KR970051184A - 셀프-리프레쉬 주기 발생장치 - Google Patents

셀프-리프레쉬 주기 발생장치 Download PDF

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KR970051184A
KR970051184A KR1019950059655A KR19950059655A KR970051184A KR 970051184 A KR970051184 A KR 970051184A KR 1019950059655 A KR1019950059655 A KR 1019950059655A KR 19950059655 A KR19950059655 A KR 19950059655A KR 970051184 A KR970051184 A KR 970051184A
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    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
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Abstract

셀프-리프레쉬 주기 발생장치는 세분화된 주기를 갖는 카운트 신호를 발생하여 DRAM이 요구하는 주기마다 셀프-리프레쉬 동작을 진행시킬 수 있고, DRAM의 전력소모를 최소화할 수 있다. 이를 위하여, 상기 셀프-리프레쉬 주기 발생장치는 클럭 신호에 대하여 직렬 접속되며, 상기 클럭 신호에 비하여 2n배에 해당하는 주기를 갖고 카운트 신호들을 각각 발생하여 상기 셀프-리프레쉬 인에이블 신호로서 사용될 수 있도록 하는 적어도 2개 이상의 이분주 카운터를 고용한다. 그리고, 상기 셀프-리프레쉬 주기 발생장치는 상기 적어도 2개 이상의 이분주 카운터의 출력신호들에 각각 응답하여 적어도 2개 이상의 삼분주 카운터를 사용한다. 상기 적어도 2개 이상의 삼분주 카운터는 상기 이분주 카운터들의 출력신호들에 비하여 3배의 주기를 갖는 카운트 신호를 각각 발생한다. 상기 적어도 2개 이상의 삼분주 카운터의 출력 신호들은 각각 상기 셀프-리프레쉬 인에이블 신호로서 사용된다.

Description

셀프-리프레쉬 주기 발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 셀프-리프레쉬 주기 발생장치의 회로도.
제4도는 제3도에 도시된 회로의 각부분에 대한 출력 파형도.
제5도는 제3도에 도시된 3분주 카운터의 상세 회로도.

Claims (3)

  1. 반도체 메모리 장치에 사용되어 셀프-리프레쉬 동작을 주기적으로 진행시키기 위한 셀프-리프레쉬 인에이블 신호를 발생하기 위한 셀프-리프레쉬 주기 발생 장치에 있어서, 클럭신호에 대하여 직렬 접속되어, 상기 클럭 신호에 비하여 2n배에 해당하는 주기를 갖고 상기 셀프-리프레쉬 인에이블 신호로서 사용될 수 있는 카운트 신호를 각각 발생하는 적어도 2개 이상의 이분주 카운터와, 상기 적어도 2개 이상의 이분주 카운터의 출력신호들에 각각 응답하여 상기 이분주 카운터들의 출력신호들에 비하여 3배의 주기를 갖는 카운트 신호를 각각 발생하여 상기 셀프-리프레쉬 인 에이블 신호로서 사용될 수 있도록 하는 적어도 2개 이상의 삼분주 카운터를 구비한 것을 특징으로 하는 셀프-리프레쉬 주기 발생 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 클럭 신호에 응답하여 상기 클럭 신호에 비하여 3배의 주기를 갖는 카운트 신호를 발생하여 상기 셀프-리프레쉬 인 에이블 신호로서 사용될 수 있도록 하는 삼분주 카운터를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 셀프-리프레쉬 주기 발생 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적어도 3개 이상의 삼분주 카운터들에서 발생되는 상기 카운트 신호들이 1 : 2의 충격계수를 갖는 것을 특징으로 하는 셀프-리프레쉬 주기 발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100402099B1 (ko) * 2000-12-29 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 메모리소자의 리프레쉬주기 발생회로
KR100418926B1 (ko) * 2001-06-30 2004-02-14 주식회사 하이닉스반도체 디램 마이크로 콘트롤러의 리프레쉬 회로

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KR100402099B1 (ko) * 2000-12-29 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 메모리소자의 리프레쉬주기 발생회로
KR100418926B1 (ko) * 2001-06-30 2004-02-14 주식회사 하이닉스반도체 디램 마이크로 콘트롤러의 리프레쉬 회로

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