Claims (15)
반도체 디바이스에 있어서, 절연 베이스층이 있는 다수의 상호접속 필름을 갖는 필름 회로로서, 상기 다수의 상호접속 필름은 반도체 소자의 적어도 한 전극에 접속된 반도체 소자측 단자를 갖고 있으며 외부 단자는 반대쪽 에지 상에 배치되어 있는 필름 회로; 상기 상호접속 필름의 상기 반도체 소자측 단자에 접속된 다수의 전극을 갖는 반도체 소자; 및 상기 반도체 소자를 감싸는 상기 필름 회로에 부착된 링형의 전기적도전성 보강판으로서, 상기 보강판, 상기 필름 회로 및 상기 반도체 소자간의 공간이 시일링되어 있는 링형의 전기적 도전성 보강판을 포함하고,상기 필름 회로는 그라운도 라인으로서의 역할을 하는 상호접속 필름을 포함하며, 상기 도전성 보강판은 상기 상호접속 필름과 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.A semiconductor device, comprising: a film circuit having a plurality of interconnect films with an insulating base layer, the plurality of interconnect films having semiconductor device side terminals connected to at least one electrode of the semiconductor device and the external terminals on opposite edges. A film circuit disposed in the; A semiconductor element having a plurality of electrodes connected to the semiconductor element-side terminals of the interconnect film; And a ring-shaped electrically conductive reinforcement plate attached to the film circuit covering the semiconductor element, the ring-shaped electrically conductive reinforcement plate having a space between the reinforcement plate, the film circuit, and the semiconductor element sealed. The circuit comprises an interconnect film serving as a ground line, the conductive reinforcing plate being electrically connected with the interconnect film.
제1항에 있어서, 히트 싱크는 상기 반도체 소자의 하부에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device of claim 1, wherein a heat sink is attached to the bottom of the semiconductor element.
제1항에 있어서, 상기 절연층은 감광 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 1, wherein said insulating layer is made of a photosensitive material.
제1항에 있어서, 상기 보강판은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device of claim 1, wherein the reinforcement plate comprises aluminum.
제1항에 있어서, 상기 보강판의 적어도 일부는 상기 필름 회로의 에지로부터 돌출되고, 상기 돌출 부분은 도전성 페이스트를 통해 상기 상호접속 필름과 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device of claim 1, wherein at least a portion of the reinforcing plate protrudes from an edge of the film circuit, and the protruding portion is electrically connected with the interconnect film through a conductive paste.
제1항에 있어서, 외부 보강 링은 상기 상호접속 필름에 의해 형성되고 그라운드 라인으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 1, wherein an outer reinforcing ring is formed by said interconnect film and used as a ground line.
반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 전기적 도전성 보강판을 필름 회로에 부착하는 단계; 상기 보강판에 의해 둘러싸인 위치에 반도체 소자를 배치하는 단계; 반도체 소자측 상의 상기 필름 회로의 단자에 상기 반도체 소자의 전극을 본딩하는 단계; 및 상기 보강판, 상기 필름 회로 및 상기 반도체 소자 간의 공간을 시일링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.A method of making a semiconductor device, comprising: attaching an electrically conductive reinforcing plate to a film circuit; Disposing a semiconductor element at a position surrounded by the reinforcing plate; Bonding an electrode of the semiconductor element to a terminal of the film circuit on the semiconductor element side; And sealing a space between the reinforcement plate, the film circuit, and the semiconductor element.
제7항에 있어서, 상기 필름 회로 주변에 형성된 그라운드 라인과 상기 보강판을 전기적으로 접속시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.8. The method of claim 7, further comprising electrically connecting the ground line formed around the film circuit and the reinforcement plate.
반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 적어도 3개의 층을 가지며 제2층의 두께는 제1층의 두께보다 더 두꺼우며 상기 층들 중 하나는 에칭 스토퍼인 금속 적층 플레이트의 제1층 상에 형성된 필름회로의 주변에 다수의 리드 및 그라운드 라인을 형성하는 단계; 상기 금속 적층 플레이트 상에 절연층을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 제2층을 선택적으로 에칭하는 단계; 상기 리드들을 전기적으로 절연시키기 위해서 마스크로서 상기 리드를 사용하는 상기 제1층 및 상기 에칭 스토퍼층을 에칭하는 단계; 상기 필름 회로에 도전성 보강판을 부착하는 단계; 상기 필름 회로의 주변에서 상기 그라운드 라인과 상기 보강판을 전기적으로 접속시키는 단계; 상기 보강판 내의 오프닝 내에 반도체 소자를 배치시키는 단계; 상기 리드에 상기 반도체 소자의 전극을 본딩하는 단계; 및 상기 보강판, 상기 필름 회로 및 상기 반도체 소자 간의 공간을 시일링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a film circuit formed on a first layer of a metal laminate plate having at least three layers, the thickness of the second layer being thicker than the thickness of the first layer and one of the layers being an etch stopper Forming a plurality of lead and ground lines around the periphery; Selectively forming an insulating layer on the metal lamination plate; Selectively etching the second layer; Etching the first layer and the etching stopper layer using the lead as a mask to electrically insulate the leads; Attaching a conductive reinforcing plate to the film circuit; Electrically connecting the ground line and the reinforcement plate in the periphery of the film circuit; Disposing a semiconductor element in an opening in the reinforcement plate; Bonding an electrode of the semiconductor device to the lead; And sealing a space between the reinforcement plate, the film circuit, and the semiconductor element.
제9항에 있어서, 상기 보강판의 적어도 일부는 상기 필름 회로의 에지로부터 돌출되고, 상기 돌출 부분은 도전성 페이스트를 통해 상기 상호접속 필름과 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.10. The method of claim 9, wherein at least a portion of the reinforcing plate protrudes from an edge of the film circuit, and the protruding portion is electrically connected with the interconnect film through a conductive paste.
제9항에 있어서, 상기그라운드 라인으로서 사용되는 상기 금속 적층 플레이트의 적어도 한 층을 연장시키므로써 외부 링을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 방법.10. The method of claim 9, further comprising forming an outer ring by extending at least one layer of the metal laminate plate used as the ground line.
반도체 디바이스에 있어서, 반도체 칩; 상기 반도체 칩에 인접한 도전성 보강판; 및 상기 반도체 칩의 그라운드 기준으로부터 상기 보강판까지의 전기 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.A semiconductor device comprising: a semiconductor chip; A conductive reinforcing plate adjacent to the semiconductor chip; And an electrical connection portion from the ground reference of the semiconductor chip to the reinforcement plate.
제12항에 있어서, 상기 도전성 보강판은 상기 반도체 칩을 반도체 칩을 감싸는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 12, wherein the conductive reinforcing plate surrounds the semiconductor chip.
제12항에 있어서, 상기 전기적 도전성 보강판과 상기 반도체 칩의 상기 그라운드 기준과의 사이에 접속부를 형성하는 적어도 하나의 그라운드 라인은 2개의 신호 리드를 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 12, wherein at least one ground line forming a connection portion between the electrically conductive reinforcing plate and the ground reference of the semiconductor chip is disposed between two signal leads.
제14항에 있어서, 상기 도전성 보강판과 상기 반도체 칩의 상기 그라운드 기준과의 사이에 전기적 접속부를 형성하는 다수의 그라운드 라인은 2개의 신호 리드들 사이에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.The semiconductor device according to claim 14, wherein a plurality of ground lines forming an electrical connection between the conductive reinforcing plate and the ground reference of the semiconductor chip are disposed between two signal leads, respectively.