KR960030474A - 플래너 도파관과 그 제조에 관한 공정 - Google Patents

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Abstract

플래너 도파관과 그 제조 공정이 개시된다. 그 도파관은 기판위에 형성되었고, 도핑된 주 물질층을 가지고 있다. 주 물질은 금속 플루오라이드와 같은 3가 금속이다. 상기의 금속은 그룹 ⅢB 금속들과, 멘델레프 주기율표의 란타나이드 계열의 회토류 금속들로부터 선택되어진다. 도펀트는 에르븀과같은 회토류 금속이다. 도파관은 1.51㎛에서 1.57㎛에 걸친 파장에서 광 신호의 증폭을 위해 약 60nm의 밴드폭을 갖는 방사 스펙트럼을 가지고 있다. 도파관은 기판위에 도핑된 주 물질층을 형성함으로써 만들어진다. 막은 두개의 다른 소스들 즉 도펀트 물질에 대한 소스와 주물질에 대한 소스와 주물질에 대한 다른 소스에서 물질들을 증발시키고 기판위의 증발된 물질로 된 막을 형성함으로써 만들어진다.

Description

플래너 도파관과 그 제조에 관한 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도와 제2도는 본 발명의 플래너 도파관들을 도시.

Claims (15)

  1. 광학 신호 증폭에 적합한 광학 장치에 있어서, 상기 신호를 유입하기 위한 접속부와, 증폭에 필요한 광전력을 유입하기 위한 접속부와, 신호 출력을 위한 접속부와, 상기 신호와 상기 광전력을 유도하기에는 알맞은 영역으로 구성되며, 상기 영역은 기판 위에 형성된 3가의 단결정이나 다결정 물질이며, 도핑된 도파관 물질을 포함하며, 상기 기판은 도파관 물질의 굴절지수보다 작은 굴절지수를 가지고 있으며, 상기 도파관 물질은 회토류 이온들로 도핑되었으며, 상기 도핑된 도파관 물질의 최소한 몇몇 부분안에 있는 도펀트 농도는 약 0.05애토믹％에서 12애토믹％이며, 그에 따라 최소한 약 60nm의 밴드폭을 가지며, 약 1.51㎛에서 1.5㎛범위에 있는 파장에서 광 신호를 증폭시키는 방사 스펙트럽을 가지고 있는 도파관 물질을 공급하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  2. 제1항에 있어서, 밴드폭에 걸쳐 현저한 신호 증폭을 제공하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  3. 제1항에 있어서, 3가 양이온이 그룹 ⅢB 금속들과 란타나이드 계열 회토류 금속들에서 선택되어지고 도펀트가 에르븀인 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  4. 제3항에 있어서, 3가 양이온이 란타늄, 이트륨과 루테티움으로 구성된 그룹에서 선택되어지는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  5. 제4항에 있어서, 도파관 물질이 란타늄 플루오라이드, 이트륨 플루오라이드와 루테티움 플루오라이드로 구성된 그룹에서 선택되어지는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  6. 제5항에 있어서, 도파관 물질은 란타늄 플루오라이드이며, 도펀트는 에리븀플루오라이드이며, 란타늄 플루오라이드내의 에르븀 농도가 약 4애토믹％에서 5애토믹％가 되는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  7. 제1항에 있어서, 방사의 밝기 수명이 적어도 약1ms가 되는 시정수로 감소하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  8. 플래너 도파관을 제조하기 위한 공정에 있어서, 제1소스에서 주 물질을, 제2소스에서 도펀트 물질을 증발시켜, 기판위에 도핑된 주 물질과 도펀트 물질층을 형성하는 단계로 구성되며, 상기 제1소스 물질은 금속 플루오라이드이며 상기 금속은 그룹 ⅢB 금속들과 멘델레프 원소 주기율표의 란타나이드 계열중 회토류 금속으로 구성된 그룹에서 선택되어지고 그리고 제2소스 물질은 ErF3이 되는 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조공정.
  9. 제8항에 있어서, 주 물질내의 도펀트 농도가 0.05 애토믹％에서 약 5애토믹％인 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조 공정.
  10. 제8항에 있어서, 도펀트는 에르븀이며, 도핑된 도파 주 물질은 약 1.5㎛에서 1.57㎛에 걸친 신호 파장에서 약 60nm의 밴드폭을 갖는 방사 스펙트럼을 갖는 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조 공정.
  11. 제8항에 있어서, 도펀트 프로파일이 도핑된 도파 물질을 통해 전송된 빛의 세기 프로파일과 일치하도록 하기 위해 도핑된 도파물질내의 도펀트 농도를 제어하는 과정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조 공정.
  12. 제10항에 있어서, 제1소스 물질이 LaF3, YF3와 LuF3로 구성된 그룹에서 선택되어지는 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조공정.
  13. 제12항에 있어서, 도핑된 도파 물질이 LaF3의 소스를 제1온도로 ErF3의 소스를 제2온도로 가열해줌으로써 기판위에 형성되며, 상기의 제1과 제2의 온도들은 그들의 각각의 소스로부터 LaF3와 ErF3의 증발 비율을 조절하기 위해 선택되므로, ErF3의 각 5유니트에 대해, LaF3의 95유니트가 증발하며 그리하여 기판위에 있는 95애노믹％인 LaF3와 5％의 ErF3로 되어 있으며, 도핑된 도파 물질을 형성하게 되는 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조 공정.
  14. 제13항에 있어서, 기판이 실리콘, 크리스탈린 수정, 퓨즈된 수정, 칼슘 플루오라이드와 알루미늄 산화물로 구성된 그룹에서 선택되어지는 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조 공정.
  15. 제14항에 있어서, 실리콘 기판이 도핑된 도파 물질이 기판에 형성되기 전에 형성된 실리콘 이산화물 버퍼층을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 플래너 도파관 제조 공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4420287A1 (de) * 1994-06-10 1995-12-14 Sel Alcatel Ag Lichtwellenleiter für faseroptische Verstärker für den Wellenlängenbereich um 1550 nm
US6538805B1 (en) 1999-02-19 2003-03-25 Photon-X, Inc. Codopant polymers for efficient optical amplification
US6292292B1 (en) 2000-02-18 2001-09-18 Photon-X Rare earth polymers, optical amplifiers and optical fibers
US20040201000A1 (en) * 1999-02-19 2004-10-14 Photon-X, Inc. Polymer blends for optical amplification
WO2001040540A1 (en) * 1999-12-02 2001-06-07 Tegal Corporation Improved reactor with heated and textured electrodes and surfaces
KR100335368B1 (ko) * 1999-12-21 2002-05-06 오길록 이중 도파로 구조를 구비하는 도파로형 광증폭기 및 그제조 방법
US6506289B2 (en) 2000-08-07 2003-01-14 Symmorphix, Inc. Planar optical devices and methods for their manufacture
US6533907B2 (en) 2001-01-19 2003-03-18 Symmorphix, Inc. Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications
US7469558B2 (en) * 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
US7404877B2 (en) * 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US7290407B1 (en) 2001-12-19 2007-11-06 Jesse Chienhua Shan Triangle-shaped planar optical waveguide having reduced scattering loss
US6884327B2 (en) * 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US9793523B2 (en) 2002-08-09 2017-10-17 Sapurast Research Llc Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
AU2003261463A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-19 Symmorphix, Inc. Optically coupling into highly uniform waveguides
US7205662B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Symmorphix, Inc. Dielectric barrier layer films
US20040188379A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Cabot Microelectronics Corporation Dielectric-in-dielectric damascene process for manufacturing planar waveguides
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7238628B2 (en) * 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
CN1316700C (zh) * 2003-08-22 2007-05-16 南京大学 SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备方法
ATE447777T1 (de) 2004-12-08 2009-11-15 Symmorphix Inc Abscheidung von licoo2
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US7838133B2 (en) * 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US20080232761A1 (en) * 2006-09-20 2008-09-25 Raveen Kumaran Methods of making optical waveguide structures by way of molecular beam epitaxy
CN101523571A (zh) 2006-09-29 2009-09-02 无穷动力解决方案股份有限公司 柔性基板上沉积的电池层的掩模和材料限制
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
US9334557B2 (en) 2007-12-21 2016-05-10 Sapurast Research Llc Method for sputter targets for electrolyte films
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
WO2009089417A1 (en) 2008-01-11 2009-07-16 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
CN101983469B (zh) 2008-04-02 2014-06-04 无穷动力解决方案股份有限公司 与能量采集关联的储能装置的无源过电压/欠电压控制和保护
JP2012500610A (ja) 2008-08-11 2012-01-05 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 電磁エネルギー獲得ための統合コレクタ表面を有するエネルギーデバイスおよびその方法
WO2010030743A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral conductive surface for data communication via electromagnetic energy and method thereof
WO2010042594A1 (en) 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
CN102576828B (zh) 2009-09-01 2016-04-20 萨普拉斯特研究有限责任公司 具有集成薄膜电池的印刷电路板
EP2577777B1 (en) 2010-06-07 2016-12-28 Sapurast Research LLC Rechargeable, high-density electrochemical device
US9711928B2 (en) * 2012-06-22 2017-07-18 Clemson University Research Foundation Single crystals with internal doping with laser ions prepared by a hydrothermal method
US10156025B2 (en) 2015-05-04 2018-12-18 University Of South Carolina Monolithic heterogeneous single crystals with multiple regimes for solid state laser applications
US20170137684A1 (en) * 2015-11-13 2017-05-18 University Of Washington Crystals for cooling solutions and related methods
FR3087958B1 (fr) * 2018-10-31 2023-02-10 Commissariat Energie Atomique Cristal laser avec au moins deux co-dopants.
US11913683B2 (en) 2020-01-17 2024-02-27 University Of Washington Solid-state laser refrigeration of composite optomechanical resonators
US11757245B2 (en) 2020-01-27 2023-09-12 University Of Washington Radiation-balanced fiber laser

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5248890A (en) * 1989-05-13 1993-09-28 Forschungszentrum Julich Gmbh Valance specific lanthanide doped optoelectronic metal fluoride semiconductor device
US5119460A (en) * 1991-04-25 1992-06-02 At&T Bell Laboratories Erbium-doped planar optical device
US5140658A (en) * 1991-04-26 1992-08-18 At&T Bell Laboratories Optical amplifiers involving single crystal waveguides
US5290730A (en) * 1992-09-10 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Wavelength conversion waveguide and fabrication method
US5240885A (en) * 1992-09-21 1993-08-31 Corning Incorporated Rare earth-doped, stabilized cadmium halide glasses

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08240821A (ja) 1996-09-17
DE69611189D1 (de) 2001-01-18
DE69611189T2 (de) 2001-05-31
EP0723319A3 (en) 1997-09-24
EP0723319B1 (en) 2000-12-13
US5900057A (en) 1999-05-04
US5555342A (en) 1996-09-10
KR100358267B1 (ko) 2003-01-14
EP0723319A2 (en) 1996-07-24

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