KR970052908A - 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법 - Google Patents

산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 물리적인 중착법으로 소정 기판(1)상에 소정 크기의 입자를 가진 산화아연 박막을 형성하는 제1단계; 및 상기 산화아연 박막이 형성된 기판(1)을 소정 시간동안 가열한 후 냉각시켜 열적 충격에 의해 상기 산화아연 박막의 취약한 입자 경계가 깨어지도록 하여 양자구슬을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법에 관한 것으로, 제품의 특성 및 제조 수율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

Description

산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 열적 충격에 의한 양자구슬이 형성되기 전 산화아연(ZnO) 박막의 단면도.

Claims (12)

  1. 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법에 있어서, 물리적인 중착법으로 소정 기판(1)상에 소정 크기의 입자를 가진 산화아연 박막을 형성하는 제1단계; 및 상기 산화아연 박막이 형성된 기판(1)을 소정 시간동안 가열한 후 냉각시켜 열적 충격에 의해 상기 산화아연 박막의 취약한 입자 경계가 깨어지도록 하여 양자구슬을 형성하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 물리적인 중착법은 스퍼터링인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스퍼터링은 스퍼터(Sputter)의 챔버(Chamber)의 진공도를 강하시킨 다음, 아르곤(Ar) 가스를 소정 진공도까지 재 충전시키는 제3단계; 고주파(R.F.; Radio Frequency) 전력원을 사용하여 글로우 방열(Glow Discharge)을 발생시켜 산화아연 박막을 상기 기판(1) 상에 성장시키는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제3단계에서 아르곤 가스는 상기 챔버의 진공도가 4×10-3torr가 될 때 까지 재 충전되는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제4단계의 고주파 전력원은 100W, 13.6MHz의 고주파(R.F.) 전력원인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화아연 박막은 5 내지 10nm 크기의 입자 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 산화아연 박막은 육각 비러자이트 결정구조를 가지는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 산화아연 박막이 형성된 기판(1)을 소정시간 동안 가열하는 과정은 진공 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 산화아연 박막이 형성된 기판(1)을 소정 시간 동안 가열하는 과정은 상기 산화아연 박막이 형성된 기판(1)을 10-6이하의 진공도를 갖는 석영관에 넣고 적어도 400℃의 온도하에서 가열하는 제5단계; 석영관을 깨면서 공냉시켜 상기 산화아연 박막이 취약한 입자 경계(Grain Boundary)를 따라 깨어지도록 하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 기판(1)의 전체구조 상에 계속해서, PMMA(poly-methylmethacrylate) 용액 또는 콜로디온(Collodion) 용액 중 어느 하나를 스핀 코팅한 후, 열경화(Curing)시키는 제7단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제7단계는 100℃의 온도 하에서 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 기판(1)은 용융 실리카(Fused Silica) 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연(ZnO) 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950055889A 1995-12-23 1995-12-23 산화아연 양자구슬을 함유한 박막 제조 방법 KR100198932B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100742184B1 (ko) * 2006-04-25 2007-07-25 이민아 고저항 금속 박막 및 그 형성방법

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