KR970017949A - 감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 - Google Patents
감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 포토리소그래피공정에서 감광막을 형성하기 위한 감광막도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치에 관한 것으로서, 그 도포방법은 진공척(32)상에 올려진 웨이퍼(33)를 고속회전하면서 감광액 분사노즐(31)을 상기 웨이퍼(33)의 가장자리에서 중앙부로 또는 중앙부에서 가장자리로 이동시키면서 감광액을 분사한다. 이 방법을 사용할 경우에 상기 웨이퍼(33)상에 균일한 두께를 갖는 감광막이 형성될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3D도는 본 발명의 감광막도포방법에 따라 웨이퍼상에 감광막을 도포하는 제조공정을 보여주는 도면.
Claims (2)
- 반도체장치의 포토리소그라피공정에서 감광막을 형성하기 위한 감광막 도포방법에 있어서, 진공척(32)상에 올려진 웨이퍼(33)를 고속회전하면서 감광액분사노즐(31)을 상기 웨이퍼(33)의 가장자리와 중앙부를 왕복이동시키면서 감광액을 분사하는 것을 특징으로 하는 감광막도포방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼(33)의 직경이 약 6인치일 때 약 5∼10㎜/sec의 속도로 상기 감광액분사노즐이 이동되는 것을 특징으로 하는 감광막도포방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950031791A KR970017949A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950031791A KR970017949A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970017949A true KR970017949A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950031791A KR970017949A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970017949A (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100465868B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼의 패턴 형성 방법 |
KR100585448B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-06-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막 형성방법 및 막 형성장치 |
KR100949215B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2010-03-24 | 김미옥 | 소원비는 양초 |
KR101128883B1 (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 형성 방법 |
-
1995
- 1995-09-26 KR KR1019950031791A patent/KR970017949A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100585448B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-06-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막 형성방법 및 막 형성장치 |
KR100465868B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼의 패턴 형성 방법 |
KR100949215B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2010-03-24 | 김미옥 | 소원비는 양초 |
KR101128883B1 (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 형성 방법 |
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