KR970008371A - 다층금속 식각방법 - Google Patents
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Abstract
텅스텐(W) 상층막과 티나늄나이트라이드(TiN) 하지막으로 구성되는 다층금속 박막을 동일 챔버내에서 동시에 이방성 식각하는 방법을 개시한다. 본 발명은 W/TiN 다층막을 SF6가스 및 CF4가스를 혼합한 혼합 가스를 에칭 가스로 이용하고, 전체 유량이 40∼100sscm, CF4/(SF6+CF4)의 가스 분율(gas fraction)이 약 0.1∼0.9, 파워가 100∼500W, 압력이 100mTorr 이하의 저압 조건에서 플라즈마 소스를 이용하여 단일 챔버내에서 인-시튜로 패터닝함으로써, 공정 단순화 및 공정 안정화를 기할 수 있으며, 매우 양호한 수직 단면 프로파일을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 다층금속의 에칭방법을 각 단계별로 순차적으로 도시한 공정단면도이다.
Claims (5)
- 텅스텐(W) 상층막과 티나늄나이트라이드(TiN) 하지막으로 구성되는 다층금속을 이방성 식각하는 방법에 있어서, 상기 W/TiN 다층막을 SF6가스 및 CF4가스를 혼합한 혼합 가스를 에칭 가스로 이용하여 동일 챔버내에서 식각하는 것을 특징으로 하는 다층금속 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에칭 가스의 가스 분율(gas fraction)이 0〈CF4/(SF6+CF4)≤1의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 다층금속 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각 조건으로 5∼500sccm의 전체 유량 및 100mTorr 이하의 압력에서 플라즈마 소스(plasma source)를 이용하는 것을 특징으로 하는 다층금속 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합 가스 중의 하나인 CF4대신에 C2F6, C3F8등과 같은 카본-프루오라이드계 가스 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 다층금속 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다층금속의 하지막을 구성하는 TiN 대신에 Ti, TiW, TiSi 등으로 이루어진 Ti-화합물 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 다층금속 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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