Claims (16)
반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 필드 산화막이 형성된 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성한 후, 상기 게이트 산화막을 포함한 상기 반도체 기판상에 워드라인용 폴리시리콘을 증착하는 단계와, 리소그라피 공정 및 식각공정에 의해 상기 워드라인용 폴리실리콘의 소정부분을 식각하여 워드라인과 제1콘택 포인트를 형성하는 단계와, 마스크를 사용한 리소그라피 공정 및 고농도 불순물 이온 주입공정에 의해 접합부를 형성하는 단계와, 상기 워드라인과 상기 제1콘택 포인트를 포함한 반도체 기판상에 제1층간 절연막을 형성한 후, 비트라인 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 비트라인 콘택홀을 포함한 상기 제1층간 절연막상에 비트라인용 폴리실리콘을 증착하는 단계와, 리소그라피 공정 및 식각공정에 의해 상기 비트라인용 폴리실리콘의 소정부분을 식각하여 비트라인과 상기 제1콘택 포인트 상부족에 대응되는 제2콘택 포인트를 형성하는 단계와, 상기 비트라인과 상기 제2콘택 포인트를 포함한 상기 제1층간 절연막상에 제2층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2콘택 포인트 상부쪽에 대응되는 부분이 개방된 포토레지스트를 상기 제2층간 절연막상에 형성하는 단계와, 상기 개방된 포토레지스트를 식각 마스크로한 다단계 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.A method for forming a contact hole in a semiconductor device, the method comprising: forming a gate oxide film on a semiconductor substrate on which a field oxide film is formed, depositing polysilicon for word lines on the semiconductor substrate including the gate oxide film, and performing a lithography process and etching Etching a predetermined portion of the polysilicon for the word line by a process to form a word line and a first contact point, forming a junction by a lithography process using a mask and a high concentration impurity ion implantation process, and the word Forming a first interlayer insulating film on the semiconductor substrate including a line and the first contact point, and then forming a bitline contact hole; and forming a bitline poly on the first interlayer insulating film including the bitline contact hole. Depositing silicon, and lithographic polysilicon for the bit line by a lithography process and an etching process Etching a predetermined portion to form a second contact point corresponding to the upper portion of the bit line and the first contact point; and forming a second interlayer insulating layer on the first interlayer insulating layer including the bit line and the second contact point. Forming a photoresist on the second interlayer insulating film; forming a photoresist having an open portion corresponding to an upper portion of the second contact point; and forming a contact hole in a multi-step etching process using the open photoresist as an etching mask. Forming a contact hole in the semiconductor device;
제1항에 있어서, 상기 개방된 포토레지스트를 식각 마스크로한 상기 다단계 식각공정은 상기 제2층간 절연막의 노출된 부분을 상기 제2콘택 포인트가 노출되는 시점까지 1차로 식각하여 제1식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제1식각홈의 저면부를 이루는 상기 제2콘택 포인트를 상기 제1층간 절연막이 노출되는 시점까지 2차로 식각하여 제2식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제2식각홈의 저면부를 이루는 상기 제1층간 절연막의 노출된 부분을 상기 제1콘택 포인트가 노출되는 시점까지 3차로 식각하여 제3식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제3식각홈의 저면부를 이루는 상기 제1콘택 포인트를 상기 게이트 산화막이 노출되는 시점까지 4차로 식각하여 제4식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제4식각홈의 저면부를 이루는 상기 게이트 산화막을 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein the multi-step etching process using the open photoresist as an etching mask is performed by first etching the exposed portion of the second interlayer insulating layer until the second contact point is exposed. Forming a second etching groove by second etching the second contact point forming the bottom portion of the first etching groove until the first interlayer insulating layer is exposed; Etching the exposed portion of the first interlayer insulating layer constituting the bottom portion three times until the first contact point is exposed to form a third etch groove, and forming the third etch groove, the first contact forming the bottom portion of the third etch groove. Forming a fourth etching groove by etching a point four times until the gate oxide layer is exposed, and removing the gate oxide layer forming the bottom portion of the fourth etching groove to form a contact hole. Forming a contact hole of a semiconductor device, characterized in that the step of forming.
제1 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2층간 절연막은 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein the first and second interlayer insulating films are formed of an oxide.
제1 또는 2항에 있어서, 상기 제1 및 제2콘택 포인트는 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein the first and second contact points are made of polysilicon.
제1 또는 2항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하기 위한 다단계 식각공정은 비등방성 식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 1, wherein the multi-step etching process for forming the contact hole is performed by an anisotropic etching process.
반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하고, 상기 제1절연막상에 제1콘택 포인트를 애스팩트 비가 큰 콘택홀이 형성될 콘택영역에 형성되도록 하는 단계와, 상기 제1콘택 포인트를 포함한 상기 제1절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1콘택 포인트상부쪽에 대응되도록 상기 제2절연막상에 제2콘택 포인트를 형성하는 단계와, 상기 제2콘택 포인트를 포함한 상기 제2절연막상에 제3절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2콘택 포인트 상부쪽에 대응되는 부분이 개방된 포토레지스트를 상기 제3절연막상을 형성하는 단계와, 상기 개방된 포토레지스트를 식각 마스크로하여 상기 제3절연막의 노출된 부분을 상기 제2콘택 포인트가 노출되는 시점까지 1차로 식각하여 제1식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제1식각홈의 저면부를 이루는 상기 제2콘택 포인트를 상기 제2절연막이 노출되는 시점까지 2차로 식각하여 제2식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제2식각홈의 저면부를 이루는 상기 제2절연막의 노출된 부분을 상기 제1콘택 포인트가 노출되는 시점까지 3차로 식각하여 제3식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제3식각홈의 저면부를 이루는 상기 제1콘택 포인트를 상기 제1절연막이 노출되는 시점까지 4차로 식각하여 제4식각홈을 형성하는 단계와, 상기 제4식각홈의 저면부를 이루는 상기 제1절연막을 상기 접합부가 노출되는 시점까지 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.A method for forming a contact hole in a semiconductor device, comprising: forming a first insulating film on a semiconductor substrate on which a junction is formed, and forming a first contact point on the first insulating film in a contact region in which a contact hole having a large aspect ratio is to be formed; Forming a second insulating film on the first insulating film including the first contact point, forming a second contact point on the second insulating film so as to correspond to an upper portion of the first contact point; Forming a third insulating film on the second insulating film including the second contact point, forming a third insulating film on a photoresist having an opening corresponding to an upper portion of the second contact point; A first etching groove is formed by first etching the exposed portion of the third insulating layer until the second contact point is exposed by using the opened photoresist as an etching mask. And secondly etching the second contact point forming the bottom portion of the first etching groove to a time point at which the second insulating layer is exposed to form a second etching groove, and forming the bottom portion of the second etching groove. Etching the exposed portion of the second insulating layer three times until the first contact point is exposed to form a third etching groove, and forming the first contact point forming the bottom portion of the third etching groove. Etching to the fourth time until the insulating layer is exposed to form a fourth etching groove, and etching the first insulating layer forming the bottom portion of the fourth etching groove to the time when the junction is exposed to form a contact hole. Method for forming a contact hole of a semiconductor device, characterized in that.
제6항에 있어서, 상기 제1 및 2콘택 포인트와 상기 제1,2 및 3절연막은 상호 식각 선택비가 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 6, wherein the first and second contact points and the first, second and third insulating layers are formed of materials having different etching selectivities.
제6항에 있어서, 상기 제1,2 및 3절연막은 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 6, wherein the first, second, and third insulating layers are formed of an oxide.
제6항에 있어서, 상기 제1 및 2콘택 포인트는 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 6, wherein the first and second contact points are formed of polysilicon.
제6항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하기 위한 다단계 식각공정은 비등방성 식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 6, wherein the multi-step etching process for forming the contact hole is performed by an anisotropic etching process.
반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 애스팩트 비가 큰 콘택홀 형성시에 콘택홀이 형성될 부위의 절연막내에 적어도 하나 이상의 콘택 포인트를 형성하는 단계와, 상기 적어도 하나 이상의 콘택 포인트의 상부쪽에 대응되는 부분이 개방된 포토레지스트를 상기 절연막상에 형성하는 단계와, 상기 개방된 포토레지스트를 식각 마스크로 한 다단계 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.A method for forming a contact hole in a semiconductor device, the method comprising: forming at least one contact point in an insulating film at a portion where a contact hole is to be formed when forming a contact hole having a large aspect ratio, and corresponding to an upper side of the at least one contact point; Forming a contact hole on the insulating film with an open portion thereof, and forming a contact hole in a multi-step etching process using the open photoresist as an etching mask.
제11항에 있어서, 상기 개방된 포토레지스트를 식각 마스크로한 상기 다단계 식각공정은 상기 절연막과 상기 적어도 하나 이상의 콘택 포인트의 식각을 콘택홀이 형성되는 시점까지 순차적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The semiconductor device of claim 11, wherein the multi-step etching process using the open photoresist as an etching mask is performed by sequentially etching the insulating layer and the at least one contact point until a contact hole is formed. Contact hole formation method.
제11 또는 제12항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 콘택 포인트와 상기 절연막은 상호 식각 선택비가 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 11, wherein the at least one contact point and the insulating layer are formed of a material having a different etching selectivity from each other.
제11 또는 제12항에 있어서, 상기 절연막은 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 11 or 12, wherein the insulating film is formed of an oxide.
제11 또는 12항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 콘택 포인트의 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 11 or 12, wherein the at least one contact point is formed of polysilicon.
제11 또는 12항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하기 위한 다단계 식각공정은 비등방성 식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.The method of claim 11, wherein the multi-step etching process for forming the contact hole is performed by an anisotropic etching process.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.