KR0168521B1 - Semiconductor fabrication equipment - Google Patents

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KR0168521B1 KR1019950067534A KR19950067534A KR0168521B1 KR 0168521 B1 KR0168521 B1 KR 0168521B1 KR 1019950067534 A KR1019950067534 A KR 1019950067534A KR 19950067534 A KR19950067534 A KR 19950067534A KR 0168521 B1 KR0168521 B1 KR 0168521B1
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Abstract

본 발명은 프로세스챔버와 프로세스챔버 내무에 가스공급용 셔터를 갖는 반도체 제조장치에 관한 것으로, 종래에는 프로세스챔버 내부에 위치한 셔터의 동작의 이상유무를 즉각적으로 알 수 없었으나, 셔터의 동작 상태를 외부에서 확인 할 수 있도록 셔터플렌지에 소정이 센서를 장착하여 셔터의 동작을 감지하고, 셔터의 동작에 따라 발생되는 신호를 감지하여 셔터의 동작에 에러가 발생되면 에러가 발생된 셔터의 번호를 외부에 표시하고, 알람 스피커에 알람이 발생되므로, 셔터의 동작의 이상유무를 외부에서 즉각적으로 알 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a process chamber and a gas supply shutter in a process chamber. In the related art, the operation state of the shutter is not immediately known. The sensor is mounted on the shutter flange so that the sensor can detect the shutter operation, and detects the signal generated by the shutter operation. If an error occurs in the shutter operation, the number of the shutter that caused the error The alarm is generated in the alarm speaker, so that an abnormality in the shutter operation can be immediately known from the outside.

Description

반도체 제조장치Semiconductor manufacturing device

제1도는 종래의 셔터를 보이는 개략도.1 is a schematic view showing a conventional shutter.

제2도는 본 발명에 따른 셔터를 보이는 개략도.2 is a schematic view showing a shutter according to the present invention.

제3도는 본 발명에 따른 셔터감지회로의 블록도.3 is a block diagram of a shutter detection circuit according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 셔터 2 : 셔터플렌지1: Shutter 2: Shutter Flange

3 : 셔터의 동작구간 5a : 제1근접센서3: Operation period of the shutter 5a: First proximity sensor

5b : 제2근접센서 11 : 제1입력부5b: second proximity sensor 11: first input unit

31 : 제1지연부 51 : 제1표시부31: first delay unit 51: first display unit

80 : 알람부 100 : 제1셔터감지회로80: alarm unit 100: first shutter detection circuit

12 : 제2입력부 32 : 제2지연부12: second input unit 32: second delay unit

52 : 제2표시부 200 : 제2셔터감지회로52: second display unit 200: second shutter detection circuit

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 프로세스챔버(process chamber)와 프로세스챔버 내부에 가스공급용 셔터(shutter)를 갖는 반도체 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a process chamber and a gas supply shutter in the process chamber.

현재 반도체 제조공정 상에 가스를 이용하는 반도체 제조장치의 프로세스챔버 내부에는 프로세스챔버에 가스의 공급 및 차단을 위한 셔터가 구비되어 있다.Currently, a shutter is provided inside the process chamber of a semiconductor manufacturing apparatus using gas on a semiconductor manufacturing process to supply and shut off gas to the process chamber.

제1도는 종래의 셔터를 보이는 개략도 이다.1 is a schematic view showing a conventional shutter.

프로세스챔버 내부에 웨이퍼(wafer)가 로딩(loading)되고 웨이퍼 상에 도포(deposition)되는 가스의 공급을 위헤 제1도에 도시된 바와 같이 셔터(1)가 차단상태(7a)에서 오픈상태(7b)로 동작하게 된다.As shown in FIG. 1, the shutter 1 is opened in the blocked state 7a for the supply of a gas loaded inside the process chamber and deposited on the wafer. Will be activated.

그런데, 웨이퍼 상에 도포되는 가스의 공급 및 차단을 하는 셔터가 프로세스챔버 내부에 위치하므로, 셔터 구동 시에 주변의 다른 부분과의 마찰이나 걸림 현상에 의한 셔터의 에러(error) 상태를 쉽게 확인 할 수 없는 문제점이 있다.By the way, since the shutter for supplying and blocking the gas applied on the wafer is located inside the process chamber, it is easy to check the error state of the shutter due to the friction or the engagement with other parts around the shutter when the shutter is driven. There is no problem.

본 발명의 목적은 셔터의 동작 상태를 외부에서 확인 할 수 있도록 하는 것이다.An object of the present invention is to be able to check the operating state of the shutter from the outside.

이상과 같은 목적에 따른 본 발명의 반도체 제조장치는 : 셔터가 차단상태일 때에 셔터플렌지의 소정의 부분에 장착되는 제1센서와; 상기 셔터가 오픈상태일 때에 셔터플렌지의 소정의 부분에 장착되는 제2센서와; 상기 제1센서의 소정의 차단신호와 상기 제2센서의 소정의 오픈신호를 입력받는 입력부와, 상기 셔터가 상기 차단상태일 때와 상기 오픈상태일 때 공급전원이 차단되고 상기 셔터가 동작 중일 때 공급전원이 인가되는 지연부와, 상기 셔터가 소정의 동작시간 내에 동작이 완료되지 않으면 상기 지연부의 소정의 제어신호를 받아 에러가 발생된 상기 셔터의 번호를 표시하는 표시부와, 상기 셔터가 소정의 동작시간 내에 동작이 완료되지 않으면 상기 지연부의 소정의 제어신호를 받아 상기 셔터에 에러가 발생되었음을 알리는 알림부를 구비하는 셔터감지회로를 포함하는 데 그 특징이 있다.The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention according to the above object comprises: a first sensor mounted to a predetermined portion of the shutter flange when the shutter is in a blocked state; A second sensor mounted to a predetermined portion of the shutter flange when the shutter is open; An input unit configured to receive a predetermined cutoff signal of the first sensor and a predetermined open signal of the second sensor; and when the shutter is in the cutoff state and in the open state, supply power is cut off and the shutter is in operation. A delay unit to which supply power is applied, a display unit which displays a number of the shutter in which an error occurs by receiving a predetermined control signal of the delay unit if the shutter is not completed within a predetermined operating time, and the shutter is predetermined If the operation is not completed within the operation time is characterized in that it comprises a shutter detection circuit having a notification unit for receiving a predetermined control signal of the delay unit to notify that the error occurs in the shutter.

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 발명에 따른 셔터를 보이는 개략도 이고, 제3도는 본 발명에 따른 셔터감지회로의 개략도 이다.2 is a schematic diagram showing a shutter according to the present invention, and FIG. 3 is a schematic diagram of a shutter detection circuit according to the present invention.

제2도에 있어서, 셔터(1)가 차단상태(7a)일 때에 해당되는 셔터플렌지(2)의 부분에 제1근접센서(5a)를 장착하고, 셔터(1)가 오픈상태(7b)일 때에 해당되는 셔터플렌지(2)의 부분에 제2근접센서(5b)를 장착한다. 이상과 같이, 반도체 제조장치의 프로세스챔버 내부에 있는 다수개의 셔터들의 각각의 셔터플렌지에 제2도에 도시된 바와 같이 근접센서(proximity sensor)를 장착한다.In FIG. 2, when the shutter 1 is in the blocking state 7a, the first proximity sensor 5a is mounted on the corresponding portion of the shutter flange 2, and the shutter 1 is in the open state 7b. The second proximity sensor 5b is attached to the portion of the shutter flange 2 corresponding to the time. As described above, a proximity sensor is mounted on each of the shutter flanges of the plurality of shutters in the process chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, as shown in FIG. 2.

셔터감지회로는 셔터의 셔터플렌지에 장착된 근접센서의 신호를 입력받는 입력부와, 지연부와, 셔터의 동작에 에러가 발생되면 에러가 발생된 셔터의 번호를 표시하는 표시부와, 셔터 동작의 에러를 알리는 알람부로 구성된다.The shutter detection circuit includes an input unit for receiving a signal from a proximity sensor mounted on the shutter flange of the shutter, a delay unit, a display unit for displaying an error number of the shutter when an error occurs in the shutter operation, and an error in the shutter operation. It consists of an alarm unit to inform.

제3도에 있어서, 제1셔터(1)의 동작을 감지하는 제1셔터감지회로(100)와, 제2셔터의 동작을 감지하는 제2셔터감지회로(200)로 구성된다.In FIG. 3, the first shutter detection circuit 100 detects the operation of the first shutter 1 and the second shutter detection circuit 200 detects the operation of the second shutter.

제1셔터감지회로(100)는 제1입력부(11)와 제1지연부(31)와 제1표시부(51)와 알람부(80)로 구성된다. 제1입력부(11)는 셔터플렌지(2)의 소정의 부분에 정착되는 제1근접센서(5a)와 제2근접센서(5b)로부터 셔터의 동작에 따라 출력되는 소정의 차단신호(Sc)와 소정의 오픈신호(So)를 입력받는 제1오아게이트(OR1)와, 제1오아게이트(OR1)의 출력단에 한단자가 연결되는 제1저항(R1)과, 전원전압단자(Vss)에 에미터단자가 연결되고 제1오아게이트(OR1)의 출력단에 연결된 제1저항(R1)의 다른 한 단자에 베이스단자가 연결되는 제1트랜지스터(Q1)와, 제1트랜지스터(Q1)의 컬렉터단자에 연결되는 제1릴레이(21)로 구성된다. 제1지연부(31)는 제1릴레이(21)의 출력단에 연결되는 제1지연릴레이(41)로 구성된다. 제1표시부(51)은 제1지연릴레이(41)와 전원전압단자(Vss)간에 연결되는 제1FND(61)와 제1발광다이오드(71)로 구성된다.The first shutter detection circuit 100 includes a first input unit 11, a first delay unit 31, a first display unit 51, and an alarm unit 80. The first input unit 11 may include a predetermined blocking signal Sc output from the first proximity sensor 5a and the second proximity sensor 5b fixed to a predetermined portion of the shutter flange 2 according to the shutter operation. Emitter on the first or gate OR1 receiving the predetermined open signal So, the first resistor R1 connected to one terminal of the output terminal of the first or gate OR1, and the power supply voltage terminal Vss. A first transistor Q1 having a terminal connected thereto and a base terminal connected to the other terminal of the first resistor R1 connected to the output terminal of the first OG gate OR1, and connected to a collector terminal of the first transistor Q1. Consisting of a first relay 21. The first delay unit 31 is composed of a first delay relay 41 connected to the output terminal of the first relay 21. The first display unit 51 includes a first FND 61 and a first light emitting diode 71 connected between the first delay relay 41 and the power supply voltage terminal Vss.

제2셔터감지회로(200)는 제1셔터감지회로(100)와 동일한 구조를 갖고, 제1셔터감지회로(100)의 제1지연릴레이(41)와 제2셔터감지회로(200)의 제2지연릴레이(42)는 알람부(80)의 알람스피커(90)에 연결된다.The second shutter detection circuit 200 has the same structure as that of the first shutter detection circuit 100, and the second delay detection circuit 200 of the first shutter detection circuit 100 and the second shutter detection circuit 200 are formed of the second shutter detection circuit 200. The two delay relay 42 is connected to the alarm speaker 90 of the alarm unit 80.

제3도를 참조하여, 프로세스챔버 내부에 웨이퍼가 로딩되고, 웨이퍼 상에 도포되는 소정의 가스의 공급을 위해 제1셔터(1)는, 제2도에 도시된바와 같이, 차단상태(7a)에서 오픈상태(7b)로 동작되게 된다.Referring to FIG. 3, the wafer is loaded into the process chamber, and the first shutter 1 is cut off as shown in FIG. 2 to supply a predetermined gas applied on the wafer. In the open state (7b).

차단상태(7a)에서 셔터플렌지(2)에 장착된 제1근접센서(5a)로부터 소정의 하이레벨(high level)의 차단신호(Sc)가 제1오아게이트(OR1)로 출력되어 제1트랜지스터(Q1)가 턴온(turn on)된다. 제1트랜지스터(Q1)가 턴온 됨에 따라 제1릴레이(21)가 온(on)되어 제1지연릴레이(41)에 공급되는 소정의 구동전압이 차단되므로 제1표시부(51)의 제1FND(61)와 제1발광다이오드(71) 그리고 알람부(80)의 알람스피커(90)는 동작되지 않는다.In the blocking state 7a, a predetermined high level cutoff signal Sc is output from the first proximity sensor 5a mounted on the shutter flange 2 to the first or gate OR1, and thus the first transistor. Q1 is turned on. As the first transistor Q1 is turned on, the first relay 21 is turned on to block a predetermined driving voltage supplied to the first delay relay 41, so that the first FND 61 of the first display unit 51 is blocked. ) And the first light emitting diode 71 and the alarm speaker 90 of the alarm unit 80 are not operated.

제1셔터(1)가 차단상태(7a)에서 가스공급을 위해 동작을 시작하여 제1근접센서(5a)로부터 소정의 거리 만큼 멀어지면, 제1근접센서(5a)는 소정의 로우레벨(low level)의 신호가 출력되어 제1트랜지스터(Q1)가 턴오프(turn off) 된다. 이에 따라 제1릴레이(21)가 오프(off) 되어 제1지연릴레이(41)에 구동전압이 인가된다. 이때, 제1셔터(1)가 셔터의 동작구간(3)을 따라 차단상태(7a)에서 오픈상태(7b)로 정상적인 동작을 하는 소정의 시간동안 오픈동작이 완료되면, 제2근접센서(5b)에 의하여 소정의 하이레벨의 신호가 제1오아게이트(OR1)로 출력되고 이에 따라 제1트랜지스터(Q1)가 다시 턴온 되므로 제1지연릴레이(41)에 공급되던 공급전압이 차단된다.When the first shutter 1 starts operation for gas supply in the cutoff state 7a and moves away from the first proximity sensor 5a by a predetermined distance, the first proximity sensor 5a is at a predetermined low level. level signal is output so that the first transistor Q1 is turned off. As a result, the first relay 21 is turned off and a driving voltage is applied to the first delay relay 41. At this time, when the opening operation is completed for a predetermined time in which the first shutter 1 performs a normal operation from the blocking state 7a to the open state 7b along the operation period 3 of the shutter, the second proximity sensor 5b ), A predetermined high level signal is output to the first or gate OR1, and accordingly, the first transistor Q1 is turned on again, so that the supply voltage supplied to the first delay relay 41 is cut off.

그러나 제1셔터(1)가 지정된 소정의 시간 내에 오픈 동작이 완료되지 않으면 즉, 제2근접센서(5b)로 부터 오픈신호(So)가 출력되지 않으면 제1지연릴레이(41)는 제1FND(61)와 제1발광다이오드(71)와 알람스피커(90)에 소정의 공급전압이 인가되어 제1FND(61)에 제1셔터(1)의 번호가 표시되고, 제1발광다이오드(71)가 동작되고, 알람스피커(90)에 알람이 울려 지금 제1셔터(1)에 에러가 발생 되었음을 외부에 알리게 된다. 이와 같이 제2셔터감지회로(200)도 제2셔터의 동작에 따라 제1셔터감지회로(100)와 동일한 동작을 수행한다.However, if the open operation is not completed within the predetermined time specified by the first shutter 1, that is, the open signal So is not output from the second proximity sensor 5b, the first delay relay 41 may generate the first FND ( A predetermined supply voltage is applied to the first light emitting diode 71 and the first light emitting diode 71 and the alarm speaker 90 so that the number of the first shutter 1 is displayed on the first FND 61, and the first light emitting diode 71 is displayed. It is operated, the alarm is sounded in the alarm speaker 90 to inform the outside that the error occurred in the first shutter (1) now. As described above, the second shutter detection circuit 200 also performs the same operation as the first shutter detection circuit 100 according to the operation of the second shutter.

또한, 2개 이상의 다수개의 셔터를 구비하는 반도체 제조장치는 셔터플렌지의 소정의 부분에 정착되는 근접센서와, 입력부와 지연부와 표시부로 구성되는 셔터감지회로를 추가하여 구성함으로 다수개의 셔터를 구비하는 모든 반도체 제조장치에 적용 할 수 있다.In addition, a semiconductor manufacturing apparatus having two or more shutters includes a plurality of shutters by adding a proximity sensor fixed to a predetermined portion of the shutter flange and a shutter detection circuit including an input unit, a delay unit, and a display unit. It can be applied to all semiconductor manufacturing equipment.

그리고 셔터플렌지에 장착되는 근접센서는 광센서(photo sensor)나 마이크로 스위치센서(micro switch sensor)등의 센서를 사용하여 구성하여도 된다.The proximity sensor mounted on the shutter flange may be configured using a sensor such as a photo sensor or a micro switch sensor.

이상과 같이, 다수개의 셔터중 동작에 에러가 발생된 셔터가 있는 경우 알람스피커에 알람이 발생되고, 셔터의 에러를 알리는 표시부에 에러가 발생된 셔터의 번호표시와 발광다이오드의 발광 되므로 프로세스챔버 내부의 다수개의 셔터의 동작 상태를 외부에서 정확히 감지 할 수 있다.As described above, when there are shutters in which an error occurs in the operation of a plurality of shutters, an alarm is generated in the alarm speaker, and the display of the shutter error is displayed on the display where the error occurs and the light emitting diodes emit light. Can detect the operation state of multiple shutters accurately from the outside.

Claims (3)

프로세스챔버 내부에 위치한 웨이퍼 상에 도포되는 소정의 가스를 공급 및 차단하는 다수개의 셔터를 구비한 반도체 제조장치에 있어서: 셔터(1)가 차단상태(7a)일 때에 셔터플렌지(2)의 소정의 부분에 장착되는 제1센서(5a)와; 셔터(1)가 오픈상태(7b)일 때에 셔터플렌지(2)의 소정의 부분에 장착되는 제2센서(5b)와; 상기 제1센서(5a)의 소정의 차단신호(Sc)와 상기 제2센서(5b)의 소정의 오픈신호(So)를 입력받는 입력부(11)와, 상기 셔터(1)가 상기 차단상태(7a)일 때와 상기 오픈상태(7a)일때 공급전원이 차단되고 상기 셔터(1)가 동작주일 때 공급전원이 인가되는 지연부(31)와, 상기 셔터(1)가 소정의 동작시간 내에 동작이 완료되지 않으면 상기 지연부(31)의 소정의 제어신호를 받아 에러가 발생된 상기 셔터(1)의 번호를 표시하는 표시부(51)와, 상기 셔터(1)가 소정의 동작시간 내에 동작이 완료되지 않으면 상기 지연부(31)의 소정의 제어신호를 받아 상기 셔터(1)에 에러가 발생되었음을 알리는 알람부(80)를 구비하는 셔터감지회로(100)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.A semiconductor manufacturing apparatus having a plurality of shutters for supplying and blocking a predetermined gas applied on a wafer located inside a process chamber, the method comprising: setting a predetermined range of a shutter flange 2 when the shutter 1 is in a blocking state 7a. A first sensor 5a mounted to the portion; A second sensor 5b mounted to a predetermined portion of the shutter flange 2 when the shutter 1 is in the open state 7b; An input unit 11 for receiving a predetermined cutoff signal Sc of the first sensor 5a and a predetermined open signal So of the second sensor 5b, and the shutter 1 receives the cutoff state ( In the open state 7a and in the open state 7a, the delay unit 31 to which the supply power is applied when the supply power is cut off and the shutter 1 is the operating week, and the shutter 1 operates within a predetermined operation time. Is not completed, the display unit 51 which displays the number of the shutter 1 in which an error occurs by receiving a predetermined control signal of the delay unit 31, and the shutter 1 is operated within a predetermined operation time. And a shutter detecting circuit 100 including an alarm unit 80 which indicates that an error has occurred in the shutter 1 in response to a predetermined control signal of the delay unit 31 if not completed. Device. 제1항에 있어서, 상기 입력부(11)는, 상기 셔터플렌지(2)의 소정의 부분에 장착되는 제1근접센서(5a)와 제2근접센서(5b)로부터 상기 셔터(1)의 동작에 따라 출력되는 소정의 신호(Sc, So)를 입력받는 오아게이트(OR1)와; 상기 오아게이트(OR1)의 출력단에 한 단자가 연결되는 제1저항(R1)과; 전원전압단자(Vss)에 에미터단자가 연결되고 상기 오아게이트(OR1)의 출력단에 연결된 상기 저항(R1)의 다른 한 단자에 베이스단자가 연결되는 트랜지스터(Q1); 상기 트랜지스터(Q1)의 컬렉터단자에 연결되는 릴레이(21)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The method according to claim 1, wherein the input unit (11) is adapted to the operation of the shutter (1) from the first proximity sensor (5a) and the second proximity sensor (5b) mounted on a predetermined portion of the shutter flange (2). An oragate OR 1 that receives the predetermined signals Sc and So output along; A first resistor (R 1 ) having one terminal connected to an output terminal of the ora gate (OR 1 ); A power supply voltage terminal (Vss) is connected to the emitter terminal and the gate Iowa (OR 1) the resistance transistor (Q 1) is a base terminal connected to the other terminal of the (R 1) connected to the output end of the; And a relay (21) connected to the collector terminal of the transistor (Q 1 ). 제1항에 있어서, 상기 지연부(31)는, 상기 셔터(1)가 상기 차단상태(7a)에서 소정의 시간내에 상기 오픈상태(7b)로 동작되지 않으면 상기 표시부(51)와 상기 알람부(51)에 구동전압을 인가하고, 상기 셔터(1)가 상기 차단상태(7a)에서 소정의 시간 내에 상기 오픈상태(7b)로 동작되면 상기 표시부(51)와 상기 알람부(50)에 공급되는 구동전압을 차단하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The display unit 51 and the alarm unit according to claim 1, wherein the delay unit 31 is operated when the shutter 1 is not operated in the open state 7b within a predetermined time in the shut-off state 7a. When a driving voltage is applied to the 51 and the shutter 1 is operated in the open state 7b within a predetermined time in the cutoff state 7a, it is supplied to the display unit 51 and the alarm unit 50. A semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that to cut off the driving voltage.
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