KR970013097A - 반도체 소자의 질화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 질화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 질화막 형성방법에 관한 것으로, 질화막의 두께가 불균일하게 형성되는 것을 방지하기 위하여 웨이퍼 로딩시 불활성 기체를 이용하여 튜브의 입구를 정화시키고 진공상태에서 상기 튜브내의 온도를 빠르게 상승시킨 후 질화막을 증착하므로써 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 질화막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (6)
- 반도체 소자의 질화막 형성방법에 있어서, 소정의 공정을 거친 후 세정된 웨이퍼를 소정의 온도상태에서 증착 반응로의 튜브 내부로 로딩하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 튜브내에 존재하는 산소와 웨이퍼 표면의 반응을 최소화시키기 위하여 상기 튜브내의 압력을 최소화시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 튜브 내불를 소정 압력의 진동상태로 만들로 상기 튜브내의 온도를 빠르게 상승시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 튜브내의 온도가 소정 온도로 상승되면 상기 웨이퍼상에 질화막을 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 질화막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 로딩시 외부의 공기가 상기 튜브 내부로 유입되는 것을 방지하기 위해 불활성 기체를 플로우시켜 상기 튜브의 입구를 정화시키며, 상기 튜브내에 존재하는 산소와 수분을 제거하기 위해 승온전 400°C이하으 온도에서 상기 튜브내를 진공 상태로 만드는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 질화막 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 폴로우되는 불활성 기체의 량은 0.1ℓ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 질화막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 로딩시의 온도는 400°C 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 질화막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 온도 상승시 튜브내의 압력은 0.5 내지 1.5 Torr인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 질화막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 튜브내의 온도는 8 내지 12°C/분의 속도로 상승되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 질화막 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025922A KR970013097A (ko) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 반도체 소자의 질화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025922A KR970013097A (ko) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 반도체 소자의 질화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013097A true KR970013097A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950025922A KR970013097A (ko) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 반도체 소자의 질화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013097A (ko) |
-
1995
- 1995-08-22 KR KR1019950025922A patent/KR970013097A/ko not_active Application Discontinuation
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