KR960026940A - 공진터낼링 분석자가 도입된 핫전자 장치 - Google Patents

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Abstract

이질접합구조를 이용한 핫전자 트랜지스터 구조에 베이스와 콜렉터 사이의 콜렉터 전위장벽층구 구조에 도핑이 되지 않는 넓은 전위 흡수(완층)층 들과 얇은 공진터낼링 양자우물 구조를 적용하고, 베이스층은 에미터 물질이나 콜렉터 물질 보다 에너지 밴드갭이 작고 전자이동도가 높은 물질로 구성된다.
본 발명에 의한 핫전자장치구조는 핫전자효과의 이용과 공진터낼링 양자 속박 준위의 제어능력에 의해 새로운 기능이 고속 논리장치 및 스위칭 장치, 전류펄스 생산장치 등으로 응용 가능하다.
여기서 공진터낼링 구조의 변수, 즉 위치변화, 이종접합물질들의 선택에 따른 양자우물 양자 준위의 변화 및 양자우물 준위 갯수의 변화(multi levels), 이중장벽의 높이변화, 그리고 양자우물 갯수의 변화 등에 대한 다양한 새로운 형태로의 반도체 장치의 테일러링(Tailoring)이 가능하다.
또한 적용된 전위 변화의 영향을 덜받아 변형이 작은 공진터낼링 구조의 적용으로 인한 양자우물내 양자속박 에너지 준위의 고정성과 좁은 에너지 넓이는 우수한 에너지 분석창을 형성하므로서, 핫전자의 에너지 분광분석 및 장치 구조분석에 직접이용되어 핫전자 수송현상을 효과적으로 탐침할 수 있는 개선된 에너지 분석자도 제공한다.

Description

공진터낼링 분석자가 도입된 핫전자 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 의한 핫전자 장치(HET)구조의 횡단면도이다. 제2a도 내지 제2d도는 각 전압하에서의 각 층들내에서 도전밴드의 최저준위를 나타내는 에너지 밴드 다이어 그램(Schematic energy)이다. 제2a도는 열평형 상태에서의 핫전자 장치(HET) 구조층들의 에너지 밴드 다이어그램, 제2d도는 제2a도 HET에 베이스 에미터간 전압(VBE) 적용시 HET의 동작상태의 에너지 밴드 다이어그램, 제2c도는 제2a도 HET에 콜렉터 에미터간 전압(VCE) 적용시, HET 동작상태의 에너지 밴드 다이어그램, 제2d도는 제2a도 HET의 베이스 에미터간 전압(VBE)와 콜렉터 에미터간 전압(VCE) 등시 적용시, HET 동작상태의 에너지 밴드 다이어그램.

Claims (2)

  1. 도전형의 에미터, 베이스, 콜렉터 층들과, 상기 에미터층과 베이스층 사이에 형성된 다수의 에미터 장벽층들과 상기 베이스와 콜렉터 사이에 배치되어 있는 콜렉터 전위 장벽층으로 구성되어 있는 고속 반도체 장치에 있어서, 상기 베이스와 콜렉터 사이의 콜렉터 전위 장벽층 구조가 한쌍의 콜렉터 장벽 전위변화흡수(완충)층과 상기 한쌍의 콜렉터 장벽 변화 흡수층사이에 형성된 공진 터낼링 이중장벽 양자우물 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 핫전자 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이중장벽우물구조 대신에 2개 이상의 양자우물을 가진 다양 양자우물구조로 구성된 것을 특징으로 하는 핫전자 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035155A 1994-12-19 1994-12-19 공진 터널링 핫 전자 트랜지스터 KR0170181B1 (ko)

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