KR960039186A - 자기장이 보강된 플라즈마 반응기에서 플라즈마 균일성을 만들기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반응 챔머 내에 방사 방향으로 자기장을 발생하기 위한 자기장이 보강된 플라즈마 에칭 반응기 시스템에 관한 것이다. 반응기 시스템은 플라즈마를 감싸는 반응 챔버 및 반응 챔버내의 반응 영역 주위에 배치된 다수의 전자석 코일을 포함한다. 각각의 코일이 동일한 크기의 전류로 구동될 때, 상기 전자석 코일은 반응 챔버 내에 방사 방향으로 자기장을 만들어 낸다. 상기 방사 방향의 자기장은 플라즈마 영역 전체에 플라즈마를 균일하게 분포시킨다. 결과적으로, 그러한 균일한 플라즈마에 의해 에칭된 기판은 기판상의 에칭 패턴의 균일성을 개선시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1특징에 따른 자기장이 보강된 플라즈마 반응기의 부분적으로 절단된 개략도.
Claims (25)
- 자기장이 보강된 플라즈마 반응기에 있어서, 플라즈마를 감싸기 위한 반응기 챔버; 상기 반응 챔버내에 방사 방향으로 자기장을 형성하기 위하여 반응 챔버 내의 반응 영역 주위에 놓여진 다수의 전자석; 및 상기 다수의 전자석에 전류를 공급하기 위하여 상기 다수의 전자석에 연결된 전류 발생기를 포함하여, 상기 전류는 상기다수의 전자석 각각을 통하여 동일 방향으로 흐르는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제1항에 있어서, 상기 전류는 AB전류인 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제1항에 있어서, 상기 전류는 DC 전류인 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 전자석은 제1 및 제2쌍의 전자석을 추가로 포함하며, 각 쌍의 전자석 내의 각각 전자석은 제1 및 제2정렬 축을 따라서 각각 동축으로 정렬되고 그리고 상기 제1 및 제2정렬 축은 서로 직교하는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2쌍의 전자석에 각각 전자석은 상부, 하부, 오른쪽, 및 왼쪽 부분에 의해 형성된 거의 직각 평면 형태를 가지며, 상기 상부 및 하부 부분의 각각의 단부는 사이 반응 챔버를 향하여 안쪽으로 굽는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제5항에 있어서, 상기 전자석 각각의 상기 및 하부 부분은 55˚정도 안쪽으로 굽는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 자기장이 보강된 플라즈마 반응기에 있어서, 기판 지지체에 가까이 플라즈마를 감싸기 위한 반응 챔버; 반응 챔버 내에 방사 방향으로 자기장을 형성하기 위하여 반응 챔버 내의 반응 영역 주위를 둘러싸는 다수의 전자석; 및 상기 다수의 전자석 각각에 전류를 공급하기 위하여 상기 다수의 전자석에 연결된 전류 발생기를 포함하며, 상기 각각의 전류는 인접 전자석을 통하여 양쪽 방향으로 흐르는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제7항에 있어서, 상기 각각의 전자석에 흐르는 상기 전류는 DC전류인 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제7항에 있어서, 상기 각각의 전자석에 흐르는 상기 전류는 AC전류인 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제7항에 있어서, 상기 기판 지지체는 평면을 형성하는 표면을 가지고 있고 그리고 상기 다수의 거의 환형인 전자석중 적어도 하나는 평면 아래에 놓여지고 그리고 상기 다수의 거의 환형인 전자석중 나머지 환형 전자석은 평면 위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제7항에 있어서, 상기 기판 지지체는 평면을 형성하는 표면을 가지고 있고, 상기 다수의 거의 환형인 전자석중 하나는 평면 아래에 배치되고 그리고 상기 다수의 거의 환형인 전자석중 3개의 환형인 전자석은 평면위에 놓이는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 자기장이 보강된 플라즈마 반응기에 있어서, 플라즈마를 감싸기 위한 반응 챔버; 반응 챔버 내에 방사 방향으로 자기장을 형성하기 위하여 다수의 반응 챔버 주위에 제1 및 제2쌍의 전자석을 포함하는데, 각각의 전자석 쌍내의 각각의 전자석은 제1 및 제2정렬 축을 따라서 각각 동축으로 정렬되고 그리고 상기 제1 및 제2정렬축은 서로에 대해 수직이며, 및 상기 제1 및 제2쌍 전자석에 전류를 공급하기 위하여 상기 제1 및 제2쌍 전자석에 연결된 전류 발생기를 포함하고 상기 전류는 상기 전자석의 각각을 통하여 동일 방향으로 흐르는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제12항에 있어서, 상기 각각의 전자석에 흐르는 상기 전류는 DC전류인 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제12항에 있어서, 상기 각각의 전자석에 흐르는 상기 전류는 AC전류인 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제12항에 있어서, 상기 각각의 전자석은 상부, 하부, 오른쪽 및 왼쪽 부분에 의해 형성된 거의 직각 평면형태를 가지는 상기 제1 및 제2쌍 전자석이고, 상기 상부 및 하부 부분의 각각 단부는 상기 반응 챔버를 향하여 안쪽으로 굽는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 제15항에 있어서, 상기 각각의 전자석의 상기 상부 및 하부 부분은 45˚ 정도 굽는 것을 특징으로 하는 반응기.
- 반응 챔버내의 반응 영역 주변에 배치된 다수의 전자석을 가지는 강화된 자기장 플라즈마 반응기에서 플라즈마를 균일하게 형성하는 방법에 있어서, 상기 각각의 전자석을 통하여 동일 방향으로 흐르는 전류를 상기 다수의 전자석 각각에 인가하는 단계; 및 상기 반응 챔버내에 방사 방향으로 자기장을 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 전류는 AC전류인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 전류는 DC전류인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 전자석 각각을 통하여 흐르는 상기 전류는 거의 동일한 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 반응 챔버내의 반응 영역 주변을 둘러싸는 다수의 전자석을 가지는 자기장이 보강된 플라즈마 반응기에서 플라즈마를 균일하게 형성하는 방법에 있어서, 인접한 전자석을 통하여 양쪽 방향으로 흐르는 각각의 전류를 상기 다수의 전자석 각각에 인가하는 단계; 및 상기 반응 챔버내에 방사 방향으로 자기장을 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 발생 단계는 인접한 전자석 사이에 배치된 보강된 플라즈마의 평면 영역을 발생하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 전류는 AC전류인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 전류는 DC전류인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 전자석 각각에 흐르는 상기 전류는 거의 동일한 크기인 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08/431,178 | 1995-04-28 | ||
| JP43117895 | 1995-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039186A true KR960039186A (ko) | 1996-11-21 |
Family
ID=66217252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012995A KR960039186A (ko) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | 자기장이 보강된 플라즈마 반응기에서 플라즈마 균일성을 만들기 위한 방법 및 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039186A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100266021B1 (ko) * | 1997-12-16 | 2000-09-15 | 김영환 | 플라즈마 열처리장치 및 이를 이용한 캐패시터 형성방법 |
-
1996
- 1996-04-26 KR KR1019960012995A patent/KR960039186A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100266021B1 (ko) * | 1997-12-16 | 2000-09-15 | 김영환 | 플라즈마 열처리장치 및 이를 이용한 캐패시터 형성방법 |
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