Claims (17)
모니터될 웨이퍼를 한쪽벽면에 고정하는 식각용액조와, He-Ne, Ar 등과 같은 단파장의 광원인 레이저 소오스와, 레이저소오스를 유도하는 광섬유와, 모니터될 웨이퍼의 맞은편 벽면에 위치하며 상지 웨이퍼에 광을 조사하는 광조사장치와, 웨이퍼에서 반사된 단파장의 빛을 감지하는 센서와, 상기 센서로부터의 빛을 증폭하는 증폭기와, 상기 센서, 레이저소오스에 접속되어 광 조사 각도와 반사된 광의 감지를 모드 드라이브로 하여 자동 얼라인 기능을 부여하고, 상기 모든 것을 콘트롤하는 중앙처리장치와, 상기 중앙처리장치에 접속되어 상기 웨이퍼의 습식식각 정도를 관찰할 수 있는 모니터를 구비하는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.An etching solution tank for fixing the wafer to be monitored on one wall surface, a laser source that is a short wavelength light source such as He-Ne, Ar, and the like, an optical fiber for inducing the laser source, and an optical film placed on the opposite wall of the wafer to be monitored. A light irradiation device for irradiating light, a sensor for detecting light of a short wavelength reflected from a wafer, an amplifier for amplifying light from the sensor, a sensor connected to the sensor and a laser source, and sensing a light irradiation angle and reflected light. An in-situ wet system comprising a central processing unit for providing automatic alignment function as a drive, controlling all of the above, and a monitor connected to the central processing unit to observe the wet etching degree of the wafer. Etch Monitor Device.
제1항에 있어서, 상기 센서가 포토 다이오드로 구성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 1, wherein the sensor is formed of a photodiode.
제1항에 있어서, 상기 식각용액조의 벽면은 렌즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 1, wherein the wall surface of the etching solution tank is formed of a lens.
제1항에 있어서, 광학적으로 불투명한 박막을 모니터할 경우 상기 레이저소오스 대신에 β-레이, χ-레이 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 1, wherein β-ray, χ-ray, etc. are used instead of the laser source when monitoring the optically opaque thin film.
모니터될 웨이퍼를 한쪽벽면에 고정하는 식각용액조와, He-Ne, Ar 등과 같은 단파장의 광원인 레이저소오스와, 레이저소오스를 유도하는 광섬유와, 상기 웨이퍼가 고정된 벽면과 접하는 양 벽면중 한쪽 벽면에 위치하며 상기 웨이퍼에 광을 조사하는 광조사장치와, 상기 광조사장치 맞은편 벽면에 위치하며 상기 웨이퍼로부터의 반사광을 감지하는 스크린센서와, 상기 스크린센서로부터의 빛을 증폭하는 증폭기와, 상기 스크린센서, 레이저소오스에 접속되어 광 조사 각도와 반사된 광의 감지를 모토 드라이브로 하여 얼라인 기능을 부여하고, 상기 모든 것을 콘트롤하는 중앙처리장치와, 상기 중앙처리장치에 접속되어 상기 웨이퍼의 습식식각 정도를 관찰할 수 있는 모니터를 구비하는 것을 특징으로 하는 인시튜 급식식가 모니터 장치.An etching solution tank for fixing the wafer to be monitored to one wall surface, a laser source which is a short wavelength light source such as He-Ne, Ar, etc., an optical fiber for inducing the laser source, and one of the wall surfaces in contact with the wall to which the wafer is fixed. A light irradiating device positioned to irradiate light onto the wafer, a screen sensor positioned on a wall opposite the light irradiating device to sense reflected light from the wafer, an amplifier to amplify light from the screen sensor, and the screen A central processing unit, which is connected to a sensor and a laser source, provides an alignment function by sensing a light irradiation angle and reflected light as a moto drive, and controls all of the above, and a wet etching degree of the wafer connected to the central processing unit. In-situ meal monitor device characterized in that it comprises a monitor that can observe.
제5항에 있어서 상기 스크린센서가 포토 다이오드로 구성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 5, wherein the screen sensor is formed of a photodiode.
제5항에 있어서, 상기 식각용액조의 벽면은 렌즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 5, wherein the wall surface of the etching solution tank is formed of a lens.
제5항에 있어서, 광학적으로 불투명한 박막을 모니터할 경우 상기 레이저소오스 대신에 β-레이, χ-레이 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 5, wherein β-rays, χ-rays, etc. are used instead of the laser source when monitoring the optically opaque thin film.
모니터될 웨이퍼들을 실은 카세트를 중앙에 고정하는 식각용액조와, He-Ne, Ar 등과 같은 단파장의 광원인 레이저소오스와, 레이저소오스를 유도하는 광섬유와, 상기 식각용액조의 인접한 두 벽면의 모서리에 위치하며 상기 웨이퍼에 광을 조사하는 광조사장치와, 상기 광조사장치의 대각선으로 연결되지 않는 모서리에 고정되어 웨이퍼에서 반사된 단파장의 빛을 감지하는 스크린센서와, 상기 스크린센서로부터의 빛을 증폭하는 증폭기와, 상기 센서 레이저소오스에 접속되어 광 조사 각도와 반사된 광의 감지를 모토 드라이브로 하여 자동 얼라인 기능을 부여하고, 상기 모든 것을 콘트롤하는 중앙처리장치와, 상기 중앙처리장치에 접속되어 상기 웨이퍼의 습식식각 정도를 관찰할 수 있는 모니터를 구비하는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.It is located at the edges of the etching solution tank which fixes the cassette carrying wafers to be monitored at the center, the laser source which is short wavelength light source such as He-Ne, Ar, the optical fiber which guides the laser source, and the two adjacent wall surfaces of the etching solution tank. A light irradiation device for irradiating light onto the wafer, a screen sensor fixed to a corner not diagonally connected to the light irradiation device for detecting light having a short wavelength reflected from the wafer, and an amplifier for amplifying light from the screen sensor And a central processing unit connected to the sensor laser source to provide an automatic alignment function by detecting a light irradiation angle and reflected light as a moto drive, and controlling all of the above, and a central processing unit connected to the central processing unit. In-situ wet etching monitor, characterized by comprising a monitor capable of observing the wet etching degree. Device.
제9항에 있어서, 상기 카세트를 식각용액조의 중앙에 고정하는 대신에 광조사장치의 대각선으로 연결되는 모서리에 고정하여 모니터 감도를 더욱 높이는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.10. The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 9, wherein the cassette is fixed to a diagonally connected corner of the light irradiation apparatus instead of the center of the etching solution tank.
제9항에 있어서, 상기 스크린센서가 포토 다이오드로·구성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 9, wherein the screen sensor is made of a photodiode.
제9항에 있어서, 상기 식각용액조의 벽면은 렌즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 9, wherein the wall surface of the etching solution tank is formed of a lens.
제9항에 있어서, 광학적으로 불투명한 박막을 모니터할 경우 상기 레이저소오스 대신에 β-레이, χ-레이등을 사용하는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 9, wherein β-rays, χ-rays, etc. are used instead of the laser source when monitoring the optically opaque thin film.
모니터될 웨이퍼들을 실은 카세트를 중앙에 고정하는 식각용액조와, He-Ne, Ar 등과 같은 단파장의 광원인 레이저소오스와, 레이저소오스를 유도하는 광섬유와, 상기 식각용액조의 임의의 벽면에 고정되어 상기 카세트에 광을 조사하는 광조사장치와, 포토 다이오드로 구성되며 상기 광조사장치가 고정된 벽면을 제외한 나머지 벽면에 각각 고정된 제1, 제2 및 제3스크린센서와, 상기 스크린센서로부터의 빛을 증폭하는 증폭기와, 상기 센서, 레이저소오스에 접속되어 광 조사 각도와 반사된 광의 감지를 모토 드라이브로 하여 자동 얼라인 기능을 부여하고, 상기 모든 것을 콘트롤하는 중앙처리장치와, 상기 중앙처리장치에 접속되어 상기 웨이퍼의 습식식각 정도를 관찰할 수 있는 모니터를 구비하는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.An etching solution tank for fixing the cassette carrying wafers to be monitored at the center, a laser source which is a short wavelength light source such as He-Ne, Ar, etc., an optical fiber for inducing the laser source, and fixed to any wall surface of the etching solution bath and the cassette A first, second and third screen sensor composed of a light irradiation device for irradiating light to the wall and a photodiode and fixed to the remaining wall except for the wall to which the light irradiation device is fixed, and light from the screen sensor. An amplifier to be amplified, a sensor connected to the sensor and a laser source, and a motor drive for detecting the light irradiation angle and the reflected light as a moto drive, to provide an automatic align function, and to control the everything, and to the central processing unit. And a monitor capable of observing the wet etching degree of the wafer.
제14항에 있어서, 상기 센서가 포토 다이오드로 구성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 14, wherein the sensor is formed of a photodiode.
제14항에 있어서, 상기 식각용액조의 벽면은 렌즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.15. The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 14, wherein the wall surface of the etching solution tank is formed of a lens.
제14항에 있어서, 광학적으로 불투명한 박막을 모니터할 경우 상기 레이저소오스 대신에 β-레이, χ-레이등을 사용하는 것을 특징으로 하는 인시튜 습식식각 모니터 장치.15. The in-situ wet etching monitor apparatus according to claim 14, wherein β-ray, χ-ray, etc. are used instead of the laser source when monitoring the optically opaque thin film.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.