KR970051706A - 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로 - Google Patents

광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970051706A
KR970051706A KR1019950052665A KR19950052665A KR970051706A KR 970051706 A KR970051706 A KR 970051706A KR 1019950052665 A KR1019950052665 A KR 1019950052665A KR 19950052665 A KR19950052665 A KR 19950052665A KR 970051706 A KR970051706 A KR 970051706A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photogate
emission
mux
electrons
electrode
Prior art date
Application number
KR1019950052665A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100211945B1 (ko
Inventor
강성원
이진호
Original Assignee
양승택
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 양승택, 한국전자통신연구원 filed Critical 양승택
Priority to KR1019950052665A priority Critical patent/KR100211945B1/ko
Priority to US08/718,247 priority patent/US5869842A/en
Publication of KR970051706A publication Critical patent/KR970051706A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100211945B1 publication Critical patent/KR100211945B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/54—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements of vacuum tubes
    • H03K17/545—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements of vacuum tubes using microengineered devices, e.g. field emission devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/34—Photo-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/002—Switching arrangements with several input- or output terminals
    • H03K17/005—Switching arrangements with several input- or output terminals with several inputs only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/002—Switching arrangements with several input- or output terminals
    • H03K17/007—Switching arrangements with several input- or output terminals with several outputs only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/34—Photoemissive electrodes
    • H01J2201/342—Cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

본 발명은, 진공 또는 대기 등의 기체에서 인접한 두 개의 전극 사이에 전계를 인가하여 전자를 방출시키는 유도방출(field emission)법과 물질의 표면에 임계 에너지 이상의 광(photon)을 조사하여 전자를 방출시키는 광전효과(photoelectric effect)를 이용한 것으로서, 즉 두 개의 박막형의 전극을 형성하고 이 전극을 각각 방출전극(emission electrode), 수전전극(collector electrode)으로 사용하고 임계 에너지 이상의 광을 방출전극에 조사하여 전자를 방출시켜 게이트의 동작을 수행하도록 하는 광게이트 트랜지스터를 이용하여 고속의 동작회로를 구현할 수 있는 여러 개의 전기신호를 시간분할하여 한 개의 전송선으로 송신할 수 있는 멀티플렉서(multiplex)회로 및 전송된 1개의 전송선으로부터 시간분할된 신호를 다시 복구하는 디멀티플렉서(demultiplex) 회로를 구현하기 위한 광게이트 트랜지스터를 사용한 MUX 및 DEMUX 회로에 관한 것으로, 광게이트 트랜지스터의 초고속의 동작특성을 이용하여 여러 가지 고속회로의 응용이 가능하며, 고속의 광 MUX/DEMUX 회로를 구성할 경우 광신호를 전송하거나 전기 신호를 전송할 경우 모두 전기신호로 신호형태의 전환이 이루어질 수 있으며, 또한 상기 MUX/DEMUX 회로가 전원전압과 광원의 광세기로 충분히 구동할 수 있는 장점이 있어 간단하게 구동회로를 구성할 수 있다.

Description

광게이트 트랜지스터를 이용한 MUX 및 DEMUX 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에서 사용한 광게이트 트랜지스터의 구조 단면도 및 기본동작 회로도.
제3도는 본 발명의 하나의 실시예에 의한 MUX 회로도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 MUX 회로도.

Claims (4)

  1. 진공 또는 대기 등의 기체 내에서 전자를 방출하는 방출전극과, 상기 방출전극에서 방출된 전자를 수집하는 수전전극과, 상기 방출전극의 표면에 광을 조사하기 위한 광원으로 이루어진 광게이트 트랜지스터를 이용하여 MUX/DEMUX 회로를 구현함에 있어서, n개의 입력신호가 저항에 의해 분압되어 광게이트의 트랜지스터의 방출전극에 연결되고, 광원이 상기 입력신호와 동기되어 특정 광게이트 트랜지스터의 방출전극에 광이 조사됨에 따라 상기 방출전극이 전자를 방출하고, 상기 방출된 전자가 수전전극으로 전송되어 전원전압과 조사된 광의 세기에 따라 신호 전류량이 출력저항에 의해 결정되고 전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 광게이트를 이용한 MUX회로.
  2. 진공 또는 대기 등의 기체 내에서 전자를 방출하는 방출전극과, 상기 방출전극에서 방출된 전자를 수집하는 수전전극과, 상기 방출전극의 표면에 광을 조사하기 위한 광원으로 이루어진 광게이트 트랜지스터를 이용하여 MUX/DEMUX 회로를 구현함에 있어서, n개의 입력신호와 동기되는 스위치들이 광게이트 트랜지스터의 방출전극에 연결되고, 상기 스위치 중 어느 하나가 선택되는 경우 특정 광게이트 트랜지스터의 방출전극으로부터 전자가 방출되어 수전전극에 전송되어 방출전류량이 출력저항에 의해 전압으로 출력되는, 즉 상기 입력신호가 직접 광원을 구동하여 광게이트 트랜지스터를 작동시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 광게이트를 이용한 MUX회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스위치에 저항이 연결되고, 상기 저항은 전자의 방출전류를 조절하여 광게이트에 과다한 전류가 흐르는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 광게이트를 이용한 MUX회로.
  4. 진공 또는 대기 등의 기체 내에서 전자를 방출하는 방출전극과, 상기 방출전극에서 방출된 전자를 수집하는 수전전극과, 상기 방출전극의 표면에 광을 조사하기 위한 광원으로 이루어진 광게이트 트랜지스터를 이용하여 MUX/DEMUX 회로를 구현함에 있어서, 하나의 입력신호가 저항에 의해 분압되어 각각의 광게이트 트랜지스터의 방출전극으로 입력시킨 다음, 여러 개의 광원 중 1개를 상기 입력신호와 동기시켜 선택된 방출전극으로부터 방출된 전자가 전압원에 의하여 수전전극으로 이동되어, 방출전류량이 출력저항에 의해 전압으로 출력되는 것을 특징으로 하는 광게이트 트랜지스터를 이용한 MUX회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052665A 1995-12-20 1995-12-20 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로 KR100211945B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950052665A KR100211945B1 (ko) 1995-12-20 1995-12-20 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로
US08/718,247 US5869842A (en) 1995-12-20 1996-09-20 Mux and demux circuits using photo gate transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950052665A KR100211945B1 (ko) 1995-12-20 1995-12-20 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970051706A true KR970051706A (ko) 1997-07-29
KR100211945B1 KR100211945B1 (ko) 1999-08-02

Family

ID=19441843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950052665A KR100211945B1 (ko) 1995-12-20 1995-12-20 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5869842A (ko)
KR (1) KR100211945B1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6407516B1 (en) 2000-05-26 2002-06-18 Exaconnect Inc. Free space electron switch
US6800877B2 (en) * 2000-05-26 2004-10-05 Exaconnect Corp. Semi-conductor interconnect using free space electron switch
US6545425B2 (en) 2000-05-26 2003-04-08 Exaconnect Corp. Use of a free space electron switch in a telecommunications network
US7064500B2 (en) * 2000-05-26 2006-06-20 Exaconnect Corp. Semi-conductor interconnect using free space electron switch
US6801002B2 (en) * 2000-05-26 2004-10-05 Exaconnect Corp. Use of a free space electron switch in a telecommunications network
US6891363B2 (en) * 2002-09-03 2005-05-10 Credence Systems Corporation Apparatus and method for detecting photon emissions from transistors
US6943572B2 (en) * 2002-09-03 2005-09-13 Credence Systems Corporation Apparatus and method for detecting photon emissions from transistors
WO2006077596A2 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Novatrans Group Sa Electronic device and method for performing logic functions

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4010385A (en) * 1976-01-09 1977-03-01 Teletype Corporation Multiplexing circuitry for time sharing a common conductor
NL7604569A (nl) * 1976-04-29 1977-11-01 Philips Nv Veldemitterinrichting en werkwijze tot het vormen daarvan.
US4490626A (en) * 1982-07-29 1984-12-25 Irvine Sensors Corporation Multiplexer circuitry for high density analog signals
JP2623738B2 (ja) * 1988-08-08 1997-06-25 松下電器産業株式会社 画像表示装置
US5038070A (en) * 1989-12-26 1991-08-06 Hughes Aircraft Company Field emitter structure and fabrication process
CA2059197C (en) * 1991-01-11 1998-08-18 Shigetoshi Sugawa Photoelectric converting device and image processing apparatus utilizing the same
US5212426A (en) * 1991-01-24 1993-05-18 Motorola, Inc. Integrally controlled field emission flat display device
KR970000963B1 (ko) * 1992-12-22 1997-01-21 재단법인 한국전자통신연구소 광게이트를 갖는 진공 트랜지스터 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5869842A (en) 1999-02-09
KR100211945B1 (ko) 1999-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI258874B (en) Light emitting element drive circuit
WO2003027997A1 (fr) Ecran et procede de fonctionnement associe
ES2080340T3 (es) Dispositivo de emision por campo de catodo frio que emplea medios de fuente de corriente.
KR970051706A (ko) 광게이트 트랜지스터를 이용한 mux 및 demux 회로
ES2064120T3 (es) Circuitos de excitacion para los dispositivos de rayos laser.
JP2005502086A5 (ko)
CN104170298B (zh) 带绝缘调制器接头和/或输入端的光收发器
ATE67617T1 (de) Integrierte schaltung in komplementaerer schaltungstechnik mit einem substratvorspannungs- generator.
DE3361338D1 (en) Level conversion circuitry
KR940025181A (ko) BiCMOS 출력 구동 회로
KR940022929A (ko) 광 결합기 장치
JPS5560339A (en) Logic circuit
WO2017028348A1 (zh) 光耦隔离开关电路
EP2276174A3 (en) Transistor photoelectric conversion drive circuit
EP0377537A3 (en) Circuit for providing fast output current control in a current mode switching power supply
KR940016606A (ko) 광게이트를 갖는 진공 트랜지스터 및 그 제조방법
KR870010605A (ko) 칼라 표시 시스템
SU966858A1 (ru) Устройство дл включени светодиода
JPS54965A (en) Voltage clamp circuit
TW350189B (en) A bus controlled arrangement using a duty cycle modulated control signal
CN112770438A (zh) 一种色温可调cob光源
SU1370775A1 (ru) Устройство управлени светодиодами
JPS6014535A (ja) 光送信回路
JPS5526615A (en) Method of and apparatus for receiving or emitting light
JPH0316415A (ja) パルス発生回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080428

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee