KR900017102A - 플라즈마 에칭 장치 - Google Patents

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KR900017102A
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마사아끼 사또
요시노부 아리따
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야마구찌 하루오
닛본 덴신덴와 가부시끼가이샤
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    • H01L21/205Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition

Abstract

내용 없음.

Description

플라즈마 에칭 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치를 도시한 개략도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치를 도시한 개략도.
제5도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치를 도시한 개략도.

Claims (8)

  1. 에칭될 물체가 배치되는 제1캐소드 전극, 제1캐소드 전극으로부터 분리되도록 제1캐소드 전극에 대향하여 배열되고 정 전위원에 접속된 애노드 전극, 제1캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 배치되고 절연 상태로 제1캐소드 전극을 거의 둘러싸는 환상 제2캐소드 전극, 에칭될 몸체가 배치되는 제1캐소드 전극의 표면에 거의 평행한 환상 제2캐소드 전극을 통과하는 자력선들을 발생시키기 위한 자계 인가 수단, 및 개스 방전에 의해 프라즈마를 발생시킴으로써 제1 및 제2캐소드 전극 근처에서 이온을 발생시키기 위해 제1 및 제2캐소드 전극에 각각 접속된 고주파 전원으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
  2. 제1항에 있어서, 고주파 전원으로부터 제1 및 제2캐소드 전극에 각각 인가된 고주파 전압들의 주파수들이 서로 동일하고, 제1 및 제2캐소드 전극에 인가된 고주파 전압들의 위상을 변화시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 위상 변화 수단이 제2캐소드 전극에 인가된 고주파 전압의 위상을 제1캐소드 전극에 인가된 고주파 전압의 위상으로부터 0 내지 1/3 파장만큼 선행시키는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 자계 인가 수단이 제2캐소드 전극과 동축이 되도록 배열되는 다수의 링-형 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서, 자계 인가 수단이 제2캐소드 전극이 존재하는 측에 대향하는 제1캐소드 전극의 측상에 배열된 제1자계 발생 코일, 제1캐소드 전극이 존재하는 측에 대향는 제2캐소드 전극의 측상에 배열된 제2자계 발생 코일, 및 반대 방향의 전류를 제1 및 제2 자계 발생 코일에 공급하기 위한 코일 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제1항에 있어서, 자계 인가 수단이 자력선이 제1 및 제2캐소드 전극의 표면에 거의 평행한 자계를 발생시키는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 자계 인가 수단이 애노드 전극에 대향하여 제1캐소드 전극 근처에 배열된 제1자계 발생 코일, 제2캐소드 전극에 의해 둘러싸여지도록 배열된 제2자계 발생 코일, 제2캐소드 전극을 둘러싸도록 배열된 제3자계 발생 코일, 및 동일한 방향을 갖고 있는 전류를 제1 및 제3자계 발생 코일에 공급된 전류와 반대 방향으로 제2자계 발생 코일에 공급하기 위한 코일 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제6항에 있어서, 자계 인가 수단이 애노드 전극에 대향하여 제1캐소드 전극 근처에 배열된 제1자계 발생 코일, 제1자계 발생 코일을 둘러싸도록 배열되고, 제1자계 발생 코일의 직경보다 큰 직경을 갖고 있는 제2자계 발생 코일, 제2캐소드 전극에 의해 둘러싸여지도록 배열된 제3자계 발생 코일, 제2캐소드 전극을 둘러싸도록 배열된 제4자계 발생 코일, 및 동일한 방향을 갖고 있는 전류를 제1 및 제4자계 발생 코일에 공급하고, 전류를 제1 및 제4자계 발생 코일에 공급된 전류와 반대 방향으로 제2 및 제3자계 발생 코일에 공급하기 위한 코일 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890006884A 1988-05-23 1989-05-23 플라즈마 에칭 장치 KR920008123B1 (ko)

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JP63-123899 1988-05-23
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JP29251788 1988-11-21
JP88-292517 1988-11-21
JP89-84544 1989-04-03
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KR920008123B1 KR920008123B1 (ko) 1992-09-22

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