KR970000702B1 - 반도체 소자 제조를 위한 열적 산화막 성장 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 필드산화막 성장시 종래기술에 따른 각 단계별 공정 조건도.
제2도는 본 발명에 따른 산화막 성장 공정튜브 단면도.
제3도는 필드산화막 성장시 본 발명의 일실시예에 따른 각 단계별 공정 조건도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 가열선 2,3 : 가스 라인
4 : N2라인 가스 밸브 5 : 도어
6 : 압력센서 7 : 도어 밸브
8 : 제어기
본 발명은 반도체 소자 제조 공정중, 예컨데 필드산화막과 같은 열적 산화막을 성장시키는 방법에 관한 것이다.
제1도는 소자분리를 위한 필드 산화막을 5400∼6200Å 두께로 성장 할때의 종래의 각 단계별 공정 조건을 나타내는 공정 조건도로서, 건식 및 습식산화 단계시 950℃의 공정튜브(tube)에서 O2또는 O2/H2가스를 블로우(bolw)시켜 필드 산화막을 성장시킨다.
상기와 같이 종래의 산화막 성장 기술은 산화 단계시 공정튜브 내의 압력에 대한 조절없이 순수하게 O2또는 O2/H2가스를 블로우 시켜 산화공정을 수행함으로써 높은 온도가 필요하고, 고온이 되기까지 기다려야 하는 불편함과 산화 시간이 길어져 전체 공정 시간이 장시간 소요되었다.
따라서, 본 발명은 산화 단계시 소정의 가스를 블로우 시켜 공정튜브 내의 높은 압력을 유지하므로써 산화막 성장율을 향상시키고 공정 시간을 단축시키는 열적 산화막 성장 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 소정온도의 산화 공정튜브에서 O2가스를 사용한 제1건식산화 단계,O2/H2를 사용한 습식산화 단계, 및 O2를 사용한 제2건식산화 단계를 포함하여 이루어지는 열적 산화막 성장 방법에 있어서, 상기 각각의 산화 단계에서, 상기 공정튜브내의 고 압력을 유지시키기 위하여 상기 공정튜브 내에 소정량의 N2가스를 블로우 시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제2도 및 제3도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 산화막 성장 공정튜브를 나타내는 단면도로서, 벽면에 따라 형성된 가열선(1)과 O2및 O2/H2가스를 주입하기 위한 가스 라인(2)이 형성된 공정튜브에 N2라인(3)을 연결하고 상기 N2라인(3) 중간에 N2라인 밸브(4)를 달아 제어기(8)로 부터 조절되도록 하였으며, 도어(door)(5)부위의 압력센서(sensor)(6)로 부터 감지된 압력과 세팅(setting)된 압력값을 비교하여 도어에 부착된 도어 밸브(7)와 N2라인 밸브(4)를 제어하여 튜브의 압력이 일정하도록 제어하게 하였다.
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 필드 산화막을 5400∼6200A 두께로 성장시, 각 단계별 공정 조건을 나타내는 도표로서, 건식 및 습식산화 단계시 850℃의 공정튜브(tube)에서 O2또는 O2/H2가스를 블로우(blow)시켜 필드산화막을 성장하는데, 이때 공정튜브 내로 N2가스를 50ℓ정도 블로우 시켜 공정튜브내의 압력을 2500Torr 정도의 높은 압력으로 유지하므로써 산화막 성장율이 향상되므로 온도를 낮추어 공정을 진행할 수 있고 공정 시간도 단축할 수 있음을 보여준다.
상기 설명과 같이 본 발명은 공정튜브의 고압력을 유지하도록 하므로써 공정 시간을 단축하고 공정 온도를 낮추며, N2가스 량은 제어기(8)로 부터 자동조절 되므로 균일도가 높은 양질의 산화막을 형성하는 효과가 있다.
Claims (3)
- 소정온도의 산화 공정튜브에서 O2가스를 사용한 제1건식산화단계,02/H2를 사용한 습식산화 단계, 및 O2를 사용한 제2건식산화 단계를 포함하여 이루어지는 열적 산화막 성장 방법에 있어서, 상기 각각의 산화 단계에서, 상기 공정튜브내의 압력을 유지시키기 위하여 상기 공정튜브 내에 소정량의 N2가스를 블로우 시키는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열적 산화막 성장 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 N2가스를 상기 각각의 산화 단계에서 50ℓ 정도 블로우시키는 것을 특징으로 하는 열적 산화막 성장 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 각각의 산화 단계는 약 850℃의 온도와, 약 2500Torr의 압력에서 실시하는 것을 특징으로 하는 열적 산화막 성장 방법.
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1993
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| KR950001943A (ko) | 1995-01-04 |
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