KR960702180A - 높은 집적도를 위한 공급 단자를 가지는 반도체 부품(semiconductor components with supply terminals for high integration density) - Google Patents

높은 집적도를 위한 공급 단자를 가지는 반도체 부품(semiconductor components with supply terminals for high integration density)

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KR960702180A
KR960702180A KR1019950704887A KR19950704887A KR960702180A KR 960702180 A KR960702180 A KR 960702180A KR 1019950704887 A KR1019950704887 A KR 1019950704887A KR 19950704887 A KR19950704887 A KR 19950704887A KR 960702180 A KR960702180 A KR 960702180A
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요제프 빈네를
요한 알스마이어
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알베르트 발도르프, 롤프 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

반도체 부품에서, 공통 전력 공급은 전체 영역상에 존재하고 수직 전도 접속부(13,15)에 의해 능동 기능부품(1)에 접속되는 매몰된 금속 층(7,9)을 통하여 공급되고, 접촉이 의도되지 않는 평면은 나중에 피복하는 유전체(11)에 의해 이들 수직 접속부(13,15)로부터 절연된다.

Description

높은 집적도를 위한 공급 단자를 가지는 반도체 부품(SEMICONDUCTOR COMPONENTS WITH SUPPLY TERMINALS FOR HIGH INTEGRATIONDENSITY)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1 내지 5도는 다양한 생성 단계를 가지는 본 발명에 따른 부품의 단면도.

Claims (8)

  1. 능동 기능 부품을 가지는 실리콘 층(1)이 존재하고, 외부 전력 공급을 위한 접속 단자가 구비된 하나이상의 매몰된 전체 영역 금속 층(7,9)이 존재하고, 이 금속 층(7,9)이 절연 층(2,10)에 의해 이 실리콘 총(1)으로부터 전기 절연되고, 이들 기능 부품 및 이 금속 층(7,9) 사이의 전기 전도 접속부(7,9)가 이 금속 층에 대해 수직으로 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  2. 제1항에 있어서, 능동 기능 부품이 CMOS 회로에 속하고, 유전체 층(8)에 의해 서로 전기 절연되고 공급전압(VDD,VSS)의 양의 폴 및 음의 폴을 위한 접속 단자가 각각 구비된 두 개의 매몰된 전체 영역 금속 층(7,9)이 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 각 매몰된 전체 영역 금속 층(7,9)이 티타늄, 텅스텐 및 탄타늄으로 구성된 군으로부터 선택된 금속의 규산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  4. 제1 내지 3항중 한 항에 있어서, 능동 기능 부품을 형성하기 위하여 제공된 각각의 매몰된 전체 영역금속층(7,9) 및 실리콘 층(1)을 포함하는 층 구조가 기판(12)상에 형성되고, 층 구조 상의 층이 유전체 층(2,8,10)에 의해 서로 전기 절연되는 제1단계; 이들 능동 기능 부품이 형성되는 제2단계; 매몰된 전체 영역 금속층까지 연장되는 경우에 개구부가 에칭되는 제3단계; 이들 개구부가 수직 전기 전도 접속부(13)를 형성하기 위하여 금속으로 채워지고, 이들 수직 접속부(13)가 이들 기능 부품의 하나의 접속 단자에 각각 전기 전도 접속되는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품을 형성하기 위한 방법.
  5. 제4항에 있어서, 제3단계는 접촉을 형성하기 위해 의도된 기능 부품의 영역이 각 개구부에 노출되는 방식으로 수행되고, 제4단계는 전기 절연을 위해 제공되 높이까지 개구부의 벽에 유전체(11)를 부착함으로써 수행되고, 접촉을 형성하기 위하여 제공된 상기 영역이 각 경우에 노출되어 남고, 금속은 상기 영역과 전기 접촉을 형성하는 방식으로 도입되는 것을 특징으로 하는 반도체 부품을 형성하기 위한 방법.
  6. 제1단계는 제1추가의 단계에서, 하나 이상의 전체 영역 금속 층(7,9)을 제1기판(12)에 부착하고 전체영역 금속 총을 전체 영역 유전체 층(10)으로 덮고 전체 영역상의 유전체 층(2)을 제2실리콘 기판(1)에 부착함으로써 수행되고 제2추가의 단계에서, 이를 유전체 층(2,10)을 서로 면하도록 하고 웨이퍼 본딩에 의해 서로 접속함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 제4 또는 5항에 따른 반도체 부품을 형성하기 위한 방법.
  7. 제6항에 있어서, 제2추가의 단계후, 능동 기능 부품을 위해 제공된 실리콘 층으로서 사용하기 위한 제2기판(1)은 이들 기능 부품에 일치하는 두께로 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체 부품을 형성하기 위한 방법.
  8. 제4 내지 7항중 한 항에 있어서, 제5단계에서, 수직 접속부(13,15)는 매몰된 전체 영역 금속 층(7,9)반대편의 단상에 금속 접촉부(16)가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 부품을 형성하기 위한 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950704887A 1993-05-05 1994-05-02 높은 집적도를 위한 공급 단자를 가지는 반도체 부품(semiconductor components with supply terminals for high integration density) KR960702180A (ko)

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PCT/DE1994/000485 WO1994025986A1 (de) 1993-05-05 1994-05-02 Halbleiterbauelement mit stromanschlüssen für hohe integrationsdichte

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