KR970067612A - 금속 잔류물을 방지하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

금속 잔류물을 방지하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

플라즈마 없이 할로겐 함유 가스를 처리 챔버에 주입함으로써 반도체 제조공정에서 금속 에칭후 남아있는 잔류물을 제한하기 위한 장치 및 방법. 웨이퍼는 금속이 웨이퍼상에 증착되기 전에 챔버의 잔류 할로겐 함유 가스에 노출된다. 상기 노출은 금속 증착시 동일 챔버, 또는 다른 챔버에서 발생할 수 있다. 상기 웨이퍼는

Description

금속 잔류물을 방지하기 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 일 실시예에서 사용된 반도체 웨이퍼 처리 시스템의 다이어그램.

Claims (26)

  1. 반도체 제조 공정에서 금속의 에칭백후 잔류물 형성을 방지하기 위한 방법에 있어서, 플라즈마 없이 할로겐 함유 가스를 처리 챔버에 주입하는 단계; 상기 웨이퍼를 상기 할로겐 함유 가스의 잔류물에 노출하는 단계; 반도체 웨이퍼상에 한층의 금속을 증착하는 단계; 및 상기 금속층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 할로겐은 플루오르 및 염소인 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 할로겐 함유 가스는 NF3인 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 NF3는 2-30초 동안 주입되는것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 NF3는 10-2000sccm의 비율로 주입되는것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 NF3는 50밀리토르 및 90토르 사이의 압력으로 주입되는것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 할로겐 함유 가스는 상기 웨이퍼가 상기 처리 챔버에 삽입되기 전에 주입되는 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 NF3는 상기 처리 챔버에 주입되고, 그후에 금속이 상기 동일 처리 챔버내의 상기 웨이퍼상에 증착되는 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 금속은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  10. 반도체 제조 공정에서 금속 에칭백후 잔류물 형성을 방지하기 위한 방법에 있어서, 플라즈마 없이 NF3가스를 처리 챔버에 주입하는 단계를 포함하는데, 상기 주입 단계는, 상기 NF3가스를 10-2000sccm 의 흐름 속도로 주입하는 단계, 상기 NF3가스를 2-30초 동안 주입하는 단계, 및 상기 NF3가스를 50밀리토르 및 90토르 사이의 압력으로 주입하는 단계를 포함하고; 상기 웨이퍼를 상기 NF3가스의 잔류물에 노출시키는 단계; 반도체 웨이퍼상에 텅스텐 층을 증착하는 단계; 및 상기 텅스텐 층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 NF3는 10-150sccm의 흐름 속도 및 50밀리토르 및 10토르 사이의 압력으로 주입되는것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 NF3가스는 상기 처리 챔버에 삽입되기 전에 주입되는 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 방법.
  13. 반도체 제조 공정에서 금속의 에칭백후 잔류물 형성을 방지하기 위한 장치에 있어서, 플라즈마 없이 할로겐 함유 가스를 처리 챔버에 주입하기 위한 수단; 상기 웨이퍼를 상기 할로겐 함유 가스의 잔류물에 노출하기 위한 수단; 반도체 웨이퍼상에 한층의 금속을 증착하기 위한 수단; 및 상기 금속층을 에칭하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 할로겐은 플루오르 및 염소중 하나인 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 할로겐 함유 가스는 NF3인 것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 NF3를 2-30초 동안 주입하기 위한 수단을 더 포함하는것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 NF3를 10-2000sccm의 속도로 주입하기 위한 수단을 더 포함하는것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 NF3를 50밀리토르 및 90토르 사이의 압력으로 주입하기 위한 수단을 더 포함하는것을 특징으로 하는 잔류물 형성 방지 장치.
  19. 반도체 웨이퍼 제조 장치에 있어서, 처리 챔버; 상기 챔버에서 웨이퍼를 지지하기 위한 가열기; 상기 챔버에 설비된 가스 방출 헤드; 상기 챔버에 선택적으로 가스를 유입하기 위한 상기 가스 방출 헤드에 연결된 가스 분배 시스템; 상기 가스 분배 시스템을 제어하기 위한 제어기; 및 상기 제어기에 결합되고 상기 챔버 및 가스 분배 시스템의 동작을 지시하기 위한 프로그램을 저장하는 메모리를 포함하는데, 상기 프로그램은 할로겐 함유 가스를 상기 챔버에 주입하기 위한 한세트의 명령을 포함하여 상기 웨이퍼는 금속층이 상기 웨이퍼상에 증착된후 및 상기 금속이 에칭되기 전에 상기 할로겐 함유 가스의 잔류물에 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 할로겐은 플루오르 및 염소중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 할로겐 함유 가스는 NF3인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 프로그램은 상기 NF3가 2-30초 동안 주입되도록 하는 명령을 더 포함하는것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 프로그램은 상기 NF3를 10-2000sccm의 속도로 주입되도록 하는 명령을 더 포함하는것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  24. 제21항에 있어서, 상기 프로그램은 상기 NF3를 50밀리토르 및 90토르 사이의 압력으로 주입되도록 하는 명령을 더 포함하는것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  25. 제19항에 있어서, 상기 할로겐 함유 가스를 주입하기 위한 상기 명령은 상기 웨이퍼가 상기 처리 챔버에 삽입되기 전에 실행되는 것을 상기 프로그램은 상기 NF3가 2-30초 동안 주입되도록 하는 명령을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
  26. 제19항에 있어서, 상기 금속은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970009621A 1996-03-29 1997-03-21 금속 잔류물을 방지하기 위한 방법 및 장치 KR970067612A (ko)

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