KR970032301A - 저전자온도에서 플라즈마를 생산하기 위한 플라즈마 처리장치 - Google Patents

저전자온도에서 플라즈마를 생산하기 위한 플라즈마 처리장치 Download PDF

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Abstract

플라즈마 처리장치는 플라즈마 챔버와, 제1세트의 병렬 안테나소자 및 제2세트의 병렬 안테나소자에 의해 형성된 안테나를 포함하고, 상기 제1세트의 안테나소자가 제2세트의 안테나소자와 서로 맞물려 배열되어 있다. 에너지원이 제1위상의 진동에너지를 제1세트의 안테나소자에 공급하고 또 대향한 제2위상의 진동에너지를 제2세트의 안테나소자에 공급하여 전자가 챔버내에서 생성된 풀라즈마에 한정되는 그러한 주파수에서 챔버내에서 대향 이동하는 에너지장을 만든다.

Description

저전자온도에서 플라즈마를 생산하기 위한 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (17)

  1. 플라즈마 챔버(10; 70)와 제1세트의 병렬 안테나소자와 상기 제1세트의 안테나소자와 서로 맞물려 배열된 제2세트의 병렬 안테나소자를 포함하며 상기 챔버에 인접하게 장착된 안테나 어레이(23, 24; 80, 82)와 챔버내에 있는 웨이퍼 가압판(19; 77)과 제1위상의 진동에너지를 제1세트의 안테나 소자에 공급하고 대향한 제2위상의 진동에너지를 제2세트의 안테나 소자에 공급하여 전자가 챔버내에 생성된 플라즈마에 한정되는 그러한 주파수에서 플라즈마 챔버에서 대향 이동하는 에너지장을 만드는 에너지원(27-29, 32; 34-86, 89)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 대향 이동하는 에너지장의 주파수보다 낮은 주파수에서 바이어스 진동장을 만들기 위해 상기 웨이퍼 가압판(19; 77)에 연결된 보조 에너지원(15-17; 76-78)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 제1 및 제2세트의 안테나소자 각각에 가변용량을 부여하기 위한 가변용량 소자(25,26)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 대향 이동하는 에너지장을 가변 듀티펄스에 따라 변조하기 위한 변조수단(40,41)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 바이어스 진동장을 가변 듀티펄스에 따라 변조하기 위한 변조수단(50,51)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 바이어스 진동장을 가변 듀티펄스에 따라 변조하기 위한 변조수단(50,51)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마에서 전자를 한정하기 위해 정적 전자기장을 만들기 위한 다수의 자석(60,61)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 전기 전도성 상단부재(13)와 절연성 원통형 측면부재(12) 및 하단부제(14)에 의해 형성된 플라즈마 챔버(10); 전기 전도성 환형 상단부재(21)와 원통형 특면부재(20) 및 전지 전도성 환형 하단부재(22)에 의해 형성된 원통형구조체(11); 상기 전기 전도성 환형 상단부재(21)에 고정된 제1세트의 병렬 안테나 소자(23) 및 상기 전기 전도성환형 하단부재(22)에 고정된 제2세트의 병렬 안테나 소자(24); 상기 챔버내에 있는 웨이퍼 가압판(19) 및 제1위상의 진동에너지를 제1세트의 안테나 소자(23)에 공급하고 대향한 제2위상의 진동에너지를 제2세트의 안테나 소자(24)에 공급하여 전자가 챔버내에 생성된 플라즈마에 한정되는 그러한 주파수에서 플라즈마 챔버에서 대향 이동하는 에너지장을 만드는 에너지원(27-29,32)을 포함하고, 상기 제1세트의 안테나소자(23)가 제2세트의 안테나소자와 서로 맞물려 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 대향 이동하는 에너지장의 주파수보다 낮은 주파수에서 바이어스 진동장을 만들기 위해 상기 플라즈마 챔버의 웨이퍼 가압관(19) 및 전기 전도성 상단부재(13)에 연결된 보조 에너지원(15-17)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제8항에 있어서, 제1 및 제2세트의 안테나소자 각각에 가변용량을 부여받기 위한 가변용량 소자(25,26)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 대향 이동하는 에너지장을 가변 듀티펄스에 따라 변조하기 위한 변조수단(40,41)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 바이어스 진동장을 가변 듀티펄스에 따라 변조하기 위한 변조수단(50,51)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 바이어스 진동장을 가변 듀티펄스에 따라 변조하기 위한 변조수단(50,51)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마에서 전자를 한정하기 위해 정적 전자기장을 만들기 위한 다수의 자석(60,61)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  15. 제8항에 있어서, 플라즈마를 요구 포텐셜에서 유지하기 위해 전기 전도성 상단부재(13)에 연결된 가변 DC전압원(15A)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  16. 절연성 상단부재(71)와 전기 전도성 측면부재(72) 및 하단부재(73)에 의해 형성된 플라즈마 챔버(70); 제1피더소자(81)에 한 단부가 연결된 제1세트의 병렬 안테나 소자(80) 및 제2피더소자(83)에 한 단부가 연결된 제2세트의 병렬 안테나 소자(82)를 구비하는 안테나; 상기 챔버내에 있는 웨이퍼 가압판(7) 및 제1위상의 진동에너지를 제1세트의 안테나 소자(80)에 공급하고 대향한 제2위상의 진동에너지를 제2세트의 안테나 소자(82)에 공급하여 전자가 챔버내에 생성된 플라즈마에 한정되는 그러한 주파수에서 플라즈마 챔버에서 대향 이동하는 에너지장을 만드는 에너지원(84-86, 89)을 포함하고, 상기 제1세트의 안테나소자(80)가 제2세트의 안테나소자(82)와 서로 맞물려 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 대향 이동하는 에너지장의 주파수보다 낮은 주파수에서 바이어스 진동장을 만들기 위해 상기 플라즈마 챔버의 웨이퍼 가압판(77) 및 전기 전도성 측면부재(72)에 연결된 보조 에너지원(76-78)을 추가로 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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