KR970072076A - 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치 - Google Patents

이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치 Download PDF

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KR970072076A
KR970072076A KR1019960011675A KR19960011675A KR970072076A KR 970072076 A KR970072076 A KR 970072076A KR 1019960011675 A KR1019960011675 A KR 1019960011675A KR 19960011675 A KR19960011675 A KR 19960011675A KR 970072076 A KR970072076 A KR 970072076A
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ion implantation
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wafer
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faraday cup
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KR1019960011675A
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오상근
김정곤
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

이온주입을 위하여 진행되는 이온빔이 최종도착하는 패러데이컵 어셈블리에 이온주입에 따라 웨이퍼에서 방출되는 이차전자를 자장으로 억제하도록 개선한 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치에 관한 것이다.
본 발명은, 디스크에 장착된 웨이퍼로 이온주입을 위하여 진행하는 양이온이 통과하는 패러데이컵 어셈블리를 구비한 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치에 있어서, 상기 패러데이컵 어셈블리에 자장발생수단이 병설되어 상기 웨이퍼에 이온이 주입됨에 따라 이차전자가 발생되는 것을 억제하기 위한 역자장을 인가하도록 이루어진다.
따라서, 이온주입에 따른 이차전자 발생 억제를 위하여 역자장이 이용되므로 특히 디프 프로세스에서 마이크로 방전에 의한 웨이퍼 오염이 원천적으로 방지되어 수율을 향상시키고 측정을 정확히 수행할 수 있는 효과가 있다.

Description

이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치의 실시예를 나타내는 구성도이다.

Claims (5)

  1. 디스크에 장착된 웨이퍼로 이온주입을 위하여 진행하는 양이온이 통과하는 패러데이컵 어셈블리를 구비한 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치에 있어서, 상기 패러데이컵 어셈블리에 자장발생수단이 병설되어 상기 웨이퍼에 이온이 주입됨에 따라 이차전자가 발생되는 것을 억제하기 위한 역자장을 인가하도록 이루어짐을 특징으로 하는 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자장발생수단은 마그네트로 이루어짐을 특징으로 하는 이온 주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자장발생수단은 유도자장발생체로 이루어짐을 특징으로 하는 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 패러데이컵 어셈블리는 상기 디스크에 부설된 샘플링용으로 상기 자장발생수단은 마그네트로 병설됨을 특징으로 하는 이온 주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 자장발생수단은 300KeV 이상의 가속에너지로 이온이 웨이퍼에 주입되어 발생되는 이차전자의 발생억제를 위한 레벨을 갖는 역자장을 인가하는 것으로서 심층으로 이온주입되는 설비에 적용됨을 특징으로 하는 이온 주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960011675A 1996-04-17 1996-04-17 이온주입설비에서의 웨이퍼 이차전자 발생 억제장치 KR970072076A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030090150A (ko) * 2002-05-21 2003-11-28 주식회사 선익시스템 전자빔 증발기에서의 이차전자 제거장치
KR100725094B1 (ko) * 2001-04-18 2007-06-04 삼성전자주식회사 이온주입시스템의 웨이퍼 이차전자 발생억제장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100725094B1 (ko) * 2001-04-18 2007-06-04 삼성전자주식회사 이온주입시스템의 웨이퍼 이차전자 발생억제장치
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