KR970052173A - 이온주입기의 내부 영역으로부터 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법 및 장치 - Google Patents

이온주입기의 내부 영역으로부터 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970052173A
KR970052173A KR1019960066795A KR19960066795A KR970052173A KR 970052173 A KR970052173 A KR 970052173A KR 1019960066795 A KR1019960066795 A KR 1019960066795A KR 19960066795 A KR19960066795 A KR 19960066795A KR 970052173 A KR970052173 A KR 970052173A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
collector
particle
ion implanter
injector
ion
Prior art date
Application number
KR1019960066795A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100292085B1 (ko
Inventor
가스킬 블레이크 쥴리안
벡커 로버트
치프맨 데이빗
존스 메리
멘 류드밀라
신클레아 프랑크
케이드 스톤 데일
Original Assignee
프랑크 엠 사죠백
이턴 코오포레이숀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프랑크 엠 사죠백, 이턴 코오포레이숀 filed Critical 프랑크 엠 사죠백
Publication of KR970052173A publication Critical patent/KR970052173A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100292085B1 publication Critical patent/KR100292085B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02Details
    • H01J2237/022Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube

Landscapes

  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

이온빔 주입기(10)의 빈 내부 영역내에서 이동하는 오염물질 입자(14)를 포획 및 제거하는 방법이 개시된다. 상기방법은, 오염물질 입자를 쉽게 부착시키는 면을 갖는 입자 콜렉터(74)를 제공하는 단계와, 입자 부착 표면이 내부 영역내에서 이동하는 오염물질 입자에 대해 유체 통로에 있도록 하기 위해 입자 콜렉터를 주입기에 고정하는 단계와, 설정된 시간 주기후 입자 콜렉터를 주입기로부터 제거하는 단계를 포함한다. 이온 빔에 의해 횡단된 주입기의 빈 내부 영역에서 이동하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 입자 콜렉터(74)와 결합된 이온주입기(10)가 개시되고, 입자 부착 표면이 주입기의 빈 내부 영역을 갖는 유체 통로에 있도록 하기위해 입자 콜렉터를 주입기에 방출할 수 있게 고정시키는 고정수단(76,78)및 오염물질을 쉽게 부착시키는 표면을 포함한다.

Description

이온주입기의 내부 영역으로부터 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온소스, 빔 형성 및 정형 구조 및 주입 체임버를 포함하는 이온 주입기를 도시하는 부분 단면의 평면도.

Claims (22)

  1. 이온주입기(10)의 비어진 내부 영역내에는 이동하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법에서, 대전한(charged)이온이 제조 공정에 있는 제품을 처리하기 위해 빈 내부 영역에서 이온이동경로(14)를 횡단하는 방법에 있어서, a) 오염물질을 부착시키는 입자 부착 표면을 갖는 입자 콜렉터(74)를 제공하는 단계와; b) 콜렉터(74)의 입자 부착 표면이 이온 이동경로(14)에 가까운 위치에서 빈 내부 영역내에서 위치되도록 하기 위해입자 콜렉터를 주입기에 고정시키는 단계와; c) 주입기의 빈 내부 영역으로부터 콜렉터 부착하는 입자를 제거하기 위해 주기적인 시간 간격으로 이온빔 주입기(10)으로부터 입자 콜렉터를 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 입자 콜렉터는 내부 영역을 바운드(bound)하는 주입기의 표면(S1-S6)에 부착되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 콜렉터의 입자 부착 표면이 오염물질을 부가하는 끌어당기는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 입자 부착 및 끌어당기는 표면이 오염물질 입자를 정전기 인력에 의해 입자 콜렉터에 끌어당기고 포획하는 일렉트레트(electet)섬유로 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고정 단계가 입자 콜렉터를 이온 주입기의 내부벽에 고정시키는 부분 경화된 엘라스토머(elastomer)로써 부착 표면(S5,S6)을 코팅하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 부분 경화된 엘라스토머의 코팅은 실리콘 엘라스토머를 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 입자 콜렉터의 입자 부착 표면이 하나 이상의 제조공정에 있는 제품을 포함하는 주입기(10)의 프로세스 체임버(17)내에 위치되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 입자 콜렉터는 제조 공정에 있는 제품의 처리 표면에 직면하는 프로세스 체임버(17)의 내부 표면을 부착되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 표면에 부착하는 입자 콜렉터가 입자가 주입기의 해상 하우징(112) 뷰(view)의 클리어 필드(clear field)내에 있는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 입자 콜렉터가 해상 하우징(112)의 내부표면(S5,S6)에 부착되는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법.
  11. 제조공정에 있는 제품을 향해 이동하는 이온에 의해 횡단된 주입기의 빈 내부 영역에서 이동하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 결합된 이온주입기(10) 및 장치에 있어서, a) 오염물질 입자를 쉽게 부착하는 이온주입기의 빈 내부 영역을 통해 이동시키는 입자 수집 표면을 갖는 콜렉터(74)와; b) 주입기의 빈 내부영역을 통해 이동하는 오염물질 입자를 가로채는 콜렉터의 오염물질 수집 표면을 위치시키기 위해 이온주입기(10)의 빈 내부영역내에 콜렉터(74)를 제거할 수 있게 설치하는 지지체(76,78,S1-S6)를 구비하는 것을 특징으로 하는 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 결합된 이온주입기(10) 및 장치.
  12. 제11제조공정에 있는 제품 지지체 체임버(17)를 더 구비하고 콜렉터의 노출된 입자 수집 표면이 일반적으로 평면이고 콜렉터는 제공정에 있는 제품 지지체 체임버(17)의 내부 표면(S1-S4)에 부착되는 것을 특징으로 하는 이온주입기 장치.
  13. 제11항에 있어서, 주입기의 빔 내부 영역 부분을 규정하는 하우징을 더 구비하며, 주입기는 하나 이상의 제조 공정에 있는 제품의 빔 처리용 이용 빔을 생성하는 이온 및 빔 형성구조(24,22,40)를 방사하는 소스(12)를 구비하고, 콜렉터(74)는 환상 형태를 갖고 상기 지지체는 이온빔이 도중에 콜렉터를 통해 제조공정에 있는 제품으로 이동하도록 하기 위한 위치에서 콜렉터의 원통내부 표면을 지지하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 이온주입기 장치.
  14. 제13항에 있어서, 하나 이상의 제조공정에 있는 제품을 이온빔을 통해 이동하는 제조공정에 있는 제품을 포함하는 이온주입 체임버를 더 구비하며, 하나 이상의 부가적인 콜렉터가 이온주입 체임버의 내부 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 이온주입기 .
  15. 제11항에 있어서, 입자 콜렉터가 입자 부착 표면이 오염물질을 더 끌어당기는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  16. 제15항에 있어서, 입자 인력 및 부착 표면은 정전기 인력에 의해 오염물질 입자를 입자 콜렉터 표면에 끌어당기고 고정시키는 일렉트레트(electret)섬유는 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입기 및 콜렉터.
  17. 제11항에 있어서, 입자 콜렉터 입자 부착 표면이 오염물질 입자를 표면 장력에 의해 입자 콜렉터 표면에 고정시키는 부분적으로 경화된 엘라스토머의 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 콜렉터와 결합한 이온주입기.
  18. 제17항에 있어서, 부분적으로 경화된 엘라스토머의 코팅이 실리콘 엘라스토머인 것을 특징으로 하는 입자 콜렉터와 결합한 이온주입기.
  19. 제11항에 있어서, 입자 콜렉터가 제어된 두께를 갖는 금속 거품인 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  20. 제19항에 있어서, 금속 거품이 알루미늄으로부터 구성되는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  21. 제20항에 있어서, 금속 거품이 거품을 형성하는 기공 밀도를 토대로 한 제어된 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  22. 제19항에 있어서, 거품 밀도가 약 0.25인치 두께를 갖는 금속의 평평한 슬랩(slab)용 금속 고체의 6내지 8퍼센트로 제어되는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960066795A 1995-12-18 1996-12-17 이온주입기의 내부 영역으로부터 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법 및 장치 KR100292085B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US574,242 1995-12-18
US08/574,242 US5656092A (en) 1995-12-18 1995-12-18 Apparatus for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052173A true KR970052173A (ko) 1997-07-29
KR100292085B1 KR100292085B1 (ko) 2001-06-01

Family

ID=24295284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960066795A KR100292085B1 (ko) 1995-12-18 1996-12-17 이온주입기의 내부 영역으로부터 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법 및 장치

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5656092A (ko)
EP (1) EP0780877B1 (ko)
JP (1) JP4013086B2 (ko)
KR (1) KR100292085B1 (ko)
CN (1) CN1158494A (ko)
CA (1) CA2191115C (ko)
DE (1) DE69626265T2 (ko)
TW (1) TW386309B (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909031A (en) * 1997-09-08 1999-06-01 Eaton Corporation Ion implanter electron shower having enhanced secondary electron emission
US5903009A (en) * 1997-09-08 1999-05-11 Eaton Corporation Biased and serrated extension tube for ion implanter electron shower
US6231054B1 (en) * 1998-12-21 2001-05-15 Axcelis Technologies, Inc. Elastomeric sliding seal for vacuum bellows
US6065499A (en) * 1998-12-21 2000-05-23 Eaton Corporation Lateral stress relief mechanism for vacuum bellows
US6259105B1 (en) * 1999-05-10 2001-07-10 Axcelis Technologies, Inc. System and method for cleaning silicon-coated surfaces in an ion implanter
US6534775B1 (en) 2000-09-01 2003-03-18 Axcelis Technologies, Inc. Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam
US6525326B1 (en) * 2000-09-01 2003-02-25 Axcelis Technologies, Inc. System and method for removing particles entrained in an ion beam
US6476399B1 (en) * 2000-09-01 2002-11-05 Axcelis Technologies, Inc. System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam
JP2002105628A (ja) * 2000-10-03 2002-04-10 Nissin Electric Co Ltd 真空アーク蒸着装置
KR100385917B1 (ko) * 2001-06-27 2003-06-02 삼성전자주식회사 이온 주입 시스템의 진공 펌핑 장치
US20050133736A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Otto Chen Ion implantation apparatus and partical collection structure thereof
US7078710B2 (en) * 2004-06-15 2006-07-18 International Business Machines Corporation Ion beam system
TWI256697B (en) * 2004-07-08 2006-06-11 Advanced Ion Beam Technology I Method for preventing wafer defect for a batch-type ion implanter spinning direction particle
US7205556B2 (en) * 2004-10-01 2007-04-17 Axcelis Technologies, Inc. Bellows liner for an ion beam implanter
JP4468959B2 (ja) * 2004-11-19 2010-05-26 株式会社アルバック イオン注入装置
US7173260B2 (en) * 2004-12-22 2007-02-06 Axcelis Technologies, Inc. Removing byproducts of physical and chemical reactions in an ion implanter
EP1891657A2 (en) * 2005-06-03 2008-02-27 Axcelis Technologies, Inc. Beam stop and beam tuning methods
US7199383B2 (en) * 2005-08-25 2007-04-03 United Microelectronics Corp. Method for reducing particles during ion implantation
KR100677046B1 (ko) * 2005-09-21 2007-02-01 동부일렉트로닉스 주식회사 이온 주입 장치
US7358508B2 (en) 2005-11-10 2008-04-15 Axcelis Technologies, Inc. Ion implanter with contaminant collecting surface
KR100800946B1 (ko) * 2006-08-21 2008-02-04 동부일렉트로닉스 주식회사 이온주입기의 파티클 제거구조
JP4660452B2 (ja) * 2006-09-30 2011-03-30 株式会社フェローテック 拡径管型プラズマ生成装置
US20080157007A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Active particle trapping for process control
US20080164427A1 (en) * 2007-01-09 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Ion implanters
JP5189784B2 (ja) * 2007-03-30 2013-04-24 株式会社フェローテック プラズマガン周辺を電気的中性にしたプラズマ生成装置
WO2009076155A2 (en) * 2007-12-07 2009-06-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Particle trap
US20090179158A1 (en) * 2008-01-16 2009-07-16 Varian Semiconductor Equpiment Associate, Inc. In-vacuum protective liners
JP5644085B2 (ja) * 2009-06-10 2014-12-24 富士通株式会社 成膜装置及び成膜方法
CN102211846B (zh) * 2010-04-09 2013-05-22 北京朗新明环保科技有限公司 干燥机
JP5606777B2 (ja) * 2010-04-22 2014-10-15 株式会社フェローテック プラズマ流生成方法、プラズマ処理方法、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
US8963107B2 (en) * 2012-01-12 2015-02-24 Axcelis Technologies, Inc. Beam line design to reduce energy contamination
CN105097460A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种解决离子注入机路径污染的方法
US11222768B2 (en) * 2018-09-07 2022-01-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Foam in ion implantation system
CN111261482B (zh) * 2018-11-30 2023-02-28 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 离子布植装置及离子布植时捕集污染物粒子的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022928A (en) * 1975-05-22 1977-05-10 Piwcyzk Bernhard P Vacuum deposition methods and masking structure
EP0140975A4 (en) * 1983-03-18 1988-01-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd REACTIVE ION ETCHING APPARATUS.
EP0178803A3 (en) * 1984-09-19 1988-07-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for ion implantation of semiconductor wafers
US5135634A (en) * 1991-02-14 1992-08-04 Sputtered Films, Inc. Apparatus for depositing a thin layer of sputtered atoms on a member
EP0648861A1 (en) * 1993-10-15 1995-04-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus
EP0648858A1 (en) * 1993-10-15 1995-04-19 Applied Materials, Inc. Methods of coating plasma etch chambers and apparatus for plasma etching workpieces
US5455426A (en) * 1994-06-15 1995-10-03 Texas Instruments Incorporated Target chamber shielding

Also Published As

Publication number Publication date
US5656092A (en) 1997-08-12
CA2191115A1 (en) 1997-06-19
TW386309B (en) 2000-04-01
DE69626265D1 (de) 2003-03-27
EP0780877A3 (en) 1999-02-10
CN1158494A (zh) 1997-09-03
DE69626265T2 (de) 2003-12-04
EP0780877B1 (en) 2003-02-19
KR100292085B1 (ko) 2001-06-01
CA2191115C (en) 2002-02-05
JP4013086B2 (ja) 2007-11-28
JPH09190794A (ja) 1997-07-22
US5670217A (en) 1997-09-23
EP0780877A2 (en) 1997-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970052173A (ko) 이온주입기의 내부 영역으로부터 오염물질 입자를 포획 및 제거하는 방법 및 장치
DE59004994D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur elektrostatischen Reinigung staub- und schadstoffhaltiger Abgase in mehrfeldrigen Abscheidern.
DE69102311D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenreinigung.
DE59107393D1 (de) Verfahren zur handhabung mikroskopisch kleiner, dielektrischer teilchen und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE69623206D1 (de) In Situ Entsorgung von Kontaminierungsstoffe von den Innenoberflächen eines Ionenimplantierers
DE69615805T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur objektbild-gitterbewegung, bewegungsschätzungs-/kompressionsverfahren damit und vorrichtung dafür
DE69613253T2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung eines harmonischen Chors aus einem Vokalklang
BR9611888A (pt) Sistema de bombeamento submarino e processo de bombeamento de um efluente de um poço no leito marinho
DE69109137T2 (de) Oberflächenmontage-Verfahren und Vorrichtung.
DE69941437D1 (de) Verfahren zum Übertragen einer Substanz
DE69511229D1 (de) Verfahren zur Analyse von gleichmässig erregten mechanischen Schwingungen
DE69116720T2 (de) Traghalterung und Verfahren zur Herstellung der Traghalterung durch feine Oberflächenbearbeitung
NZ293908A (en) Radiation module, for a fluid treatment system, comprising vibration generator means in abutting contact with at least one radiation assembly
ES2051532T3 (es) Procedimiento y dispositivo para la eliminacion de sustancias nocivas de formaciones subterraneas en el suelo.
DE69019198D1 (de) Gerät zur Erzeugung eines Strahls aus geladenen Partikeln.
CA2210253A1 (en) Contact lens inverting apparatus and method
DE69128488T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Verarbeitung eines Bildes
DE59103824D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur dekontamination radioaktiv kontaminierter oberflächen.
DE29806700U1 (de) Vorrichtung zur vereinfachten Montage von Brillengläsern an einem Brillengestell
DE69616847D1 (de) Lichtempfindliches Resistmaterial und Verfahren zur Herstellung von Vorrichtung unter Benutzung des lichtempfindlichen Resistmaterials
ATE156523T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum verhindern von verkrustung und/oder korrosion von strukturen in seewasser, brackwasser und/oder frischwasser
BR9105748A (pt) Metodo e aparelho para separar particulas de plastico a partir de suspensoes
DE59300312D1 (de) Verfahren zur ionisation thermisch erzeugter materialdämpfe und vorrichtung zur durchführung des verfahrens.
DE69107889D1 (de) Vorrichtung zur Abstandssanierung durch Degradation einer Oberfläche in einer belasteten Umgebung unter Wiedergewinnung und Weiterbehandlung der Abfälle.
FR2771947B1 (fr) Membrane inorganique de filtration modifiee par greffage d'organomineraux et son procede de preparation

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080117

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee