Claims (7)
투명 절연기판의 전면에 다결정 실리콘층, 게이트 절연막층을 차례로 형성하고, 상기 게이트 절연막층상에 불투명층을 형성한 후 기판의 에지 (Edge)부분에만 남도록 식각하는 공정과, 기판전면에 포토 레지스트를 증착하여 액티브 영역의 상측에만 남도록 패터닝 한 후, 상기 패터닝 되어진 포토 레지스트를 마스크로 산소이온을 주입하는 공정과, 상기 마스크로 이용된 포토 레지스트를 제거하고 채널영역의 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 활성영역의 다결정 실리콘층에 볼순물 이온을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 기판전면에 제1층간 절연막을 형성하고, 소오스 영역상의 제1층간 절연막, 게이트 절연막을 차례대로 일정영역 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀에 금속 전극을 형성하고, 전면에 제2층간 절연막을 형성하는 공정과, 드레인 영역상의 제2층간 절연막, 제1층간 절연막, 게이트 절연막을 차례대로 일정영역 식각하여 화소전극용 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 화소전극용 콘택홀에 화소전극을 형성하고 전면에 보호막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.Forming a polycrystalline silicon layer and a gate insulating layer on the front surface of the transparent insulating substrate in order, forming an opaque layer on the gate insulating layer, and etching the same to remain only at the edge of the substrate; and depositing photoresist on the entire surface of the substrate. Patterning the patterned photoresist so as to remain only in the upper side of the active region, implanting oxygen ions into the mask using the patterned photoresist, and removing the photoresist used as the mask and forming a gate electrode on the gate insulating layer of the channel region. And forming a source / drain region by implanting ball pure ions into the polycrystalline silicon layer of the active region using the gate electrode as a mask, and forming a first interlayer insulating layer on the entire surface of the substrate, and forming a first interlayer insulating layer on the source region. Forming a contact hole by sequentially removing a predetermined region of the gate insulating film; Forming a metal electrode on the entire surface, and forming a second interlayer insulating film on the entire surface, and forming a contact hole for the pixel electrode by sequentially etching a second region of the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the gate insulating film on the drain region. And forming a pixel electrode in the contact hole for the pixel electrode and forming a protective film on the front surface thereof.
제1항에 있어서, 불투명층은 상기 게이트 절연막층상에 포토 레지스트를 도포하여 에지 (Edge)부분만 제거되도록 패터닝하는 공정과, 상기 포토 레지스트를 포함하여 절연기판의 전면에 불투명층을 증착하는 공정과, 상기 포토 레지스트 및 포토 레지스트 상측의 불투명층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the opaque layer is formed by applying a photoresist on the gate insulating layer so as to remove only an edge portion, and depositing an opaque layer on the entire surface of the insulating substrate including the photoresist; And removing the photoresist and the opaque layer on the upper side of the photoresist.
제1항 또는 제2항에 있어서, 불투명층은 Cr또는 WSi또는 TiW등을 증착하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the opaque layer is formed by depositing Cr, WSi, TiW, or the like.
제1항 또는 제2항에 있어서, 불투명층이 형성되는 에지부분의 폭이 5-8mm가 되도록 함을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the width of the edge portion where the opaque layer is formed is 5-8 mm.
제2항에 있어서, 포토 레지스트층의 두께가 1.5-3㎛가 되도록 함을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.The method of claim 2, wherein the thickness of the photoresist layer is 1.5-3 μm.
제2항에 있어서, 불투명층은 1000-2500Å의 두께로 형성함을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.The method of claim 2, wherein the opaque layer is formed to a thickness of 1000-2500 kPa.
제2항에 있어서, 포토 레지스트 밋 포토 레지스트 상측의 불투명층을 습식식각으로 제거함을 특징으로 하는 액정표시 소자의 제조방법.The method of claim 2, wherein the opaque layer on the photoresist photoresist is removed by wet etching.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.