KR970017949A - 감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 - Google Patents

감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 Download PDF

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KR970017949A
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KR1019950031791A
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이창환
여기성
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 포토리소그래피공정에서 감광막을 형성하기 위한 감광막도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치에 관한 것으로서, 그 도포방법은 진공척(32)상에 올려진 웨이퍼(33)를 고속회전하면서 감광액 분사노즐(31)을 상기 웨이퍼(33)의 가장자리에서 중앙부로 또는 중앙부에서 가장자리로 이동시키면서 감광액을 분사한다. 이 방법을 사용할 경우에 상기 웨이퍼(33)상에 균일한 두께를 갖는 감광막이 형성될 수 있다.

Description

감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3D도는 본 발명의 감광막도포방법에 따라 웨이퍼상에 감광막을 도포하는 제조공정을 보여주는 도면.

Claims (2)

  1. 반도체장치의 포토리소그라피공정에서 감광막을 형성하기 위한 감광막 도포방법에 있어서, 진공척(32)상에 올려진 웨이퍼(33)를 고속회전하면서 감광액분사노즐(31)을 상기 웨이퍼(33)의 가장자리와 중앙부를 왕복이동시키면서 감광액을 분사하는 것을 특징으로 하는 감광막도포방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼(33)의 직경이 약 6인치일 때 약 5∼10㎜/sec의 속도로 상기 감광액분사노즐이 이동되는 것을 특징으로 하는 감광막도포방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950031791A 1995-09-26 1995-09-26 감광막의 도포방법 및 이에 사용되는 감광막도포장치 KR970017949A (ko)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100465868B1 (ko) * 2002-05-17 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼의 패턴 형성 방법
KR100585448B1 (ko) * 1999-04-08 2006-06-02 동경 엘렉트론 주식회사 막 형성방법 및 막 형성장치
KR100949215B1 (ko) * 2008-09-26 2010-03-24 김미옥 소원비는 양초
KR101128883B1 (ko) * 2010-09-15 2012-03-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 형성 방법

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