KR970007871B1 - 짝수배 주파수 발생회로 - Google Patents

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문정환
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source

Landscapes

  • Amplitude Modulation (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

요약 없음

Description

짝수배 주파수 발생회로
제 1 도는 본 발명의 2배수 주파수 발생회로도.
제 2 도는 제 1 도를 다단으로 연결한 짝수배 주파수 발생회로 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 90°이상기2 : 멀터플라이어
Q1~Q4 : 피엔피트랜지스터Q5~Q10 : 엔피엔트랜지스터
I1 : 전류원R1~R6 : 저항
본 발명은 아날로그 집적회로에 사용되는 주파수 발생기에 관한 것으로, 특히 2배, 4배등 짝수배의 주파수가 필요할때 기존 주파수를 이용하여 필요에 알맞는 짝수배 주파수를 발생시키도록 하기 위한 짝수배 주파수 발생회로에 관한 것이다.
일반적으로 집적회로에서 집적회로 내부나 외부에 사용되는 기존 주파수에 2배, 4배등 짝수배 주파수가 필요할 경우 새로운 주파수 발생기를 사용하여 그에따른 짝수배 주파수로 발생시켜 사용하였다.
그러나 이와같은 새로운 주파수 발생기를 사용할 경우에 주파수 발생기의 발진회로는 콘덴서값이나 전류에 따라 아주 예민하므로, 기존 주파수의 짝수배를 정확하게 맞추기 위해 콘덴서나 저항값을 결정하는데 어려움이 따르고, 정확한 짝수배 주파수를 위해 수정발진기를 이용하면 집적회로의 핀수를 늘려야 하는 문제점이 있었다.
본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 감안하여, 90°이상기를 통한 기존 주파수 신호를 멀티 플라이어를 이용한 2배수 주파수 발생회로에서 2배수로 변환시키도록 하여, 종래의 문제점을 해결하도록 한 짝수배 주파수 발생회로를 창안한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조해 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 발명 2배수 주파수 발생회로도로서, 이에 도시한 바와같이 기존 주파수(fs)를 90°이상기(1)를 통한 후 90°이상되고, 상호 반전신호인 입력신호(Vi11),(Vi12)단자를 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q5,Q8),(Q6,Q7)의 베이스에 접속하고, 기존 주파수(fs)신호로 상호 반전신호인 입력신호(Vi21)(Vi22)단자를 상기 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q9),(Q10)의 베이스에 접속한 후, 상기 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q9),(Q10)의 콜렉터는 상기 트랜지스터(Q5,Q6),(Q7),(Q8)의 에미터에 접속하고, 그 트랜지스터(Q9),(Q10)의 에미터는 공통으로 전류원(I1)에 접속하며, 에미터가 저항(R1),(R2)을 각기 통형 전원전압(Vcc)단자에 접속되고, 콜렉터와 베이스가 접속된 피엔트랜지스터(Q1),(Q2)이 콜렉터 베이스의 접속점을 각기 상기 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q5,Q7),(Q6,Q8)의 콜렉터와 접속함과 아울러 그 접속점을 전류미러 구성인, 에미터가 저항 (R4),(R3)를 통해 전원전압(Vcc)단자와 접속된 피엔피트랜지스터(Q2)(Q4)의 베이스에 각기 접속하며, 그 피엔피트랜지스터(Q2)의 콜렉터를 출력단자(Vo) 및 트랜지스터(Q13)의 콜렉터에 피엔피트랜지스터(Q4)의 콜렉터를 트랜지스터(Q11)의 베이스 및 트랜지스터(Q12)의 콜렉터에 접속한 후, 상기 트랜지스터(Q11) 의 에미터를 상기 트랜지스터(Q12),(Q13)의 베이스에 공통 접속하고, 그 트랜지스터(Q12),(Q13)의 에미터는 각기 저항(R5),(R6)을 통해 접지시켜 구성하였다.
또한, 기존 주파수(fs)의 2배수, 4배수, …등 짝수배의 주파수를 원할경우 제2도 짝수배 주파수 발생회로 블록도에 도시한 바와같이 상기 제1도 2배수 주파수 발생회로를 각기 필요로 하는 짝수배 주파수에 알맞게 다단으로 연결하여 구성할 수 있다.
이와같이 구성한 본 발명 짝수배 주파수 발생회로의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.
기존 주파수(fs)가 90°이상기(1)를 통한 후 상호 반전신호인 입력신호(Vi11),(Vi12)와, 이 입력신호(Vi11),(Vi12)와 90°위상자를 갖는 상기 기존 주파수(fs)신호이며, 상호 반전신호인 입력신호(Vi21),(Vi22)가 멀티플라이어(2)에 입력되면, 그 멀티플라이어(2)에서 곱해져서 출력으로 기존주파수(fs)의 2배가 된 주파수(2fs)로 출력되는데 90°이상된 입력신호(Vi11),(Vi12)는 상호 반전된 신호로서 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q5,Q8)와 트랜지스터(Q6,Q7)를 교차로 온/오프를 시키게 되며, 이때 상기 90°이상 입력신호(Vi11),(Vi12)와 90°위상차이를 갖는 입력신호(Vi21),(Vi22)는 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q9),(Q10)를 교차로 온/오프시키게 되므로, 만양 90°이상 입력신호(Vi12)가 고전위로 트랜지스터(Q6,Q7)가 턴온되면, 입력신호(Vi21),(Vi22)는 상기 트랜지스터(Q6,Q7)가 턴온되어 있는동안 트랜지스터(Q9),(Q10)의 온/오프를 한번씩 교차시킨다. 즉 트랜지스터(Q6,Q7)가 턴온되고 트랜지스터(Q9)가 턴온되면, 피엔피트랜지스터(Q3),(Q4)가 턴온되어 트랜지스터(Q11~Q13)를 턴온시키므로 출력신호(Vo)는 저전위 신호이고, 트랜지스터(Q10)가 턴온되면 피앤피트랜지스터(Q1),(Q2)가 턴온되어 출력신호(Vo)는 고전위 신호이다. 이처럼 기존 주파수(fs)의 반주기 신호일때 출력신호(Vo)는 한주기신호가 출력되어 2배수 주파수가 된다.
이를 수식으로 살펴보면, 90°이상기(1)를 통한 90°이상 입력신호(Vi11),(Vi12)의 신호를 Vi1이라 하고, 상기 입력신호(Vi11),(Vi12)와 90°위상치를 갖는 입력신호(Vi21),(Vi22)를 Vi2라 하며, 멀티플라이어(2)의 출력신호는 Vo1이라 하면,
Vi1=cos(ω1t+90°),(단 ω1=2πfs)
Vi2=cos ω1t
Vo1=Vi1×Vi2=cos(ω1t+90°).cosω1t
=sinω1t.cosωlt
Figure kpo00001
2ω1=2πfs
따라서, Vi1,Vi2로 입력된 주파수(fs)가 멀티플라이어(2)에서 2배 주파수로 되어 본 발명의 출력으로 2배의 주파수(2fs)가 출력된다.
또한, 제2도에 도시한 바와같이 본 발명 2배 주파수 발생회로를 원하는 짝수에 주파수를 얻기위해 다단으로 연결하면 원하는 짝수배 주파수를 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명은 집적회로 내부나 외부에서의 주파수를 이용하여 짝수배 주파수가 필요할 경우 새로운 주파수 발생기가 필요없이 바로 구할 수 있으므로 간단히 짝수배 주파수를 얻을 수 있고, 콘덴서나 전류에 따라 아주 예민한 종래의 발진회로에 비하여 정확한 주파수를 얻을 수 있으며, 수정발진기를 사용했을때의 단점인 핀수를 더 늘일 필요가 없는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 기존 주파수(fs)를 90°이상기(1)를 통한 후 상호 반전신호인 입력신호(Vi11),(Vi12)단자를 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q5,Q8),(Q6,Q7)의 베이스에, 상기 입력신호(Vi11),(Vi12)와 90°위상자를 갖고 상호 반전신호인 입력신호(Vi21),(Vi22) 단자를 상기 멀티플라이어(2)의 트랜지스터(Q9),(Q10)의 베이스에 접속하고, 상기 트랜지스터(Q5,Q8)(Q6,Q7)의 에미터를 에미터가 공통으로 전류원(I1)에 연결된 상기 트랜지스터(Q9),(Q10)의 콜렉터에 접속하며, 상기 트랜지스터(Q5,Q7)(Q6,Q8)의 콜렉터를 콜렉터와 베이스가 접속된 피엔피트랜지스터(Q1),(Q2)의 그 콜렉터와 베이스 접속점에 접속한 후 그 접속점을 전류미러구성의 피엔피트랜지스터(Q2),(Q4)의 베이스에 각기 접속하고, 이 피엔피트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 트랜지스터(Q13)의 콜렉터 및 출력단자(Vo)에, 상기 피엔피트랜지스터(Q4)의 콜렉터는 트랜지스터(Q11)의 베이스 및 트랜지스터(Q12)의 콜렉터에 접속한 후 상기 트랜지스트(Q11)의 에미터를 상기 트랜지스터(Q12),(Q13)의 베이스에 공통접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 짝수배 주파수 발생회로.
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