온 빔을 방출하는 흑연 타깃(graphite target)과; 상기 세슘이온 빔과 탄소이온 빔을 각각 가속시키면서 상기 흑연 타깃과 기판 측으로 각각 유도하는 제어 전국으로 구성된 것을 특징으로 하는 질화탄소 박막 형성장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 세슘이온 건 소스는 고상 전해질인 세슘-모데나이트(cesium-mordenite)와, 상기 세슘-모데나이트로부터 확산 이동된 세슘을 이온화하여 세슘이온 빔을 방출하는 다공질의 텡스텐 피막과, 상기 세슘-모데나이트 및 텅스텐 피막에 일정 전압을 공급하는 전원으로 구성된 것을 특징으로 하는 질화탄소 박막 형성장치.
  4. 일정 진공압으로 유지된 체임버의 내부에 장착된 흑연 타깃에 세슘이온 빔을 조사하여 탄소이온 빔을 방출시키는 제1과정과, 상기 제2과정에서 방출된 탄소이온 빔을 가속시키면서 상기 체임버 내부에 장착된 기판 측으로 유도하는 제2과정과, 상기 제2과정에서 유도된 탄소이온 빔과 반응하여 상기 기판에 질화탄소 박막을 형성시키는 질소이온 빔을 상기 기판 측으로 공급하는 제3과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화탄소 박막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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