Claims (11)
기판 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며 수평 방향으로 뾰쪽한 팁을 가지고 있는 캐소드, 상기 기판 위에 상기 캐소드의 팁이 향하는 부분에 형성되어 있는 에노드, 상기 에노드 위에 형성되어 있는 형광체를 포함하는 전계 방출 소자.An insulating film formed on a substrate, a cathode formed on the insulating film and having a sharp tip in a horizontal direction, an anode formed on a portion of the cathode facing the substrate, and a phosphor formed on the anode; A field emission device comprising.
제1항에서, 상기 기판과 상기 애노드의 사이에 형성되어 있는 절연막을 더 포함하는 전계 방출 소자.The field emission device of claim 1, further comprising an insulating film formed between the substrate and the anode.
제2항에서, 상기 기판과 상기 애노드 사이의 상기 절연막은 경사지게 형성되어 있는 전계 방출 소자.The field emission device of claim 2, wherein the insulating layer between the substrate and the anode is formed to be inclined.
제1항에서, 상기 애노드와 상기 형광체의 사이에 형성되어 있는 절연막을 더 포함하는 전계 방출 소자.The field emission device of claim 1, further comprising an insulating film formed between the anode and the phosphor.
제1항에서, 상기 캐소드 전극 또는 상기 애노드 전극과 직렬로 연결되어 전압을 조절하는 트랜지스터를 더 포함하는 전계 방출 소자.The field emission device of claim 1, further comprising a transistor connected in series with the cathode electrode or the anode electrode to adjust a voltage.
기판 위에 애노드를 형성하는 단계, 상기 기판 위에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 위에 상기 애노드를 향하는 뾰족한 팁을 가지는 캐소드를 형성하는 단계, 상기 절연막 중앙부를 식각하여 상기 기판 및 애노드 표면 일부가 노출되고 상기 캐소드의 팁이 돌출도록 하는 단계, 상기 애노드를 덮는 형광체를 형성하는 단계를 포함하고 있는 전계 방출 소자의 제조 방법.Forming an anode on the substrate, forming an insulating film on the substrate, forming a cathode having a sharp tip on the insulating film toward the anode, etching a central portion of the insulating film to expose a portion of the substrate and the anode surface and Causing the tip of the cathode to protrude; and forming a phosphor covering the anode.
제6항에서, 상기 캐소드의 팁은 경사 식각을 통하여 형성하는 전계 방출 소자의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the tip of the cathode is formed through oblique etching.
기판 위에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 위에 수평으로 뾰족한 팁을 가지는 캐소드를 형성하는 단계, 상기 캐소드의 팁이 돌출되도록 상기 절연막을 식각하는 단계, 상기 기판 위에 상기 캐소드의 팁이 향하는 방향에 애노드를 형성하는 단계, 상기 애노드를 덮도록 형광체를 형성하는 단계를 포함하고 있는 전계 방출 소자의 제조 방법.Forming an insulating film on the substrate, forming a cathode having a pointed tip horizontally on the insulating film, etching the insulating film so that the tip of the cathode protrudes, and forming an anode in a direction facing the tip of the cathode on the substrate Forming a phosphor to cover the anode.
제8항에서, 애노드 아래에 상기 절연막이 남도록 형성하는 전계 방출 소자의 제조 방법.The method of claim 8, wherein the insulating film is formed under an anode to remain.
제9항에서, 상기 애노드 아래의 절연막은 경사 식각을 통하여 경사지게 형성하는 전계 방출 소자의 제조 방법.The method of claim 9, wherein the insulating layer under the anode is formed to be inclined through an inclined etching.
제9항에서, 상기 캐소드의 팁은 경사 식각을 통하여 형성하는 전계 방출 소자의 제조 방법.The method of claim 9, wherein the tip of the cathode is formed through oblique etching.