KR960703492A - 스핀편광 주입캐리어의 재결합 또는 소멸에 따른 편광 광방출 기술 - Google Patents

스핀편광 주입캐리어의 재결합 또는 소멸에 따른 편광 광방출 기술

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Abstract

적어도 하나의 반도체층을 가지는 발광 반도체 헤테로구조; 반도체 헤테로구조의 층과 전기적접촉하며 자기 모멘트를 가지는 강자성접점; 및 반도체헤테로구조의 상이한 영역에 전기적으로 접속된 접점을 포함하는 원편광방출을 생성시키는 장치이다.
이러한 광방출 반도체 헤테로구조는 발광다이오드(LED)와 약간 다른 구조가 될 수 있다. 강자성접점은 스핀편광캐리어(전자나 정공)를 반도체 장치로 주입하여, 원편광을 생성토록 대향하는 캐리어들과 재결합시킨다. 원편광 방출을 생성시키는 공정은 순수자기모멘트로 접촉하는 발광 반도체 헤테로구조양단에 바이어스를 제공하고, 스핀 편광캐리어를 발광반도체 헤테로구조 내부로 주입하는 과정을 포함한다.

Description

스핀편광 주입캐리어의 재결합 또는 소멸에 따른 편광 광방출 기술
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 원편광을 생성시키는 신규한 구조를 보이는 도면.

Claims (26)

  1. 적어도 하나의 불순물 반도체층을 포함하는 반도체 헤테로구조; 상기 반도체 헤테로 구조영역과 전기접점을 이루고 순수자기모멘트를 가지는 접점; 상기 반도체 헤테로구조의 상이한 영역에 전기적으로 연결된 접점을 포함하는 편광 광방출을 생성하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자기접점의 자기모멘트는 상기 반도체층에 본질적으로 수직인 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자기접점은 적어도 하나의 자기 재질층과 적어도 하나의 기충을 포함하고, 기충은 상기 자기접점과 전기적 접촉하는 상기 반도체 헤테로구조영역과 자기재질층 사이에 부가된 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 자기접점은 적어도 하나의 자기재질층을 포함하고 상기 자기재질층위에 적어도 하나의 캐핑재질층을 포함하는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 자기접점은 상기 반도체 헤테로구조와 음성(ohmic)접촉하는 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 자기접점은 상기 반도체 헤테로구조와 쇼트기 장벽 접점을 형성하는 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 불순물층은 strained층인 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 장치는 적어도 2개의 반도체층을 포함하고, 상기 적어도 2개의 반도체층의 제1층은 P- 분순물층이고 상기 적어도 2개의 반도체층의 제2층은 n-불순물층이거나 비불순물층인 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 자기접점은 적어도 하나의 자기재질층을 포함하고, 상기 자기 재질층위에 적어도 하나의 캐핑재질을 포함하는 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 자기접점의 자기 모멘트는 상기 반도체층에 본질적으로 수직인 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 자기접점은 적어도 하나의 자기 재질층과 상기 자기재질층위에 있는 적어도 하나의 캐핑재질층을 포함하는 장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 자기접점은 상기 반도체 헤테로구조와 음성접촉상태인 장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 자기접점은 상기 반도체 헤테로구조와 쇼트키장벽접점을 형성하는 장치.
  14. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 불순물층은 대응원자가 대역에너지 레벨을 측정 가능하게 분열시키도록 충분한 크리스탈격자 왜곡을 가지는 주입층인 장치.
  15. 제8항에 있어서, 상기 적어도 두개의 반도체층의 제1층과 적어도 2개의 반도체층의 제2층 사이에는 양자샘층을 포함하는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 자기접점의 자기 모멘트는 본질적으로 상기 반도체층과 수직인 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 자기접점은 적어도 하나의 자기재질층과, 상기 자기재질층위의 적어도 하나의 캐핑재질층을 포함하는 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 자기접점은 적어도 하나의 자기재질층과, 상기 자기재질층위의 적어도 하나의 캐핑재질층을 포함하는 장치.
  19. 제15항에 있어서, 상기 자기접점은 상기 반도체 헤테로구조와 음성접촉인 장치.
  20. 제15에 있어서, 상기 자기접점은 상기 반도체 헤테로구조와 쇼트키 장벽접점을 형성하는 장치.
  21. 제15항에 있어서, 상기 적어도 하나의 불순물층은 대응 원자가 대역에너지레벨을 측정가능하게 분열시키도록 충분한 크리스탈격자 왜곡을 가지는 주입층인 장치.
  22. 제14항에 있어서, 음성 접촉층; 상기 음성접점과 전기적으로 접촉하고 음성접점위의 p-불순물 GaAs기판층 ; 상기 p-불순물 GaAs기판층위의 p-불순물 GaAs층; 반도체 주입양자샘층; 상기 양자샘층위의 n-불순물 또는 비불순물 GaAs층; 및 상기 n-불순물 GaAs층에 본질적으로 수직인 자기모멘트를 가지는 n-불순물 또는 비불순물 GaAs층위의 자기접점층을 포함하며, 상기 자기접점층은 MnGa 및 CoPt로 이루어지는 군에서 선택되는 자기재질을 포함하는 장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 반도체 주입 양재샘층은 다음식을 가지는 장치.
    GaxIn1-xAs
    (여기서 X는 0.03~1.0이다.)
  24. 제22항에 있어서, 상기 접점층을 바이어스 시키는 수단을 또한 포함하는 장치.
  25. 순수자기모멘트를 가지는 자기접점을 통하여 반도체 헤테로구조 양단에 바이어스를 제공하고, 원편광을 생성키위해 재결합하도록 상기 반도체 헤테로구조로 스핀편광 캐리어를 주입하는 단계를 포함하는 원편광 광방출 생성방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 자기접점의 자기모멘트는 상기 반도체 헤테로구조에 본질적으로 직각을 이루도록 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950705972A 1993-06-29 1994-06-21 스핀편광 주입 캐리어의 재결합 또는 소멸에 따른 편광광방출기술 KR100371511B1 (ko)

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