Claims (3)
프로세스챔버 내부에 위치한 웨이퍼 상에 도포되는 소정의 가스를 공급 및 차단하는 다수개의 셔터를 구비한 반도체 제조장치에 있어서: 셔터(1)가 차단상태(7a)일 때에 셔터플렌지(2)의 소정의 부분에 장착되는 제1센서(5a)와; 셔터(1)가 오픈상태(7b)일 때에 셔터플렌지(2)의 소정의 부분에 장착되는 제2센서(5b)와; 상기 제1센서(5a)의 소정의 차단신호(Sc)와 상기 제2센서(5b)의 소정의 오픈신호(So)를 입력받는 입력부(11)와, 상기 셔터(1)가 상기 차단상태(7a)일 때와 상기 오픈상태(7a)일때 공급전원이 차단되고 상기 셔터(1)가 동작중일 때 공급전원이 인가되는 지연부(31)와, 상기 셔터(1)가 소정의 동작시간 내에 동작이 완료되지 않으면 상기 지연부(31)의 소정의 제어신호를 받아 에러가 발생된 상기 셔터(1)의 번호를 표시하는 표시부(51)와, 상기 셔터(1)가 소정의 동작시간 내에 동작이 완료되지 않으면 상기 지연부(31)의 소정의 제어신호를 받아 상기 셔터(1)에 에러가 발생되었음을 알리는 알람부(80)를 구비하는 셔터감지회로(100)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.A semiconductor manufacturing apparatus having a plurality of shutters for supplying and blocking a predetermined gas applied on a wafer located inside a process chamber, the method comprising: setting a predetermined range of a shutter flange 2 when the shutter 1 is in a blocking state 7a. A first sensor 5a mounted to the portion; A second sensor 5b mounted to a predetermined portion of the shutter flange 2 when the shutter 1 is in the open state 7b; An input unit 11 for receiving a predetermined cutoff signal Sc of the first sensor 5a and a predetermined open signal So of the second sensor 5b, and the shutter 1 receives the cutoff state ( In the open state 7a and in the open state 7a, the delay unit 31 to which the supply power is applied when the power supply is cut off and the shutter 1 is operating, and the shutter 1 operate within a predetermined operation time. Is not completed, the display unit 51 which displays the number of the shutter 1 in which an error occurs by receiving a predetermined control signal of the delay unit 31, and the shutter 1 is operated within a predetermined operation time. And a shutter detecting circuit 100 including an alarm unit 80 which indicates that an error has occurred in the shutter 1 in response to a predetermined control signal of the delay unit 31 if not completed. Device.
제1항에 있어서, 상기 입력부(11)는, 상기 셔터플렌지(2)의 소정의 부분에 장착되는 제1근접센서(5a)와 제2근접센서(5b)로부터 상기 셔터(1)의 동작에 따라 출력되는 소정의 신호(Sc, So)를 입력받는 오아게이트(OR1)와; 상기 오아게이트(OR1)의 출력단에 한 단자가 연결되는 제1저항(R1)과; 전원전압단자(Vss)에 에미터단자가 연결되고 상기 오아게이트(OR1)의 출력단에 연결된 상기 저항(R1)의 다른 한 단자에 베이스단자가 연결되는 트랜지스터(Q1); 상기 트랜지스터(Q1)의 컬렉터단자에 연결되는 릴레이(21)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The method according to claim 1, wherein the input unit (11) is adapted to the operation of the shutter (1) from the first proximity sensor (5a) and the second proximity sensor (5b) mounted on a predetermined portion of the shutter flange (2). An oragate OR 1 that receives the predetermined signals Sc and So output along; A first resistor (R 1 ) having one terminal connected to an output terminal of the ora gate (OR 1 ); A power supply voltage terminal (V ss) the emitter terminal is connected and the gate Iowa (OR 1) the resistance transistor (Q 1) is a base terminal connected to the other terminal of the (R 1) connected to the output end of the; And a relay (21) connected to the collector terminal of the transistor (Q 1 ).
제1항에 있어서, 상기 지연부(31)는, 상기 셔터(1)가 상기 차단상태(7a)에서 소정의 시간내에 상기 오픈상태(7b)로 동작되지 않으면 상기 표시부(51)와 상기 알람부(51)에 구동전압을 인가하고, 상기 셔터(1)가 상기 차단상태(7a)에서 소정의 시간 내에 상기 오픈상태(7b)로 동작되면 상기 표시부(51)와 상기 알람부(50)에 공급되는 구동전압을 차단하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The display unit 51 and the alarm unit according to claim 1, wherein the delay unit 31 is operated when the shutter 1 is not operated in the open state 7b within a predetermined time in the shut-off state 7a. When a driving voltage is applied to the 51 and the shutter 1 is operated in the open state 7b within a predetermined time in the cutoff state 7a, it is supplied to the display unit 51 and the alarm unit 50. A semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that to cut off the driving voltage.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.