KR970003342B1 - 유전체 자기조성물 - Google Patents
유전체 자기조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970003342B1 KR970003342B1 KR1019880017311A KR880017311A KR970003342B1 KR 970003342 B1 KR970003342 B1 KR 970003342B1 KR 1019880017311 A KR1019880017311 A KR 1019880017311A KR 880017311 A KR880017311 A KR 880017311A KR 970003342 B1 KR970003342 B1 KR 970003342B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dielectric constant
- dielectric
- composition
- rare earth
- batio
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 20
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 3
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
내용없음.
Description
본 발명은 유전율이 매우높고, 유전율의 온도변화율이 작은 고유전율계 자기 조성물에 관한 것이다.
이러한 자기조성물은 적층 자기콘덴서의 제조시에 사용되어 질수 있고, 또한 유전율이 높기 때문에 자기 및 전극의 적층수를 줄여서 콘덴서의 제조원가 절감에도 기여할 수가 있다.
종래부터, 유전율이 높고 유전율의 온도변화가 작은 자기조성물로서, BaTiO3에 Nb2O5및 MnO를 첨가한 계(일본특허공보 소57-41042), Nb2O5및 MgO를 첨가한 계(일본공개특허공보 소48-53297)등이 알려져 오고 있다. 그러나, 이 조성들은 소성온도가 1350∼1400℃의 고온이고, 또한 유전율이 3,000정도에 불과하여 적층자기 콘덴서의 제조시 고가의 내부전극이 Pd를 다량 사용하게 되어 제조원가면에서 많은 문제를 야기시켜왔다. 또한 BaTiO3에 Bi2O3및 TiO2를 소량첨가한 계(일본특허공보 소60-57163)도 제시되어졌으나, 이 조성물은 4,000정도의 높은 유전율을 가짐에도 불구하고 내용성분중의 Bi가 내부전극 Pd와 반응을 일으키는 문제 때문에 적층자기콘덴서의 원료로서는 전혀 실용성이 없다. 이러한 문제들을 해결하기 위하여 고순도의 BaTiO3에 Nb2O5및 Co2O3등을 첨가한 계(일본공개특허공보 소62-229605)가 제시되어 1250℃ 이하의 저온에서 소성이 가능하고, 또한 유전율이 4,000 이상인 조성물이 등장하게 되었다. 그러나 이 조성물은 내용성분중의 Co가 휘발하며, 소성시 유전율의 편차가 크게 되는 새로운 문제점을 낳게 되었다.
따라서, 본 발명에서는 유전율이 3500 이상, 소성온도가 1250℃ 이하이면서도, 내용성분의 휘발이 최대한 억제되고, 소성시 유전율의 편차가 작은 자기조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 Ba/Ti의 비 1.0에서 ±0.1%의 범위로 조절된 고순도의 BaTiO3에 Co2O3, Nb2O, MnO2, 희토류계 산화물 중 하나 또는 둘 이상의 산화물 및 BaCO3가 첨가되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물에 관한 것이다.
좀 더 상세하기로는 Ba/Ti비가 ±0.1%의 범위에서 벗어나지않은 고순도의 BaTiO3에 Co2O3가 0.20∼0.45wt%, Nb2O5가 0.60∼2.0wt%, MnO2가 0.03∼0.3wt%, 희토류계 산화물 중 하나 또는 둘 이상의 산화물 0.25∼1.0wt%, BaCO3가 0.1∼2.0wt% 첨가되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물에 관한 것이다.
상기 희토류 산화물로서는 La2O3, Nd2O3, CeO2등을 들수 있다.
이상과 같이 조성을 한정한 이유는 다음과 같다. 즉, 산화코발트는 0.20wt%보다 작거나 0.45wt%보다 많게 함유시키면 유전율이 저하되고 온도특성이 악화된다. 오산화나이오븀은 0.60wt%보다 적게 함유되면 소결온도를 1300℃ 이상으로 증가시키며, 2.0wt%보다 많이 함유되면 유전율을 감소시킨다. 이산화망간은 0.03wt%보다 적게 함유되면 손실 계수를 증가시키고 0.3wt%보다 많이 함유되면 유전율을 현저히 감소시킨다. 희토류계 산화물은 상기 범위를 벗어나면 유전율을 3500 이하로 감소시킨다. 탄산바륨은 0.1∼2.0wt%에서 내용성분의 휘발을 억제시키면서, 유전율을 상승시키고 또한, 유전율의 소성편차를 적게한다.
이상 상술한 바와 같은 본 발명의 유전체 자기조성물은, 1) 유전율이 3500 이상으로 높고, 소결온도가 1250℃ 내외 이므로, 비교적 저가격의 Ag가 다량 함유된 전극을 적층콘덴서의 내부전극을 사용할 수 있으며, 2) 유전 손실계수가 1.5% 미만이고, 유전율의 온도 변화율로 -55℃∼+125℃범위에서 ±15%이며, 3) 내용성분의 휘발이 거의 없고, 소성편차가 극히 적은 고신뢰성의 자기조성물을 제공할 수 있다.
이하 실시예 및 비교실시예를 통해 본 발명의 제조방법 및 그 효과에 대하여 구체적으로 설명한다.
그러나, 이 예들이 본 발명의 범주를 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1∼10]
먼저 출발원료로서 99.5% 이상의 순도를 가지는 BaTiO3, Co2O3, Nb2O5, 희토류계 산화물(La2O3, Nd2O3, CeO2…), MnO2, BaCO3를 분말형태로 준비한 후 표 1에 표시된 조성물이 얻어지도록 평량한다. 이때 BaTiO3로는 Ba/Ti의 비가 1.0에서 ±0.1%내의 범위로 조절된 고순도의 원료를 사용한다.
평량된 분말을 Ball Mill에서 습식 혼합한다.
그후 지름 12㎜, 두께 1㎜로 가압성형한 후 1200∼1300℃에서 2시간 소결한 후 Ag전극을 도포 은소부한다.
각 시편에 있어서 유전율(ε) 및 유전손실계수(tenσ)를 25℃, 1KHz에서 측정하였고, 절연저항은 100V 전압 인가후 1분이 경과한 후 측정하였다. 또 25℃를 기준으로하여 -55℃와 125℃에서의 유전율의 변화율을 측정하였다. 그 결과들을 표 2에 표시하였다.
[비교실시예 1∼6]
본 발명의 범주를 벗어난 조성비를 가진 조성물을 표 1의 * 표시조성으로 상기 실시예와 동일한 방법으로 제조하여 동일한 방법으로 물성을 측정하여 그 결과를 표 2에 기재하였다.
[표 1]; 실험조성 (단위 : 중량%)
〔표 2〕; 유전특성
Claims (2)
- Ba/Ti 비가 1.0에서 ±0.1%의 범위를 벗어나지 않는 BaTiO3에 Co2O3, Nb|2O5, MnO2, 희토류계 산화물중 하나 또는 둘 이상의 산화물, BaCO3가 첨가되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제1항에 있어서, BaTiO3100wt%에 대해 Co2O3가 0.20∼0.45wt%, Nb2O5가 0.60∼2.0wt%, MnO2가 0.03∼0.3wt%, 희토류계 산화물 중 하나 또는 둘 이상의 산화물 0.25∼1.0wt%, BaCO3가 0.1∼2.0wt% 첨가되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880017311A KR970003342B1 (ko) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 유전체 자기조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880017311A KR970003342B1 (ko) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 유전체 자기조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900010822A KR900010822A (ko) | 1990-07-09 |
| KR970003342B1 true KR970003342B1 (ko) | 1997-03-17 |
Family
ID=19280562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880017311A KR970003342B1 (ko) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 유전체 자기조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003342B1 (ko) |
-
1988
- 1988-12-23 KR KR1019880017311A patent/KR970003342B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900010822A (ko) | 1990-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4535064A (en) | Ceramic compositions for a reduction-reoxidation type semiconducting capacitor | |
| US4058404A (en) | Sintered ceramic dielectric body | |
| US5361187A (en) | Ceramic dielectric compositions and capacitors produced therefrom | |
| US4753905A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| KR970003342B1 (ko) | 유전체 자기조성물 | |
| JPH05213669A (ja) | 誘電性磁器組成物 | |
| US5861350A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JP3325051B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0118521B2 (ko) | ||
| JPH058524B2 (ko) | ||
| JPS6116131B2 (ko) | ||
| JPH0118522B2 (ko) | ||
| JP2869900B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS5815078A (ja) | 高誘電率系磁器誘電体組成物 | |
| JPH0361287B2 (ko) | ||
| KR920006730B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 | |
| JPH0536308A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| KR920006729B1 (ko) | 고 유전율계 세라믹 조성물 | |
| KR920006731B1 (ko) | 유전체 자기조성물 | |
| KR19980046582A (ko) | 고유전율 유전체 자기조성물 | |
| JP2837516B2 (ja) | 誘電体磁器コンデンサ | |
| KR940004143B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 | |
| KR890002807B1 (ko) | 관통형 콘덴서의 유전체 세라믹 조성물 | |
| JPH0684691A (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| KR930006571B1 (ko) | 세라믹 콘텐서용 유전체 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090616 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |