KR960019509A - 이온주입실에 이용되는 이온발생 소오스 - Google Patents
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- 238000002347 injection Methods 0.000 title 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 title 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
- H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
본 발명의 이온소오스(12)는 이온주입기(10)에 이용된다. 이온소오스는 가스이온화대를 경계짓는 전도실을 지닌 가스한정실(76)을 구비한다. 가스한정실은 이온을 챔버에 탈출시키는 탈출개구부(78)를 포함한다. 베이스(120)은 가스한정실을 탈출하는 이온으로부터 이온비임을 형성하는 구조에 대해 가스한정실을 위치시킨다. 가스공급이 이온화가스를 가스한정실에 전도하는 가스한정실과 연통한다. 캐소우드(124)가 베이스에 의해 지지되어 있고, 이온화전자를 가스이온화대에 방출하기 위해 상기 가스한정실에 대해 위치해 있다. 캐소우드는 가스한정실에 부분적으로 연장하는 가스한정실에 마주하여 이온화전자를 가스한정실에 방출시키는 전도캡(164)을 포함하는 관형전도체(160),(162)를 구비한다. 필라멘트(178)은 캐소우드의 관련 전도체 내측의 위치에 베이스(120)에 의해 지지되어 캡을 가열하여 이온화전자를 캡에서 가스한정실로 방출시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 스핀지지대에 설치된 실리콘웨이퍼와 같은 공작물을 이온비임처리용 이온주입기의 개략도.
Claims (12)
- (가) 한정 챔버내부에 연결되고, 이온이 상기 한정실을 탈출하게 하는 이온탈출구멍(78)을 형성하는 한정실벽을 지니고, 외부챔버에서 내부챔버에 액세스하게 하는 탈출구멍으로쿠터 공간을 둔 위치에 전도챔버벽중 하나의 액세스 개구부(158)을 형성하는 한정실(76)과; (나) 상기 한정실로부터 공간을 둔 구조(14,80)에 대한 위치에 상기 한정실을 지지하고, 이온탈출구멍(78)을 통해 상기 한정실을 탈출하는 이온들로부터 이온비임(20)을 형성하는 베이스(120)와; (다) 상기 한정실과 연결되고 이온화된 재료를 한정실의 내부에 전달하는 전원(142)을 구비한 이온주입기에 이용되는 이온소오스에 있어서, (라) 상기 베이스에 의해 지지되어 있고, 상기 한정실내에 위치하고, 이온화전자를 챔버내부에 방출하여 상기 재료를 이온화시키고, 또한 액세스 개구부를 통해 상기 제한선에 연장하여 한정실의 내부의 일단에 전도캡(164)를 지지하고 상기 전도캡을 축방향으로 대향하는 위치에 개방단을 지닌 캐소우드(124)와; (마) 상기 베이스에 의해 상기 캐소우드의 관형 전도체 내부의 위치에 지지되어 있고, 상기 캡을 가열하여 이온화전자가 전도캡(164)에서 상기 한정실로 방출되게 하는 필라멘트(178)와; (바) 하나 이상의 절연체(152)에 의해 상기 베이스로부터 공간을 두고, 상기 한정실 내부에 전도캡(164)을 취함과 동시에 액세스 개구부를 형성하는 전도챕버벽에 공간을 둔 관계로 캐소우드를 액세스개구부에 지지하는 제1설치아암(50)을 구비한 것을 특징으로 하는 이온소오스.
- 제1항에 있어서, 필라멘트(178)를 통전하여 전자를 방출하여 상기 캡(164)와 충돌시키는 온도까지 가열하고, 전자 한정실(76)에 방출되는 온도까지 상기 캡을 가열하는 전원(210)을 특징으로 하는 이온소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 필라멘트(178)는 하나 이상의 절연체(172)에 의해 제1설치아암으로부터 공간을 둔 제2설치아암(170a),(170b)에 설치되어 있고, 상기 필라멘트는 개방단을 통해 상기 캐소우드로 연장한 것을 특징으로 하는 이온소오스.
- 제3항에 있어서, 상기 필라멘트를 상기 제2설치아암에 해제할 수 있게 설치된 투 피이스 클램프(174a),(174b)를 것을 특징으로 하는 이온소오스.
- 제1항에 있어서, 절연체(152,172)는 한정실(76) 외부에 설치되어 있고 전기 및 열절연을 제공하는 것을 특징으로 하는 이온소오스.
- 제1항에 있어서, 상기 제1설치아암(150)은 나사깎기된 개구부(167)을 형성하고, 상기 캐소우드는 상기 제1설치아암에서의 나사깎기된 개구부와 나사깎기된 맞물림에 의해 제1설치아암(150)에 부착된 동축으로 연장한 내부 및 외부 관형부재(162) 및 (164)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온소오스.
- 제6항에 있어서, 상기 외부관형부재(160)는 설치아암과 접한 하부단에 플랜지(161)를 지니고, 내부관형부재(162)는 나사깎기된 하단부와 이의 축방향단 중간에 위치한 바깥쪽으로 연장한 쇼울더(165)를 지니고, 내부관형부재의 나사깎기된 단부가 설치아암(150)의 나사깎기된 개구부(167)에 나사닛로 연결될 때 상기 바깥쪽으로 연장한 쇼울더가 플랜지를 설치아암에 대향하게 유지하도록 외부관형부재의 플랜지(161)의 상면을 맞물리는 것을 특징으로 하는 이온소오스.
- 제7항에 있어서, 상기 내부관형부재(162)는 나사깎기된 단부와 외부면으로부터 바깥쪽으로 방사상으로 연장한 쇼울더를 구비하고, 상기 외부관형부재는 상기 관형부재의 나사깎기된 단부가 제1설치아암의 나사깎기된 개구부에 나사닛로 맞물릴 때, 축방향단에서 상기 내부관형부재의 상기 쇼울더와 축방향 대향단에서 제1설치아암을 맞물리게 하기 위해 방사상 안쪽으로 연장한 플랜지를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온소오스.
- (가) 이온비임을 형성하기 위해 이온화실 내부의 이온을 챔버(76)으로 탈출시키는 탈출개구부(78)를 포함하는 이온화실(76)을 제공하는 단계와를 구비한 공작물을 처리하는 이온비임(20)을 발생시키는 방법에 있어서, (나) 액세스 개구부를 포위하는 이온화실의 액세스개구부를 포위하는 이온화실의 벽으로부터 공간을 둔 케소우드 캡의 외면을 유지함과 동시에 이온화실의 벽의 액세스 개구부를 통해 케소우드 캡(164)을 끼우므로서 전자를 이온화실에 방출하는 전도 엔드 캡(164)을 지닌 캐소우드 컵(124)을 지지하는 단계와; (다) 캐소우드 컵의 개방단에 전자 방출부를 지닌 필라멘트(178)를 끼우고 필라멘트를 엔드캡과 공간을 둔 관계로 고정시키는 단계와; (라) 이온화재료를 이온화실에 루우팅시키는 단계와; (마) 필라멘트를 통전하여 전자를 방출하는 단계와; (바) 캐소우드 컵과 필라멘트를 바이어싱하여 필라멘트로부터 방출된 전자가 엔드캡에 충돌하게 하고 엔드캡에서 이온화실의 내부로 이차전자방출을 유도하여 이온화실에 루우트된 재료를 이온화하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온비임 발생방법.
- 제9항에 있어서, 이온화실을 탈출하는 이온을 목표에 향하게 하는 비임 성형장치에 대해 베이스(120)에 이온화실 지지하고, 캐소우드 컵을 이온화실과 전기적으로 절연시키는 단계를 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 하나 이상의 절연체(152)에 의해 베이스(120)로부터 공간을 둔 설치판(150)에 캐소우드를 설치하고 절연체에 의해 설치판으로부터 공간을 둔 한쌍의 아암에 필라멘트를 설치하므로서 필라멘트, 캐소우드 컵 및 이온화실을 서로 전기적으로 절연시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- (가) 설치판과 접한 하단에 플랜지(161)를 지닌 몰리브덴 합금재료로부터 만들어진 캐소우드의 외부관형부재(160)와; (나) 나사깎기된 하부단과 내부관형부재(162)의 중간축방향단의 쇼울더(165)를 지닌 몰리브덴 합금재료로 만들어지고, 내부관형부재의 나사깎기된 단부가 설치판의 나사깎기된 개구부에 나사닛으로 맞물릴 때 쇼울더가 플랜지를 설치판(150)에 유지하도록 외부관형부재의 플랜지의 상면을 맞물리는 캐소우드의 내부관형부재(162)와; (다) 텅스텐재료로 만들어지고 이온발생소오스의 작동 중 적소에 마찰적으로 보지된 관형부재의 단의 중간 보어내에 고정된 전도캡(164)과; (라) 상기 캡과 축방향으로 대향하는 상기 관형부재 중 하나의 개방단으로 연장하고 상기 캡이 전자를 방출하고, 상기 관형부재와 전도캡을 대치하여 전기적으로 절연하는 필라멘트(178)를 구비한 것을 특징으로 하는 이온발생 소오스용 3개의 구멍을 지닌 캐소우드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US339,554 | 1994-11-15 | ||
US08/339,554 US5497006A (en) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | Ion generating source for use in an ion implanter |
US339554 | 1994-11-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960019509A true KR960019509A (ko) | 1996-06-17 |
KR100261007B1 KR100261007B1 (ko) | 2000-08-01 |
Family
ID=23329572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950041519A KR100261007B1 (ko) | 1994-11-15 | 1995-11-15 | 이온주입실에 이용되는 이온발생 소오스 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5497006A (ko) |
EP (1) | EP0713239B1 (ko) |
JP (1) | JP2995388B2 (ko) |
KR (1) | KR100261007B1 (ko) |
CA (1) | CA2162748C (ko) |
DE (1) | DE69507776T2 (ko) |
TW (1) | TW312021B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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- 1995-11-10 DE DE69507776T patent/DE69507776T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-10 EP EP95308076A patent/EP0713239B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-14 CA CA002162748A patent/CA2162748C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-14 JP JP7319526A patent/JP2995388B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-15 KR KR1019950041519A patent/KR100261007B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-18 TW TW084112283A patent/TW312021B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW312021B (ko) | 1997-08-01 |
EP0713239B1 (en) | 1999-02-10 |
KR100261007B1 (ko) | 2000-08-01 |
US5497006A (en) | 1996-03-05 |
EP0713239A1 (en) | 1996-05-22 |
JPH08227688A (ja) | 1996-09-03 |
DE69507776D1 (de) | 1999-03-25 |
CA2162748C (en) | 2001-04-17 |
CA2162748A1 (en) | 1996-05-16 |
DE69507776T2 (de) | 1999-09-16 |
JP2995388B2 (ja) | 1999-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
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