KR970063403A - 반도체 소자 제조용 래티클 - Google Patents

반도체 소자 제조용 래티클 Download PDF

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KR970063403A
KR970063403A KR1019960002763A KR19960002763A KR970063403A KR 970063403 A KR970063403 A KR 970063403A KR 1019960002763 A KR1019960002763 A KR 1019960002763A KR 19960002763 A KR19960002763 A KR 19960002763A KR 970063403 A KR970063403 A KR 970063403A
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이두희
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 래티클에 관한 것으로, 웨이퍼의 오정렬로 인해 발생되는 패턴의 균일도 저하를 방지하기 위하여 노광 필드부의 외측 각 모서리 부분에 크기가 서로 다른 다수의 패턴이 형성된 모니터링부를 형성하므로써 웨이퍼의 수평도 및 촛점 거리를 정확하고 빠르게 조절할 수 있으며, 또한 패턴의 균일도 향상을 소자의 수율이 증대될 수 있도록 한 반도체 소자 제조용 래티클에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 제조용 래티클
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 래티클의 평면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자 제조용 래티클에 있어서, 선택적으로 크롬이 코팅될 수 있는 기판과, 회로 패턴이 형성되며, 웨이퍼의 노광될 다이와 일치되도록 상기 기판의 중앙부에 형성된 노광 필드부와, 상기 기판의 세 모서리 부분에 형성되며, 상기 노광 필드부의 경계를 나타내기 위한 정렬 타겟과, 상기 노광 필드부 외측의 네 모서리 부분에 형성되며, 크기가 서로 다른 다수의 패턴이 형성된 모니터링부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 래티클.
  2. 제1항에 있어서, 상기 모니터링부에 형성된 패턴은 바 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 래티클.
  3. 제1항에 있어서, 상기 모니터링부에 형성된 패턴은 홀 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 래티클.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960002763A 1996-02-06 1996-02-06 반도체 소자 제조용 래티클 KR100187663B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100492908B1 (ko) * 1997-12-27 2005-08-25 주식회사 하이닉스반도체 렌즈의 수차 효과가 고려된 자동 초점 조정/편평도 조정 방법
KR100532361B1 (ko) * 1998-08-17 2006-02-01 삼성전자주식회사 정렬키가 구비된 반도체소자

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KR100492908B1 (ko) * 1997-12-27 2005-08-25 주식회사 하이닉스반도체 렌즈의 수차 효과가 고려된 자동 초점 조정/편평도 조정 방법
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