KR970023667A - 박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟용 합금의 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟용 합금의 제조방법 Download PDF

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KR970023667A
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KR1019950034124A
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권태인
한성희
Original Assignee
이정성
주식회사 엘지금속
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 액정표시소자(TFT-LCD)에 있어서 트랜지스터의 게이트 전극 및 배선재료로 사용되고 있는 알루미늄-탄탈륨(Al-Ta)합금 스퍼터링 타겟(Sputtering target)용 합금내에 편석 및 가스 Porosity를 없게하는 합금의 제조에 관한 것으로, 알루미늄-탄탈륨(Al-Ta)을 용해하여 800∼1200℃온도에서 주조함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟(Sputtering target)용 합금의 제조방법에 관한 것이다.

Description

박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟용 합금의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 주조온도가 높을때 편석이 발생된 Al-Ta의 단면도를 나타낸 현미경 사진.

Claims (4)

  1. 알루미늄-탄탈륨(Al-Ta)을 용해하여 800∼1200℃ 온도에서 주조함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟(Sputtering target)용 합금의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 진공유도 용해법 또는 교반 시스템을 사용하여 용해함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟용 합금의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 흑연 모울드에 주조함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟용 합금의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 알루미늄 내에 탄탈륨의 함량이 1∼60중량% 인것을 특징으로 하는박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟용 합금의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034124A 1995-10-05 1995-10-05 박막트랜지스터 액정표시소자 제조시 이용되는 스퍼터링 타겟용 합금의 제조방법 KR970023667A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060006303A (ko) * 2004-07-15 2006-01-19 키스타 주식회사 광기록매체의 반사막 형성용 Ａｌ-Ｔｉ 합금 스퍼터링타겟의 제조방법

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