KR960027330A - 파워 모스페트(mosfet)의 트리거 회로 - Google Patents

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KR960027330A
KR960027330A KR1019950054326A KR19950054326A KR960027330A KR 960027330 A KR960027330 A KR 960027330A KR 1019950054326 A KR1019950054326 A KR 1019950054326A KR 19950054326 A KR19950054326 A KR 19950054326A KR 960027330 A KR960027330 A KR 960027330A
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KR
South Korea
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power mosfet
voltage
voltage multiplier
trigger circuit
multiplier
Prior art date
Application number
KR1019950054326A
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English (en)
Inventor
마티아스 융
에리히 카이플러
예뇌 티하니
Original Assignee
알베르트 발도르프 · 롤프 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Publication date
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
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Abstract

파워 MOSFET(1)는 완전한 도통제어를 위해 약 6V의 게이트 전압(VSS)을 필요로 한다. 그러나, 종종 6V이하의 공급전압(VBB)이 이용되기 때문에, 파원 MOSFET(1)가 완전히 도통제어될 수 없다. 따라서, 파워 MOSFET는 전압 증배기(2)로 트리거된다. 전압 증배기(2)에는 공급전압(VBB)이 인가된다.

Description

파워 모스페트 (MOSFET)의 트리거 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 나타낸 회로도.

Claims (5)

  1. a) 전압 증배기의 출력단자가 파워 MOSFET의 게이트 단자에 접속되고, b) 전압 증배기가 전압 공급원에 접속될 수 있도록 구성된, 파워 MOSFET의 트리거 회로에 있어서, c) 전압 증배기(2)의 출력(7,8)이 파워 MOSFET(1)의 게이트 단자(G)와 소오스 단자(S) 사이에 접속되고, d) 전압 증배기(2)는 이용될 수 있는 공급전압(VBB) 보다 큰 출력전압(VGS)을 공급하는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET의 트리거 회로.
  2. 제1항에 있어서, 전압 증배기(2)가 파워 MOSFET와 동일한 하우징에 내장되는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET의 트리거 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전압 증배기(2)가 집적회로로서 설계되는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET의 트리거 회로.
  4. 제3항에 있어서, 전압 증배기(2) 및 파워 MOSFET(1)와 동일한 칩상에 집적되는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET의 트리거 회로.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 전압 증배기(2)가 펄스 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET의 트리거 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950054326A 1994-12-23 1995-12-22 파워 모스페트(mosfet)의 트리거 회로 KR960027330A (ko)

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DEP4446327.8 1994-12-23
DE4446327A DE4446327A1 (de) 1994-12-23 1994-12-23 Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-MOSFET

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US9344077B2 (en) 2012-04-04 2016-05-17 Cree, Inc. High voltage driver
US8963576B2 (en) 2012-10-19 2015-02-24 Cree, Inc. Increased transition speed switching device driver

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE6900750U (de) * 1968-12-04 1969-06-04 Wilhelm Koenig Laufwagen fuer insbesondere einschienenhaengebahnen
US4737667A (en) * 1986-03-11 1988-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Driving circuitry for a MOSFET having a source load

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DE4446327A1 (de) 1996-07-04
JPH08242155A (ja) 1996-09-17

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