KR970029742A - 기준전압발생 조정회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기준전압발생 조정회로에 관한 것으로, 셀 데이터의 센싱을 효과적으로 하기 위한 레퍼런스 셀 선택에 따른 기준전압의 조정을 용이하게 하는데 적당한 기준전압발생 조정회로를 제공하기 위한 것이다.
이를 의한 본 발명의 기준전압발생 조정회로는 복수개의 레퍼런스 셀로 구성되어, 각각 서로 다른 레퍼런스전압을 출력하는 복수개의 레퍼런스 셀부와, 상기 각각의 레퍼런스 셀부의 출력단에 연결되어, 선택적으로 레퍼런스 전압을 선택하는 스위칭부와, 상기 스위칭부를 선택적으로 제어하기 위한 제어신호를 출력하는 테스트 패턴 디코딩부와, 상기 테스트 패턴 디코딩부에 사용자의 선택에 의한 제어신호를 입력하는 복수개의 입력패드를 포합하여 구성됨을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 기준전압발생 조정회로의 구성도.
제4도는 본 발명에 따른 입력신호의 조합을 나타낸 도면.
Claims (1)
- 복수개의 레퍼런스 셀로 구성되어, 각각 서로 다른 레퍼런스 출력하는 복수개의 레퍼런스 셀부와, 상기 각각의 레퍼런스 셀부의 출력단에 연결되어, 선택적으로 레퍼런스 전압을 선택하는 스위칭부와, 상기 스위칭부를 선택적으로 제어하기 위한 제어신호를 출력하는 테스트 패턴 디코딩부와, 상기 테스트 패턴 디코딩부에 사용자의 선택에 의한 제어신호를 입력하는 복수개의 입력패드를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 기준전압발생 조정회로.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039584A KR100198628B1 (ko) | 1995-11-03 | 1995-11-03 | 기준전압발생 조정회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039584A KR100198628B1 (ko) | 1995-11-03 | 1995-11-03 | 기준전압발생 조정회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970029742A true KR970029742A (ko) | 1997-06-26 |
KR100198628B1 KR100198628B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19432873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950039584A KR100198628B1 (ko) | 1995-11-03 | 1995-11-03 | 기준전압발생 조정회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100198628B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100505569B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-10-19 | 삼성전자주식회사 | 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기 |
KR100542397B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-01-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 센싱 회로 |
-
1995
- 1995-11-03 KR KR1019950039584A patent/KR100198628B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100505569B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-10-19 | 삼성전자주식회사 | 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기 |
KR100542397B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-01-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 센싱 회로 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100198628B1 (ko) | 1999-06-15 |
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