KR960026399A - 반도체소자의 텅스텐 배선 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 텅스턴 배선 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판상에 장벽금속층과 텅스텐층 및 반사방지막을 순차적으로 형성하고, 상기 반사방지막과 텅스텐층 및 장벽금속층을 감광막패턴을 마스크로 하여 건식식각방법으로 식각하여, 이때 생성되는 폴리머성 식각잔유물을 현상액으로 제거한 후, 세척 및 건조시켜 텅스텐 배선을 형성하였으므로, 공정이 간단하고 폴리머성 잔유물층에 의한 임계크기의 증가나 배선패턴의 브릿지 현상을 방지하여 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 텅스텐 배선제조 공정도.
Claims (3)
- 예정된 구조의 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막상에 장벽금속층을 형성하는 공정과, 상기 장벽금속층상에 텅스텐층을 형성하는 공정과, 상기 텅스텐층상에 반사방지막을 형성하는 공정과, 상기 텅스턴층에서 패턴으로 예정되어 있는 부분 상측의 반사방지막상에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 반사방지막에서 장벽금속층까지를 순차적으로 식각하여 금속배선을 형성하는 공정과, 상기 식각공정시 생성된 식각잔유물을 현상액으로 제거하는 공정과, 상기 반도체기판을 순수로 세척하는 공정을 구비하는 반도체소자의 텅스텐 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각공정이 자기유도 반응성 이온식각, 평판플라즈마식각, 반응성 이온식각 및 이.씨.알(elecron cyciotron resonance) 식각등으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 텅스텐 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽금속층을 Ti이나 Ti/TiN 막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 텅스텐 배선 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039041A KR960026399A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 텅스텐 배선 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039041A KR960026399A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 텅스텐 배선 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026399A true KR960026399A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039041A KR960026399A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 텅스텐 배선 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026399A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039041A patent/KR960026399A/ko not_active Application Discontinuation
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