KR970052173A - 이온주입기의 내부 영역으로부터 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
이온빔 주입기(10)의 빈 내부 영역내에서 이동하는 오염물질 입자(14)를 포획 및 제거하는 방법이 개시된다. 상기방법은, 오염물질 입자를 쉽게 부착시키는 면을 갖는 입자 콜렉터(74)를 제공하는 단계와, 입자 부착 표면이 내부 영역내에서 이동하는 오염물질 입자에 대해 유체 통로에 있도록 하기 위해 입자 콜렉터를 주입기에 고정하는 단계와, 설정된 시간 주기후 입자 콜렉터를 주입기로부터 제거하는 단계를 포함한다. 이온 빔에 의해 횡단된 주입기의 빈 내부 영역에서 이동하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 입자 콜렉터(74)와 결합된 이온주입기(10)가 개시되고, 입자 부착 표면이 주입기의 빈 내부 영역을 갖는 유체 통로에 있도록 하기위해 입자 콜렉터를 주입기에 방출할 수 있게 고정시키는 고정수단(76,78)및 오염물질을 쉽게 부착시키는 표면을 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온소스, 빔 형성 및 정형 구조 및 주입 체임버를 포함하는 이온 주입기를 도시하는 부분 단면의 평면도.
Claims (22)
- 이온주입기(10)의 비어진 내부 영역내에는 이동하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법에서, 대전한(charged)이온이 제조 공정에 있는 제품을 처리하기 위해 빈 내부 영역에서 이온이동경로(14)를 횡단하는 방법에 있어서, a) 오염물질을 부착시키는 입자 부착 표면을 갖는 입자 콜렉터(74)를 제공하는 단계와; b) 콜렉터(74)의 입자 부착 표면이 이온 이동경로(14)에 가까운 위치에서 빈 내부 영역내에서 위치되도록 하기 위해입자 콜렉터를 주입기에 고정시키는 단계와; c) 주입기의 빈 내부 영역으로부터 콜렉터 부착하는 입자를 제거하기 위해 주기적인 시간 간격으로 이온빔 주입기(10)으로부터 입자 콜렉터를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제1항에 있어서, 입자 콜렉터는 내부 영역을 바운드(bound)하는 주입기의 표면(S1-S6)에 부착되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제1항에 있어서, 콜렉터의 입자 부착 표면이 오염물질을 부가하는 끌어당기는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제3항에 있어서, 입자 부착 및 끌어당기는 표면이 오염물질 입자를 정전기 인력에 의해 입자 콜렉터에 끌어당기고 포획하는 일렉트레트(electet)섬유로 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고정 단계가 입자 콜렉터를 이온 주입기의 내부벽에 고정시키는 부분 경화된 엘라스토머(elastomer)로써 부착 표면(S5,S6)을 코팅하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제5항에 있어서, 부분 경화된 엘라스토머의 코팅은 실리콘 엘라스토머를 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제1항에 있어서, 입자 콜렉터의 입자 부착 표면이 하나 이상의 제조공정에 있는 제품을 포함하는 주입기(10)의 프로세스 체임버(17)내에 위치되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제7항에 있어서, 입자 콜렉터는 제조 공정에 있는 제품의 처리 표면에 직면하는 프로세스 체임버(17)의 내부 표면을 부착되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제1항에 있어서, 표면에 부착하는 입자 콜렉터가 입자가 주입기의 해상 하우징(112) 뷰(view)의 클리어 필드(clear field)내에 있는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제9항에 있어서, 입자 콜렉터가 해상 하우징(112)의 내부표면(S5,S6)에 부착되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
- 제조공정에 있는 제품을 향해 이동하는 이온에 의해 횡단된 주입기의 빈 내부 영역에서 이동하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 결합된 이온주입기(10) 및 장치에 있어서, a) 오염물질 입자를 쉽게 부착하는 이온주입기의 빈 내부 영역을 통해 이동시키는 입자 수집 표면을 갖는 콜렉터(74)와; b) 주입기의 빈 내부영역을 통해 이동하는 오염물질 입자를 가로채는 콜렉터의 오염물질 수집 표면을 위치시키기 위해 이온주입기(10)의 빈 내부영역내에 콜렉터(74)를 제거할 수 있게 설치하는 지지체(76,78,S1-S6)를 구비하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 결합된 이온주입기(10) 및 장치.
- 제11제조공정에 있는 제품 지지체 체임버(17)를 더 구비하고 콜렉터의 노출된 입자 수집 표면이 일반적으로 평면이고 콜렉터는 제공정에 있는 제품 지지체 체임버(17)의 내부 표면(S1-S4)에 부착되는 것을 특징으로 하는 이온주입기 장치.
- 제11항에 있어서, 주입기의 빔 내부 영역 부분을 규정하는 하우징을 더 구비하며, 주입기는 하나 이상의 제조 공정에 있는 제품의 빔 처리용 이용 빔을 생성하는 이온 및 빔 형성구조(24,22,40)를 방사하는 소스(12)를 구비하고, 콜렉터(74)는 환상 형태를 갖고 상기 지지체는 이온빔이 도중에 콜렉터를 통해 제조공정에 있는 제품으로 이동하도록 하기 위한 위치에서 콜렉터의 원통내부 표면을 지지하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입기 장치.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 제조공정에 있는 제품을 이온빔을 통해 이동하는 제조공정에 있는 제품을 포함하는 이온주입 체임버를 더 구비하며, 하나 이상의 부가적인 콜렉터가 이온주입 체임버의 내부 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 이온주입기 .
- 제11항에 있어서, 입자 콜렉터가 입자 부착 표면이 오염물질을 더 끌어당기는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
- 제15항에 있어서, 입자 인력 및 부착 표면은 정전기 인력에 의해 오염물질 입자를 입자 콜렉터 표면에 끌어당기고 고정시키는 일렉트레트(electret)섬유는 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입기 및 콜렉터.
- 제11항에 있어서, 입자 콜렉터 입자 부착 표면이 오염물질 입자를 표면 장력에 의해 입자 콜렉터 표면에 고정시키는 부분적으로 경화된 엘라스토머의 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 콜렉터와 결합한 이온주입기.
- 제17항에 있어서, 부분적으로 경화된 엘라스토머의 코팅이 실리콘 엘라스토머인 것을 특징으로 하는 입자 콜렉터와 결합한 이온주입기.
- 제11항에 있어서, 입자 콜렉터가 제어된 두께를 갖는 금속 거품인 것을 특징으로 하는 이온주입기.
- 제19항에 있어서, 금속 거품이 알루미늄으로부터 구성되는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
- 제20항에 있어서, 금속 거품이 거품을 형성하는 기공 밀도를 토대로 한 제어된 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
- 제19항에 있어서, 거품 밀도가 약 0.25인치 두께를 갖는 금속의 평평한 슬랩(slab)용 금속 고체의 6내지 8퍼센트로 제어되는 것을 특징으로 하는 이온주입기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (34)
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US5909031A (en) * | 1997-09-08 | 1999-06-01 | Eaton Corporation | Ion implanter electron shower having enhanced secondary electron emission |
US5903009A (en) * | 1997-09-08 | 1999-05-11 | Eaton Corporation | Biased and serrated extension tube for ion implanter electron shower |
US6065499A (en) * | 1998-12-21 | 2000-05-23 | Eaton Corporation | Lateral stress relief mechanism for vacuum bellows |
US6231054B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-05-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Elastomeric sliding seal for vacuum bellows |
US6259105B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning silicon-coated surfaces in an ion implanter |
US6525326B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-02-25 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for removing particles entrained in an ion beam |
US6534775B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-03-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam |
US6476399B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-11-05 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam |
JP2002105628A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Nissin Electric Co Ltd | 真空アーク蒸着装置 |
KR100385917B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 시스템의 진공 펌핑 장치 |
US20050133736A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Otto Chen | Ion implantation apparatus and partical collection structure thereof |
US7078710B2 (en) * | 2004-06-15 | 2006-07-18 | International Business Machines Corporation | Ion beam system |
TWI256697B (en) * | 2004-07-08 | 2006-06-11 | Advanced Ion Beam Technology I | Method for preventing wafer defect for a batch-type ion implanter spinning direction particle |
US7205556B2 (en) * | 2004-10-01 | 2007-04-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Bellows liner for an ion beam implanter |
US7511288B2 (en) * | 2004-11-19 | 2009-03-31 | Ulvac Co., Ltd | Ion implantation device |
US7173260B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-02-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Removing byproducts of physical and chemical reactions in an ion implanter |
JP5429448B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2014-02-26 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ビームストップ及びビーム調整方法 |
US7199383B2 (en) * | 2005-08-25 | 2007-04-03 | United Microelectronics Corp. | Method for reducing particles during ion implantation |
KR100677046B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2007-02-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온 주입 장치 |
US7358508B2 (en) * | 2005-11-10 | 2008-04-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion implanter with contaminant collecting surface |
KR100800946B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2008-02-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온주입기의 파티클 제거구조 |
JP4660452B2 (ja) * | 2006-09-30 | 2011-03-30 | 株式会社フェローテック | 拡径管型プラズマ生成装置 |
US20080157007A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Active particle trapping for process control |
US20080164427A1 (en) * | 2007-01-09 | 2008-07-10 | Applied Materials, Inc. | Ion implanters |
JP5189784B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-04-24 | 株式会社フェローテック | プラズマガン周辺を電気的中性にしたプラズマ生成装置 |
WO2009076155A2 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Particle trap |
US20090179158A1 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Varian Semiconductor Equpiment Associate, Inc. | In-vacuum protective liners |
JP5644085B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-12-24 | 富士通株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
CN102211846B (zh) * | 2010-04-09 | 2013-05-22 | 北京朗新明环保科技有限公司 | 干燥机 |
JP5606777B2 (ja) * | 2010-04-22 | 2014-10-15 | 株式会社フェローテック | プラズマ流生成方法、プラズマ処理方法、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 |
US8963107B2 (en) * | 2012-01-12 | 2015-02-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam line design to reduce energy contamination |
CN105097460A (zh) * | 2014-05-09 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种解决离子注入机路径污染的方法 |
US11222768B2 (en) * | 2018-09-07 | 2022-01-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Foam in ion implantation system |
CN111261482B (zh) * | 2018-11-30 | 2023-02-28 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 离子布植装置及离子布植时捕集污染物粒子的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4022928A (en) * | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
EP0140975A4 (en) * | 1983-03-18 | 1988-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | REACTIVE ION ETCHING APPARATUS. |
EP0178803A3 (en) * | 1984-09-19 | 1988-07-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for ion implantation of semiconductor wafers |
US5135634A (en) * | 1991-02-14 | 1992-08-04 | Sputtered Films, Inc. | Apparatus for depositing a thin layer of sputtered atoms on a member |
EP0648861A1 (en) * | 1993-10-15 | 1995-04-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus |
EP0648858A1 (en) * | 1993-10-15 | 1995-04-19 | Applied Materials, Inc. | Methods of coating plasma etch chambers and apparatus for plasma etching workpieces |
US5455426A (en) * | 1994-06-15 | 1995-10-03 | Texas Instruments Incorporated | Target chamber shielding |
-
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CN1158494A (zh) | 1997-09-03 |
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US5656092A (en) | 1997-08-12 |
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