KR970067380A - 플레쉬 셀 메모리 디바이스 장치 - Google Patents

플레쉬 셀 메모리 디바이스 장치 Download PDF

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KR970067380A
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract

본 발명은 에어정정코드(ECC:Error Correction Code)를 이용하여 데이타내의 에러를 체크하고, 이를 정정하여 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 플래쉬 셀 메모리 디바이스장치에 관한 것으로, 이의 구성은 리드모드와 소거모드, 그리고 프로그램모드가 존재하며, 엔코딩된 데이타와 패리티 체크 비트가 저장된 플래쉬 메모리 셀에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 셀의 데이타를 입출력시 비트에러를 검출함과 아울러 이에 대한 정정코드를 발생하는 에러정정코드 발생부를 포함하여 구성함으로써 리던던시 메모리 셀 어레이의 크기를 줄일 수 있고, 데이타 저장기간의 연장과, 플래쉬 메모리 셀에 저장된 데이타의 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있으며, 에러정정코드장치의 알고리즘을 어떻게 구현하느냐에 따라 에러검출과 정정할 수 있는 여유를 설계자에게 제공함과 아울러 칩의 크기와 에러정정능력 사이의트레이드 오프(trade-off)를 설계자에게 제공하는 효과가 있게 된다.

Description

플레쉬 셀 메모리 디바이스 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 플레쉬 셀 메모리 디바이스 장치의 블럭도, 제2도는 제1도 에러정정코드 발생부의 내부 블럭도, 제3도는 제2도 에러정정코드 제어부의 내부 블럭도.

Claims (3)

  1. 입력되는 열, 횡, 그리고 섹터데이타를 일시 저장하는 버퍼(100,230,130)와, 상기 버퍼(100,230,130)의 출력을 디코딩하기에 적당한 형태로 전치리하는 프리디코더911,240,1400와, 상기 프리디코더(110,240,140)의 출력을 인가받아 디코딩하여 플래쉬메모리 셀(250-1,250-2)의 데이타를 지정하는 각 어드레스를 발생하는 디코더(120-1,120-2,240)와, 엔코딩된 데이타와 패리티 비트를 저장하고 있는 산기 플래쉬 메모리셀(250-1,250-2)과, 상기 플래쉬 메모리 셀(250-1,250-2)의 데이타를 읽어내기 위한 센스증폭부(220)와, 리드, 소거, 그리고 프로그램 알고리즘을 제어하기 위한 제어부(180)와, 상기 제어부(180)의 알고리즘을 구현하기 위한 모드 제어부(190)와, 상기 모드 제어부(190)에 의해 소거 또는 프리그래밍시에 상기 플래쉬 메모리 셀(250-1,250-2)의 워드라인과 비트라인, 그리고 기타 게이트에 고전압을 인가하기 위한 고전압 발생부(200)와, 상기 플래쉬 메모리 셀(250-1,250-2)에 리드 또는 라이트하기 위한 데이타를 입출력하는 입력버퍼 및 출력버퍼(160,170)와, 상기 플래쉬 메모리 셀(250-1,250-2)의 데이타를 입출력시 비트에러를 검출함과 아울러 이에 대한 정정코드를 발생하는 에러정정코드 발생부(210)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 플레쉬 셀 메모리 디바이스 장치.
  2. 제1항에 있어서, 에러정정코드 발생부(210)는 입력되는 데이타에 해당하는 패리티 체크 비트를 발생하여 이를 부가하는 패리티 체크 비트 발생부(211)와, 플래쉬 메모리 셀(250-1,250-2)의 패리티 비트 데이타를 인가받아 에러의 발생유무를 체크하고 이를 정정하는 에러정정코드 디코더(213)와, 임의의 데이타에 관한 에러정정 동작 횟수를 카운트하기 위한 에러정정코드 카운터(214)와, 상기 각 부의 에러정정 기능을 총괄 제어하는 에러정정코드 제어부(212)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 플레쉬 셀 메모리 디바이스 장치.
  3. 제2항에 있어서, 에러정정코드 제어부(210)는 입력되는 데이타를 임시 저장하기 위한 레지스터부(212-1)와, 입력데이타와 출력데이타를 비교하기 위한 비교부(212-2)와, 카운터의 반복수행 횟수를 제한하는 카운터 리미트부(212-4)와, 에러정정코드를 총괄적으로 제어하기 위한 상태 머신부(212-3)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 플레쉬 셀 메모리 디바이스 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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