KR970029742A - 기준전압발생 조정회로 - Google Patents

기준전압발생 조정회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970029742A
KR970029742A KR1019950039584A KR19950039584A KR970029742A KR 970029742 A KR970029742 A KR 970029742A KR 1019950039584 A KR1019950039584 A KR 1019950039584A KR 19950039584 A KR19950039584 A KR 19950039584A KR 970029742 A KR970029742 A KR 970029742A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reference voltage
voltage generation
switching unit
selection
control signal
Prior art date
Application number
KR1019950039584A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100198628B1 (ko
Inventor
신태승
Original Assignee
문정환
Lg 반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950039584A priority Critical patent/KR100198628B1/ko
Publication of KR970029742A publication Critical patent/KR970029742A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100198628B1 publication Critical patent/KR100198628B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/14Implementation of control logic, e.g. test mode decoders
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/10Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
    • G11C2207/105Aspects related to pads, pins or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 기준전압발생 조정회로에 관한 것으로, 셀 데이터의 센싱을 효과적으로 하기 위한 레퍼런스 셀 선택에 따른 기준전압의 조정을 용이하게 하는데 적당한 기준전압발생 조정회로를 제공하기 위한 것이다.
이를 의한 본 발명의 기준전압발생 조정회로는 복수개의 레퍼런스 셀로 구성되어, 각각 서로 다른 레퍼런스전압을 출력하는 복수개의 레퍼런스 셀부와, 상기 각각의 레퍼런스 셀부의 출력단에 연결되어, 선택적으로 레퍼런스 전압을 선택하는 스위칭부와, 상기 스위칭부를 선택적으로 제어하기 위한 제어신호를 출력하는 테스트 패턴 디코딩부와, 상기 테스트 패턴 디코딩부에 사용자의 선택에 의한 제어신호를 입력하는 복수개의 입력패드를 포합하여 구성됨을 특징으로 한다.

Description

기준전압발생 조정회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 기준전압발생 조정회로의 구성도.
제4도는 본 발명에 따른 입력신호의 조합을 나타낸 도면.

Claims (1)

  1. 복수개의 레퍼런스 셀로 구성되어, 각각 서로 다른 레퍼런스 출력하는 복수개의 레퍼런스 셀부와, 상기 각각의 레퍼런스 셀부의 출력단에 연결되어, 선택적으로 레퍼런스 전압을 선택하는 스위칭부와, 상기 스위칭부를 선택적으로 제어하기 위한 제어신호를 출력하는 테스트 패턴 디코딩부와, 상기 테스트 패턴 디코딩부에 사용자의 선택에 의한 제어신호를 입력하는 복수개의 입력패드를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 기준전압발생 조정회로.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950039584A 1995-11-03 1995-11-03 기준전압발생 조정회로 KR100198628B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950039584A KR100198628B1 (ko) 1995-11-03 1995-11-03 기준전압발생 조정회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950039584A KR100198628B1 (ko) 1995-11-03 1995-11-03 기준전압발생 조정회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970029742A true KR970029742A (ko) 1997-06-26
KR100198628B1 KR100198628B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19432873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950039584A KR100198628B1 (ko) 1995-11-03 1995-11-03 기준전압발생 조정회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100198628B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100505569B1 (ko) * 1997-12-08 2005-10-19 삼성전자주식회사 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기
KR100542397B1 (ko) * 2000-12-29 2006-01-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 센싱 회로

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100505569B1 (ko) * 1997-12-08 2005-10-19 삼성전자주식회사 동기식 디램 반도체 장치의 내부 전압 발생기
KR100542397B1 (ko) * 2000-12-29 2006-01-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 센싱 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR100198628B1 (ko) 1999-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920003135A (ko) 전압 증배기
GB2275144B (en) Programmable switched capacitor circuit
KR960701510A (ko) 차동전력 공급기를 사용한 집적회로 동작방법(integrated circuit oper-ating from different power supplies)
KR970024134A (ko) 두 차동 클록신호에 의해서 구동된 전압 발생 회로를 갖는 반도체 집적회로(Semiconductor integrated circuit having voltage generation circuit drove by two different clock signals)
KR970003931A (ko) 출력 전압 레벨 선택 회로를 구비한 반도체 집적 시스템
KR910015127A (ko) Da 변환기
KR970005989B1 (ko) 채널별 임의의 음원선택회로
KR910013732A (ko) 제어 회로
US5714873A (en) Power supply for automatically supplying a proper voltage to a central processing unit
KR970029742A (ko) 기준전압발생 조정회로
KR890007287A (ko) 반도체 기억장치
KR910005208A (ko) 학습 장치
KR970022757A (ko) 메모리 소자내의 메인앰프의 배치구조
KR970053282A (ko) 반도체 장치의 동작 모드 설정 회로
JPH05158429A (ja) 情報伝達回路
KR960036681A (ko) 블럭킹 현상을 제거하기 위한 움직임 보상장치
JPH0338925A (ja) デジタル/アナログ変換器
EP0907301A3 (en) A control architecture for a homogeneous routing structure
BR9808002A (pt) Estágio comutador de tempo, e, estrutura de comutação
KR920009033A (ko) 제어 전압이 증가함에 따라 출력이 감소하는 구분(區分)적 전류원
KR970071014A (ko) 구동전압 검출회로
KR970028932A (ko) 디지탈 전류 변환기
KR970011888A (ko) 테스트 모드 변환 장치
KR970011880A (ko) 반도체 장치 측정기의 데이타 입·출력 단자의 기능 확장 방법
KR980004314A (ko) 표시 장치용 구동 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110222

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee