KR960039268A - Semiconductor Device Separation Method - Google Patents

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KR960039268A
KR960039268A KR1019950007785A KR19950007785A KR960039268A KR 960039268 A KR960039268 A KR 960039268A KR 1019950007785 A KR1019950007785 A KR 1019950007785A KR 19950007785 A KR19950007785 A KR 19950007785A KR 960039268 A KR960039268 A KR 960039268A
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KR
South Korea
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oxide film
film
semiconductor device
separating
separation method
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Application number
KR1019950007785A
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Korean (ko)
Inventor
김진태
권오성
김의식
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명의 반도체 소자의 분리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 로코스에 의한 소자 분리시 패드 산화막의 구성을 달리하여 버드 빅을 감소시키는 반도체 소자 분리 방법에 관한 것으로서, 종래 로코스 방식에 의한 소자 분리 방법은 현재의 반도체 아이솔레이션 공정에 많이 이용되고는 있으나, 측면 확산 및 버드 빅 현상 등에 의해 소자 설계치수가 서브 미크론으로 줄어드는 고집적 메모리 소자에 있어서, 분리 영역의 폭을 감소 시키는데 제한이 따르고, 소자의 단락을 유발하는 문제가 야기되어 본 발명은 패드 산화막을 열산화막과 박막의 질화막과 완충 산화막으로 구성하여 측면 확산 및 버드빅 길이를 감소시키am로써 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.The present invention relates to a method for separating a semiconductor device, and more particularly, to a method for separating a semiconductor device in which a bud big is reduced by changing a structure of a pad oxide film when the device is separated by a LOCOS. Separation method is widely used in the current semiconductor isolation process, but in a highly integrated memory device whose device design dimension is reduced to sub-micron due to lateral diffusion and bud-big phenomenon, there is a limitation in reducing the width of the isolation region. Since the problem of causing a short circuit is caused, the present invention can secure the reliability of the device by reducing the side diffusion and the Budvik length by configuring the pad oxide film as the thermal oxide film, the nitride film of the thin film, and the buffer oxide film.

Description

반도체 소자 분리 방법Semiconductor Device Separation Method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제4도 내지 제6도는 본 발명에 따른 소자 분리 방법의 각 제조공정을 보인 요부 단면도.4 to 6 are main cross-sectional views showing each manufacturing process of the device separation method according to the present invention.

Claims (8)

반도체 기판 상부에 패드 산화막을 형성하고, 그 상부에 후막의 질화막을 형성한 다음, 국부 성장 영역의 질화막을 제거한 후, 필드 산화막을 성장시키는 반도체 소자의 분리방법에 있어서, 상기 패드 산화막의 형성단계는 반도체 기판 상부에 박막의 열 산화막을 형성하는 공정과, 상기 열 산화막 상부에 박막의 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막 상부에 완층 산화막을 형성하는 공정으로 형성되는 것을 특징으로 반도체 소자의 분리 방법.In the method of separating a semiconductor device in which a pad oxide film is formed on a semiconductor substrate, a thick nitride film is formed thereon, a nitride film of a locally grown region is removed, and a field oxide film is grown. Forming a thin thermal oxide film on the semiconductor substrate, forming a thin nitride film on the thermal oxide film, and forming a complete oxide film on the nitride film. 제1항에 있어서, 상기 완충 산화막은 CVD 옥사이드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.The method of claim 1, wherein the buffer oxide film is CVD oxide. 제1항에 있어서, 상기 완충 산화막은 MTO인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.The method of claim 1, wherein the buffer oxide film is MTO. 제1항에 있어서, 상기 완충 산화막은 TEOS인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.The method of claim 1, wherein the buffer oxide film is TEOS. 제1항에 있어서, 상기 완충 산화막은 HTO인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.The method of claim 1, wherein the buffer oxide film is HTO. 제1항에 있어서, 상기 열산화막의 두께는 50 내지 150Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.The method of claim 1, wherein the thermal oxide film has a thickness of 50 to 150 kPa. 제1항에 있어서, 상기 박막의 질화막의 두께는 300 내지 700Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.2. The method of claim 1, wherein the thickness of the nitride film of the thin film is 300 to 700 GPa. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충 산화막의 두께는 200 내지 400Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.The semiconductor device separation method according to any one of claims 1 to 5, wherein the buffer oxide film has a thickness of 200 to 400 GPa. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
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