KR970051959A - 반도체소자 제조용 공정챔버 - Google Patents

반도체소자 제조용 공정챔버 Download PDF

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KR970051959A
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chamber
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semiconductor device
lamp
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KR1019950067540A
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Inventor
박병석
류세형
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

본 발명은 반도체소자를 제조하기 위한 공정장비에 사용되는 챔버의 구조에 관한 것으로 특히 공정중 챔버내에서 발생하는 파티클을 억제하기 위한 챔버의 구조에 대한 것이다.
본 발명은 종래의 웨이퍼에 스퍼터공정을 통하여 금속층을 형성하는 공정과 건식식각공정에 사용되는 챔버에서 공정의 진행과 대기시 챔버벽과 실드의 온도차를 해소하기 위한 것이다.
본 발명의 구성은 챔버벽과 실드에 히팅챔버를 설치하거나, 챔버의 내부에 램프를 설치하고 챔버벽과 실드가 상기 히팅챔버나 램프를 통하여 가열되어 소정의 온도를 유지할 수 있도록 제어하는 온도제어수단을 포함하여, 온도차이에 의한 파티클의 발생을 방지하고 수율을 높일 수 있는 있도록 한 것이다.

Description

반도체소자 제조용 공정챔버
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 각각 본 발명에 따른 공정챔버의 개략적인 구성도.

Claims (8)

  1. 반도체소자의 제조공정중 스퍼터링 방식으로 웨이퍼의 표면에 금속을 형성하는 챔버벽과 실드를 공정챔버에 있어서, 상기 챔버와 실드의 외부에 설치한 히터자켓과, 상기 히타자켓에 의한 가열되는 챔버벽과 실드가 소정의온도를 유지하도록 제어하는 온도제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 공정챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 방식은 RF 스퍼터 에치인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 공정챔버.
  3. 반도체소자의 제조공정중 스퍼터링 방식으로 웨이퍼에 금속층을 형성하는 챔버벽과 실드를 구비한 공정챔버에 있어서, 챔버의 내부에 상기 챔버벽과 실드를 복사열을 이용하여 가열하도록 설치한 램프와, 상기 램프에 의해 챔버벽과 실드가 소정의 온도를 유지하도록 제어하는 온도제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 공정챔버.
  4. 제3항에 있어서, 상기 램프로 할로겐 램프를 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 공정챔버.
  5. 반도체소자의 제조공정중 웨이퍼에 형성된 불필요한 막을 건식 식각하기 위한 챔버벽과 실드를 구비한 공정챔버에 있어서, 상기 챔버와 실드의 외부에 설치한 히터자켓과, 상기 히타자켓에 의한 가열되는 챔버벽과 실드가 소정의 온도를 유지하도록 제어하는 온도제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 공정챔버.
  6. 반도체소자의 제조공정중 웨이퍼에 형성된 불필요한 막을 건식 식각하기 위한 챔버벽과 실드를 구비한 공정챔버에 있어서, 챔버의 내부에 상기 챔버벽과 실드를 복사열을 이용하여 가열하도록 설치한 램프와, 상기 램프에 의해 가열되는 챔버벽과 실드가 소정의 온도를 유지하도록 제어하는 온도제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 공정챔버.
  7. 제6항에 있어서, 상기 램프로 할로겐 램프를 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 공정챔버.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 고정챔버는 산화막식각공정에 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 공정챔버.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950067540A 1995-12-29 1995-12-29 반도체소자 제조용 공정챔버 KR970051959A (ko)

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